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Fターム[4M112CA14]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の構造 (8,535) | ダイアフラム型素子 (3,345) | 保護、絶縁層 (95)

Fターム[4M112CA14]に分類される特許

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【課題】異なる厚さを有する少なくとも2つの領域を備える活性部を備え、これらの領域の少なくとも一つが単結晶半導体材料からなる構造を製造する、コストを減少させ欠点を有しない方法を提案すること。
【解決手段】第1の基板と異なる厚さの第1及び第2の懸架領域を備える活性部を備える構造を製造する方法であって、前記方法は、以下の、a)第1の基板の前面を加工して第1の基板よりも薄い第1の厚さの少なくとも1つの第1の懸架領域の水平方向の輪郭を画定し、b)懸架領域下部の第1の懸架領域のエッチング停止層を形成し、これが第1の懸架領域下部に配置された半導体材料を除去する段階に先立って行われ、c)第1の基板の前面上に犠牲層を形成し、d)第1の基板の背面から加工して犠牲層をリリースし、少なくとも1つの第2の懸架領域を形成し、第1の懸架領域の停止層に到達させ、e)第1及び第2の懸架領域をリリースする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板42には、その表面から裏面へ貫通するように空洞44を設ける。空洞44の上方において、基板42の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム43を設ける。空洞44の少なくとも1つの壁面は、基板42の表面とその厚み方向中間部との間において、基板42の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板42の外側へ向かって広がった第1の斜面47aと、前記中間部と基板42の裏面との間において、前記中間部から基板42の裏面へ向かうにつれて次第に基板42の内側へ向かって狭まった第2の斜面47bとで構成される。また、空洞44の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 (もっと読む)


【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第1力学量センサR1の第1力学量検出部M1と第2力学量センサR2の第2力学量検出部M2とが、第1の基板10に変位可能な状態に形成され、第2の基板20が貼り合わされて第1空間K1と第2空間K2が互いに連通せずに形成されてなり、第1の基板10がSOI基板からなり、SOI層3からなる一部の半導体領域Sで第1力学量検出部M1と第2力学量検出部M2がそれぞれ構成されてなり、第2力学量検出部M2が、第2可動半導体領域S2aと第2固定半導体領域S2bの対向する面の静電容量の変化を測定して、第2力学量を検出する力学量センサ装置100とする。 (もっと読む)


【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第1の膜を形成する工程(a)と、第1の膜の上方と基板の第1の膜を囲む領域の上方とにまたがる第2の膜を形成する工程(b)と、第2の膜に貫通孔を形成することにより、第1の膜の一部を露出させる工程(c)と、第1の膜をエッチングする工程(d)と、第2の膜の貫通孔を封止する工程(e)と、基板の第1の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第2の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程(f)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さいばかりでなく効果的に大量生産することができる高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第1の絶縁層150によって第2のデバイス層200から分離された第1のデバイス層100を備えるデバイスウェーハを備える、環境的影響力を測定するためのデバイスおよび同デバイスを製作する方法が開示される。エッチングされた基板ウェーハ600に第1のデバイスウェーハが接合されて、懸垂されたダイアフラム500および突起550が作製され、その撓みが、内蔵された検出素子850によって測定される。 (もっと読む)


【課題】 センサデバイスに関する装置及び関連する作成方法が提供される。
【解決手段】 センサデバイスは、第1部分に形成された検出装置を有する第1部分及び第2構造を含むセンサ構造を含む。封止構造は、前記センサ構造と前記第2構造との間に挿入され、ここで、封止構造は、センサ構造の第1部分を囲む。封止構造は、第1部分の第1側に固定基準圧力を設け、第1部分の対向側は周囲圧力にさらされる。 (もっと読む)


【課題】平板状空洞を形成する際におけるホール半径Rと、ホールとホールの最短距離Sのプロセスマージンを広げ、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板1の表面にホール4を複数形成し、非酸化性雰囲気のアニール処理により、該半導体基板1の表面を半導体の表面マイグレーションを利用して平坦化し、基板内部に平板状空洞6を形成する際に、前記ホール4の開口部が閉じる前に半導体のソースガスを供給する。 (もっと読む)


【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第1主面上に、第1のエッチング速度およびこれより低い第2のエッチング速度をそれぞれ有する第1および第2の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第1の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第1および第2の膜支持材料層は、同様に第1の領域を囲む第2の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも1個の第1の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第2の領域内の第2の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第2の膜支持材料層が第1の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 (もっと読む)


【課題】低コストのマイクロ電気機械システムセンサを提供する。
【解決手段】マイクロ電気機械システムセンサ20は、基板21、基板21に位置するマイクロ電気機械システム部品エリア27、薄膜層29、接着層22、および、複数のSi貫通電極26を備える。基板21は、第一表面211および第二表面212、ならびにマイクロ電気機械システム部品エリア27を有する。薄膜層29は、マイクロ電気機械システム部品エリア27に被さってチャンバを密閉することによって密閉空間を形成する。キャップ24は、接着層22によってマイクロ電気機械システム部品エリア27に固着する。複数のSi貫通電極26は、第二表面212まで伸びるようにマイクロ電気機械システム部品エリア27に電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたp型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】センサの小型化を妨げることなくセンサのS/N比を向上させることのできる音響センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板42にバックチャンバ45を上下に開口する。当該基板42の上面には、バックチャンバ45を覆うようにして、可動電極板となる薄膜状のダイアフラム43を形成する。基板42の上面には、ダイアフラム43を覆うようにしてバックプレート48を固定し、バックプレート48の下面に固定電極板49を設ける。さらに、スリット47によってダイアフラム43を複数領域に分割し、複数に分割された各ダイアフラム43a、43bと固定電極板49によって複数個の並列に接続されたキャパシタ(音響センシング部60a、60b)を構成している。 (もっと読む)


【課題】低コスト化かつ小型化を実現できる静電容量型圧力センサを提供すること。
【解決手段】圧力センサ1は、内部に基準圧室8が形成されたシリコン基板2と、シリコン基板2の一部からなり、基準圧室8を区画するようにシリコン基板2の表層部に形成されたダイヤフラム9と、ダイヤフラム9の周囲を取り囲んでダイヤフラム9をシリコン基板2の他の残余部分11から分離する分離絶縁層10とを含んでいる。ダイヤフラム9には、基準圧室8に連通した貫通孔12が形成されていて、貫通孔12内には、充填体14が配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体圧力センサの小型化に伴う性能のばらつきを抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム6と、その下方の真空室となるべき空間13側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗4bと、これらを内包し、犠牲層16と接するエッチング液導入孔15を有する絶縁膜群3,5,7とを含む積層構造を、犠牲層16上に形成する。そして、エッチング液を前記エッチング液導入孔15に通じて、犠牲層16をエッチングすることにより積層構造を真空室上で機能するダイヤフラム体11として形成するとともに、シリコン基板1における第1絶縁膜2の第1開口2a下の表面をエッチングすることにより真空室となるべき空間13と、当該空間13中に配置され、ダイヤフラム体11の中央付近に向かって突出するダイヤフラムストッパー12とを形成する。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さく、大量に効果的に生産できる高感度圧力センサを製造するための方法を提供する。
【解決手段】第1のデバイスウエハーをエッチングされた第2のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー10を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第1のデバイスウエハーのデバイス層110に埋め込まれた相互接続部400を通じてセンサー10の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子310によって決定される。架設された構造は、封鎖物500によって封入される。 (もっと読む)


【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板13のダイヤフラム部12に形成された複数のn型半導体領域21と、各n型半導体領域21のそれぞれに対応してn型半導体領域21内に形成されたピエゾ抵抗素子R1〜R4と、絶縁体薄膜層22を介して各ピエゾ抵抗素子R1〜R4上に形成された導電性のシールド薄膜層23とを有し、複数のピエゾ抵抗素子R1〜R4がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ11において、n型半導体領域21とピエゾ抵抗素子R1〜R4上に形成されたシールド薄膜層23とは、ダイヤフラム部12に形成されたコンタクト部24によって電気的に接続されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部300は、センサ部100に設けられた第1固定部と第2固定部とを電気的に接続したクロス配線部323を備え、クロス配線部323はキャップ部300の一面301に配置されたクロス配線322を備えている。また、キャップ部300は、キャップ部300を貫通し、一端がクロス配線322に電気的に接続され、他端がキャップ部300の他面302に配置された貫通電極344を備えている。これにより、貫通電極344を介してクロス配線322の電位、すなわち、センサ部100の第1固定部および第2固定部の電位をキャップ部300の他面302に取り出すことができる。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第1凹部13が形成された一面11を有する第1基板10と、第1凹部13が密閉空間となるように第1基板10の一面11に接合された一面21を有する第2基板20と、を備え、第1凹部13を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第1基板10に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗40を設ける。 (もっと読む)


【課題】力学量を正確に検出しつつ、センサ面積が大型化しない構造の力学量センサを提供する。
【解決手段】第1力学量検出手段(例えば容量式加速度センサ20)を有する第1基板21(シリコン製センサ基板)と、第2力学量検出手段(例えばピエゾ式圧力センサ30)を有するとともに、第1基板に当接する第2基板(シリコン製センサ基板)とを備え、第1基板に、第2基板が対向して当接することにより封止空間37が形成され、この封止空間内に第1力学量検出手段を封止することで、第1力学量検出手段を保護する。 (もっと読む)


【課題】ガラス台座を設けることなく、センサチップの検出精度が低下することを抑制することができるセンサチップの実装構造およびその実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】センサチップ60の裏面61bに当該裏面61bに対して交差する方向に突出すると共に凹部62を取り囲む凸部64と、裏面61bのうち凸部64を挟んで凹部62側と反対側に位置する接合領域とを備え、接合材70を接着剤71と、接着剤71に混入された間隔保持材72とを有するものとし、被実装部材40におけるセンサチップ60の接合領域と対向する領域に塗布領域41を備え、センサチップ60と被実装部材40との間に、センサチップ60のうち接合領域と被実装部材40とに接触する間隔保持材72により、所定の間隔を形成する。 (もっと読む)


【課題】寸法が小型であるばかりでなく、実効的に大量に製造され得る高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサ、及びセンサを製造する方法が開示され、この方法は一実施形態では、エッチングされた半導体基材ウェーハ(300)を、シリコン積載絶縁体型ウェーハを含むエッチングされた第一のデバイス・ウェーハに接着し、次いでこの接着体をシリコン積載絶縁体型ウェーハを含む第二のデバイス・ウェーハに接着して通気孔付き懸吊構造を形成し、この構造の曲げが、埋め込まれた感知素子(140)によって感知されて差圧を測定する。一実施形態では、センサに埋め込まれた相互接続路(400)によって、他のデバイスとの相互接続性を確保しつつデバイスの滑らかなパッケージ形状を容易にする。 (もっと読む)


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