【課題】 超電導単一磁束量子集積回路装置に関し、バイアス電流の戻り電流およびバイアス電流自身がチップ内のＳＦＱ論理回路に与える影響をなくす。
【解決手段】 チップ内の超電導単一磁束量子集積回路に直流バイアス電流を供給するバイアス電源線と、チップの外部に前記直流バイアス電流を回収するためのバイアス引き抜き電源線とを設け、バイアス引き抜き電源線の終端は前記チップ内にレイアウトされた超電導単一磁束量子集積回路周辺で複数の０．１ミリオーム乃至１オームの抵抗値を有する薄膜抵抗からなる抵抗体を介してチップのグランド面に接続し、グランド面との接続点から直流バイアス電流を引き抜く。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でかつ低コストで製造可能な超電導磁気シールド体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】常電導導体と超電導導体とを具備する円筒状の超電導磁気シールド体であって、前記超電導導体は、円筒の周方向において複数個に分割され、かつ円筒の軸方向に連続して延びていることを特徴とする超電導磁気シールド体。 （もっと読む）

【課題】ジョセフソン接合アレー構造体において、接合数を大きくすると動作マージンが著しく減少することから、超伝導デジタルアナログ変換器の出力電圧が低いという問題点があった。１００Ωと高いインピーダンスのジョセフソン接合アレー構造体において、高い集積度と発熱による動作マージンの低下を防止する。
【解決手段】本発明のジョセフソン接合アレー構造体は、ジョセフソン接合アレーとその両側に配置された外部導体からなり、ジョセフソン接合アレーは、２つの隣り合うジョセフソン接合が１つの下部電極を共有して接続され、下部電極は、ジョセフソン接合から外部導体へ延びる幅広部と、隣り合うジョセフソン接合を接続する位置における幅狭部とを備える。幅狭部をもつ十分大きな下部電極によって、高い線路インピーダンスを実現し、接合抵抗による電磁パルス信号の減衰が改善される。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ検出器のテラヘルツ波の検出効率を高める。
【解決手段】テラヘルツ波を検出するテラヘルツ検出素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、テラヘルツ帯における周波数を共振周波数として有する複数のボウタイアンテナ１３Ａ，１３Ｂで構成したアンテナ部１３と、基板１１上に形成され、アンテナ部１３の中心に配置されたＳＴＪ（超伝導トンネル接合）素子１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】例えば液体窒素温度（７７Ｋ）以下のような低温、とりわけ２０Ｋ以下の極低温でかつ磁束密度１Ｔ以上の強磁場中でも高い導電性を有することで、厚さを薄くすることができる磁気遮蔽材を提供する。
【解決手段】７７Ｋ以下の低温でかつ磁束密度１Ｔ以上の磁場中で用いる磁気遮蔽材であって、純度が９９．９９９質量％以上のアルミニウムを含んで成ることを特徴とする磁気遮蔽材である。 （もっと読む）

【課題】製造誤差が少なく、コイルおよびシールド管の故障が少なく、ピックアップコイルに起因する振動ノイズの影響を受けにくく、製造容易で小型の電流比較器を実現する。
【解決手段】電流比較器は、基板上設けられ、超伝導膜からなる筒状構造を有するシールド管３０と、シールド管３０の内部に設けられ、シールド管３０の内壁と外壁との間に構成される閉ループａもしくはａ’におけるループ内を貫通し、シールド管３０と絶縁された少なくとも２本の導線Ｌ₁およびＬ₂と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電流を駆動するための構造を用いることなしに、原子の閉じ込めが行えるようにする。
【解決手段】超伝導材料から構成されて貫通孔１０１ａを有する捕捉部１０１と、捕捉部１０１を超伝導転移温度以下に冷却する冷却部１０２と、捕捉部１０１に均一な第１磁場１３１を印加する磁場印加部１０３を備える。捕捉部１０１を超伝導転移温度以下に冷却し、捕捉対象の原子を捕捉部近傍１０１に配置した後、閉プール状の捕捉部１０１の貫通孔１０１ａを貫く第１磁場１３１を印加し、上記原子を捕捉部１０１の近傍に捕捉する （もっと読む）

【課題】本発明は、基材上に中間層と酸化物超電導層と金属安定化層を少なくとも有する積層構造の酸化物超電導導体の内部側において金属安定化層に剥離部分などの欠陥が生じていてもその有無を確実に検査することができる検査方法と検査装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材上に中間層を介し酸化物超電導層が形成され、この酸化物超電導層上に金属安定化層が積層されてなる酸化物超電導導体において内部欠陥の有無を検査する方法であって、前記酸化物超電導導体を超電導状態に維持可能な冷媒にて冷却し、冷却開始後、所定時間経過後に計測した第１の臨界電流値と、更に冷却を所定時間続行した後に測定した第２の臨界電流値との差分を検出し、この差分の検出により前記酸化物超電導導体の欠陥の有無を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 広い周波数帯域を持ち、かつ超電導デバイスが置かれる低温域への熱流入を抑制できる、超電導デバイスからの光出力方法を提供する。
【解決手段】 第一、第二の低温度領域１１、１２を近接して設け、第一の低温度領域に、超電導デバイス１４及び該超電導デバイスの出力を増幅する超電導ドライバ１５を配置して、該第一の低温度領域を、超電導デバイスが機能する温度域に冷却する。一方、第二の低温度領域には、超電導ドライバと電気的に接続した半導体アンプ１６及び入力電圧に応じて位相が回転する光変調器１７を配置し、該第二の低温度領域を、半導体アンプが機能する温度域に冷却する。これにより、超電導デバイスの微小信号を光信号２０として出力する。 （もっと読む）

【課題】非常に薄い薄膜の誘電率、透磁率、および抵抗率を精確に計測する。
【解決手段】被測定物である薄膜を超伝導共振器１０上に成膜する前後において超伝導共振器１０の共振周波数およびＱ値を求めることにより、共振周波数のずれおよびＱ値の変化から薄膜の誘電率、透磁率、および抵抗率を精度良く求めることができる。また、伝送線路２０に複数の超伝導共振器１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを配置することで、一度に多数の試料の測定や広い周波数領域での試料の特性の変化を測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来の概念では想起し得なかった構造を持つ超電導デバイスを提供するものである。
【解決手段】
本発明の超電導素子は、導電性材料からなる導電部材と、この表面を被覆する絶縁性材料からなる被覆層と、この被覆層中に埋め込まれている超導電性材料からなる多数のナノ細線からなり、前記ナノ細線の一端が前記導電部材に電気的に接続され、他端が前記被覆層中に埋没されてなることを特徴とする。
本発明は、前記の超電導素子において、前記ナノ細線が、幹より多数の枝が分岐されてなる樹木状であることを特徴とし、前記の超電導素子において、前記超導電性材料がＭｇＢ_２であり、絶縁性材料がＭｇＯであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に、ＭＨｚ以上の高周波帯域において、高い表面導電率を実現する超電導層を備える高周波用超電導部材を提供する。
【解決手段】Ｒ面サファイア基板１２と、この基板１２の片面または両面に形成され、ＸＲＤを用いた（００２）ピークのロッキングカーブ測定において半値幅０．７以上１．１以下であるセリアのバッファ層１４と、このバッファ層１４上の超電導層１６とを有することを特徴とする高周波用超電導部材１０。 （もっと読む）

【課題】温度を一定に保持したまま超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体を用いた圧力検出装置を提供する。
【解決手段】圧力検出装置３０は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜１１〜１４のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜１２〜１４を電流計２４２，２５２，２６２によって検出し、その検出した超伝導体薄膜１２〜１４の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器１０内の圧力として検出する。 （もっと読む）

【課題】中心周波数と帯域幅を独立して制御可能な超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】高周波電気信号に対するフィルタ特性を有する超伝導フィルタ装置（１０）は、第１の主面と第２の主面を有する誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板の前記第１の主面に形成され、超伝導体材料を含む共振器パターン（１２）と、前記誘電体基板の前記第２の主面に形成され、開口（１４ａ）を有するグランド層（１４）と、前記第１の主面側で、前記共振器パターンから離間して配置され、前記フィルタ特性を調整する第１の調整部材（２０，２３）と、前記第２の主面側で、前記グランド層の開口位置に設けられ、前記フィルタ特性を調整する第２の調整部材（２５，２６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ多極間の伝播を高速切り替え可能なマイクロ波分岐スイッチ回路を提供する。
【解決手段】マイクロ波スイッチ回路の、３つあるいはそれ以上の入出力ポート１０１，１０２，１０３間に、個々のポートとキャパシタ１０８，１０９，１１０を介して結合した可変共振器１０５，１０６，１０７とを配置し、それぞれの共振器１０５，１０６，１０７がキャパシタ１０８，１０９，１１０を介して相互作用するように配置し、超伝導量子磁束干渉計１１６，１１７，１１８に制御電流線１２１を介して制御回路１２４，１２５，１２６からの制御電流によりインダクタンスを変化させて、共振周波数を変えてスイッチ動作する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの使用中に、中心周波数と帯域幅を独立して制御可能なチューナブルフィルタ装置を提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ装置（１）は、誘電体基板（１１）上に共振器パターン（１２）が形成されたフィルタ（１０）と、前記共振器パターンの上方に位置し、前記共振器パターンの伝送特性を調整する調整ロッド（２５）と、前記フィルタ及び前記調整ロッドを収容するとともに、貫通穴（３２Ａ）が設けられた容器（３２）と、前記調整ロッドを前記共振器パターンに対して垂直方向に移動させる位置調整手段（２０）と、を備え、前記調整ロッドと前記位置調整手段の間がワイヤ（２３）で接続され、前記ワイヤが前記貫通穴を通過する。 （もっと読む）

【課題】２Ｔ以上の超高磁場においても、磁束の拡散を抑えて、磁束を遠方まで維持可能とし、また、磁束を局部に集中可能とすることのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 少なくとも磁束発生源と、磁束発生源より発生される磁束が導入され誘導される内部空間を有する磁束誘導部材とを備え、磁束誘導部材は、超伝導体で構成されると共に、磁束の誘導方向に垂直な内部空間の断面積が前記磁束発生源から離れるに従って漸減する漸減部を有し、かつ、磁束の周りを周回する電流が生じない構成とされていて、磁束発生源により発生された磁束が磁束誘導部材に導入され、漸減部内を誘導されて、漸減部の内部空間断面積の最小部近傍で局所的に収束されることを特徴とする磁束集中化装置とする。 （もっと読む）

【課題】超伝導フィルタデバイスにおいて、伝送特性を劣化させることなく、超伝導フィルタデバイスの電極と金属パッケージの同軸コネクタの中心導体とを良好にはんだ接合できるようにする。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス１を、基板３上に形成された超伝導配線４と、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部に形成された電極６Ａと、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部近傍の表面及び側面が覆われるように形成された保護膜９とを備えるものとし、超伝導配線４を、インピーダンス整合を取るために保護膜９に覆われた部分に幅が異なる部分４Ｘを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで、周波数特性の調整が容易で、高い耐電力特性を有する超電導フィルタを提供する。
【解決手段】給電部を有する誘電体材料からなる誘電体基板２と、誘電体基板２内に配置されたバルク状の超電導体１と、誘電体材料からなる誘電体ロッド４と、超電導体１と誘電体ロッド４との間の相対的位置を変化させるロッド上下用トリマー５とを有する超電導フィルタである。 （もっと読む）

【課題】超伝導ディスク型共振器において、誘電率または磁化率が異方性の基板を用いた場合に共振カーブに発生するノッチを解消し、良好な共振特性を維持する。
【解決手段】超伝導ディスク共振器は、誘電率異方性の誘電体ベース基板（２１）と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成されるディスク型の共振器パターン（１２）と、前記誘電体ベース基板上で、前記ディスク型共振器パターンの近傍まで直線上に延びる一対の信号入出力ライン（１３）とを備え、前記信号入出力ラインに対する前記誘電体ベース基板の誘電率異方性の方向は、±９０°の向きにある。 （もっと読む）