【課題】温度補償型の圧力センサモジュールにおいて、温度測定部および温度補償部を備えた温度補償装置と、圧力検出部を備えた圧力センサ装置とが互いに別々の半導体基板に形成された場合であっても、温度測定部が圧力センサ装置の温度を正確に測定することができ、適切に温度補償された圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合用電極に起因した不具合の発生を抑制する。
【解決手段】第１の接合用電極28は、フレーム部３において電極部8a，8bよりも重り部４から離れた位置、具体的には、電極部8a，8bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。同様に第２の接合用電極29は、フレーム部３において電極部9a，9bよりも重り部５から離れた位置、具体的には、電極部9a，9bを挟んで重り部４と対向するフレーム部３の端部(図１では下端部)に配設されている。そのため、従来例のように２つの重り部４，５に挟まれた幅細の部位に接合用電極100，101が設けられる場合と比較して、フレーム部３に残った接合用電極28，29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】全体の大形化を抑えながらも、外部応力に起因する可動電極部の変形を効果的に防止する。
【解決手段】支持基板２上に絶縁層３を介して設けられた単結晶シリコン層４に溝を形成することにより、可動電極部６及び固定電極部７，８からなるセンサエレメント５を設ける。可動電極部６は、錘部６ａから櫛歯状に延びる可動電極６ｄを有し、錘部６ａの前後両端部に梁部６ｂを有すると共に、前端側に第１のアンカ部６ｃを有している。アンカ部６ｃの上面に、アルミ製の電極パッド９を設ける。アンカ部６ｃに、応力遮断用の２本のスリット１２を単結晶シリコン層４全体が除去される深さで形成する。各スリット１２は、アンカ部６ｃの左右の両側縁部から、電極パッド９の左右両端縁部を延ばした仮想延長線を横切る位置まで内側に延びている。スリット幅寸法ｃを５μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】圧力センサーの小型化を可能とする。
【解決手段】圧力センサーの製造方法は、基板の一つの面の一部の上方に、第１の膜を形成する工程（ａ）と、第１の膜の上方と基板の第１の膜を囲む領域の上方とにまたがる第２の膜を形成する工程（ｂ）と、第２の膜に貫通孔を形成することにより、第１の膜の一部を露出させる工程（ｃ）と、第１の膜をエッチングする工程（ｄ）と、第２の膜の貫通孔を封止する工程（ｅ）と、基板の第１の膜がエッチングされた領域の上方に位置する第２の膜の上方に、歪みセンサー膜を形成する工程（ｆ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スティッキングをより抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】錘部４（５）と当該錘部４（５）を揺動自在に支持する一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）とが形成されたシリコン基板１と、シリコン基板１に接合されるとともに錘部４（５）と対向して配置される固定電極を有した支持基板２ａと、を備える。前記固定電極は、前記一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）を結ぶ直線を境界線として当該境界線の一方側および他方側にそれぞれ配置される第１の固定電極２０ａ（２１ａ）と第２の固定電極２０ｂ（２１ｂ）を備えており、この第１の固定電極２０ａ（２１ａ）と第２の固定電極２０ｂ（２１ｂ）との間の支持基板２ａに、一対のばね部６ａ、６ｂ（７ａ、７ｂ）間に亘る対向領域を凹設させた凹部４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１を有する半導体装置としてのＩＣチップ１０と、基部２１、前記基部２１から延伸された振動部を有し、第１の面１０ａと対向する第２の面２０ａに第２の電極としての引き出し電極２９を有する振動片としての振動ジャイロ素子２０と、を備えている。第１の面１０ａには、絶縁樹脂からなり第１の電極１１と配線３６を介して電気的に接続された第３の電極３７の少なくとも一部を露出させる開口部３２ａを有する筒状支持部３２が設けられ、第１の面１０ａおよび開口部３２ａにより形成された凹部に導電性接着剤９８が埋設され、引き出し電極２９に設けられたバンプ１２が凹部内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化率の増大を抑制することができる圧力検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧力検出素子の製造方法は、以下の工程を備えている。主表面１ａ側に凹部４を有する第１の基板１に、第１の基板１の凹部４を覆うように主表面１ａ側に積層された第２の基板２が接合される。積層方向から見て第２の基板２の凹部４と重なる部分に、第２の基板２の歪みを検出するための歪検出素子５が形成される。歪検出素子５に接するように電気配線７が形成される。電気配線７が形成された後に、歪検出素子５の電気配線７と接する箇所が還元されるように水素雰囲気で熱処理される。熱処理の終了時における水素分圧は０．４気圧以下である。 （もっと読む）

【課題】スパークによる接合強度の低下を抑制するとともに、ゲル部材の変形による応力がダイアフラムに作用するのを効果的に抑制することのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力伝達路（３３，４３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、センサチップ搭載面（３１）側の端部で最小、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分で端部の開口面積よりも大きく且つ最大とされ、任意位置の開口面積が、該任意位置よりもダイアフラム（２３）に近い位置の開口面積以上とされている。支持部材（１２）は、第１圧力伝達路（３３）を備え、接着材（５０）を介してセンサチップ搭載面（３１）にセンサチップ（１１）が固定された第１支持部材（３０）を有する。第１圧力伝達路（３３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分のほうが、センサチップ搭載面（３１）側の端部よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を小さくできるとともに、製造が容易なピエゾ抵抗体等を提供する。
【解決手段】半導体材料に外力が作用したときの抵抗値の変化を利用するピエゾ抵抗体である。半導体材料として、表面の終端の少なくとも一部が水素終端とされたｐ型半導体特性を持つダイヤモンドを用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】 静電容量型加速度センサのスティクションの発生と共に基板の歪みによる特性変動をも抑止する。
【解決手段】 静電容量型加速度センサにおける錘として機能する質量部１０１と、質量部１０１に両端が支持される可動電極１０３と、可動電極１０３と対向して設けられる固定電極１０４、１０５と、固定電極１０４、１０５を、この固定電極下面の支持基板１０９に固定する固定アンカ１０７、１０８と、を含んで静電容量型加速度センサを構成する。そして、固定アンカ１０７、１０８は、固定電極１０４、１０５下面の中央部分のみと支持基板１０９とを接触させて固定する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの機械的な応力を検出するための応力センサにおいて、単純な方法で感度変動を保証する。
【解決手段】半導体チップ２の動作面３に４つの集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４を一体化して配置し、該集積抵抗Ｒ_１〜Ｒ_４によりホートストンブリッジを形成し、該ホーイトストンブリッジにおいて、一方の対辺に配置された抵抗Ｒ_１及びＲ_４はｐ型抵抗であり、他方の対辺に配置された抵抗Ｒ_２及びＲ_３はｎ型抵抗であることを特徴とする応力センサを設ける。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】精度、小寸法、及びコスト効率的な製造を可能とするＭＥＭＳセンサ設計を提供する。
【解決手段】一態様では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサは、複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばね（トーションばね）を備え、該ねじりばねは、可動要素すなわちプルーフマスを、その下にある基板の上に懸架している。さらなる一態様では、この複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばねは、熱によって誘起される応力による測定誤差を最小化するべく配向される。係るジグザグ形のねじりばねを有するＭＥＭＳセンサは、既存のＭＥＭＳ製法を用いて製造可能である。 （もっと読む）

【課題】センサ部を片持ち支持してなる圧力センサにおいて、外部温度の変化によって、圧力の検出精度が低下することを抑制することができる圧力センサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム２４を外形輪郭線が長手方向と垂直に交差する一辺２４ａを一端２１側に有する形状とし、複数のピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄをダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成する。このような圧力センサでは、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄはダイヤフラム２４のうち一辺２４ａの中点周りの領域外に形成されているため、ピエゾ抵抗素子２５ａ〜２５ｄに印加される熱応力の差分を低減することができ、圧力検出精度が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】スペーサとして従来のビーズを用いた場合と比較して、センサチップの温度特性を改善する。
【解決手段】弾性変形によって熱応力を緩和する高分子接着剤２を介して、センサチップ３が被着体４に接着された力学量センサの製造方法において、被着体４のセンサチップ３との接着予定領域の一部に、接着剤２と同じ材料を硬化させることにより、センサチップ３と被着体４との間隔を保つためのスペーサ１２を形成する。このとき、接着剤２と同じ材料の液滴の状態での塗布と硬化とを複数回繰り返す。そして、スペーサ１２によってセンサチップ３を保持しながら、センサチップ３と被着体４との間の接着剤２を硬化させる。これによると、接着剤２の硬化後においては、スペーサ１２は接着剤２と同じヤング率となるので、温度変化による接着剤の収縮時にセンサチップ３がスペーサから受ける応力を低減でき、センサチップ３の温度特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】構成の小型化、製造工程の簡略化を達成し得る半導体圧力センサを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１３のダイヤフラム部１２に形成された複数のｎ型半導体領域２１と、各ｎ型半導体領域２１のそれぞれに対応してｎ型半導体領域２１内に形成されたピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４と、絶縁体薄膜層２２を介して各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成された導電性のシールド薄膜層２３とを有し、複数のピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がホイートストンブリッジ回路を構成する半導体圧力センサ１１において、ｎ型半導体領域２１とピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４上に形成されたシールド薄膜層２３とは、ダイヤフラム部１２に形成されたコンタクト部２４によって電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）