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Fターム[5C001CC04]の内容

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Fターム[5C001CC04]に分類される特許

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【課題】観察試料又は欠陥部の帯電状態が最適になった時点で信号検出をできる荷電粒子顕微鏡装置及び荷電粒子ビーム制御方法を提供する。
【解決手段】観察試料100に対しての始めの帯電促進用の電子ビーム21の照射から次の試料観察用の電子ビーム21の照射までのを帯電待ち時間Tを、観察試料100又は観察試料100に発生する欠陥部112の状態に応じて設定し、この帯電待ち時間Tに基づいて観察試料100に対して帯電促進用の電子ビーム21の照射と試料観察用の電子ビーム21の照射とを行う。 (もっと読む)


【課題】試料保持用の膜により覆われた基板の開口部を、光学顕微鏡により効率良く探し出すことのできる試料保持体を提供する。
【解決手段】試料を保持するための膜10により覆われた開口部20を有する基板を備え、開口部20を覆っている膜の部分10aに保持された試料のSEM観察・検査ができるように構成された試料保持体において、該基板上には、開口部20の位置する方向を識別するためのパターン501,502が形成されている。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子線装置には、評価対象である試料の外周縁部の近傍において、等電位分布の対称性が乱れて荷電粒子線が偏向する不具合がある。
【解決手段】静電吸着式の試料保持機構の内部に設置される電極板を、同心円状に配置される内側の電極板と外側の電極板との2つで構成する。外側の電極板の外径は、試料の外径よりも大きい値に形成する。更に、外側の電極板と試料との重なり面積と、内側の電極板の面積とが概略等しい大きさになるように形成する。そして、内側の電極板には、基準電圧に対して正極性の任意の電圧を印加し、外側の電極板には基準電圧に対して負極性の任意の電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】本発明の基板検査装置は、基板の検査エリアの設定を簡単にし、且つ検査エリア設定の自由度を確保して効率良く基板の検査を実行することを目的とする。
【解決手段】半導体ウエハ80における「左エッジからの距離R」と「右エッジからの距離R」とを検査エリアとする設定がされた際、全体制御部は、この設定に基づいて検査室にロードされる半導体ウエハ80の検査エリアを演算し、この演算結果を補正制御回路に登録する。全体制御部は、演算結果を登録した補正制御回路を用いて検査エリアとしての半導体ウエハ80の左エッジからの距離Rにある領域(5)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(6)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82、及び半導体ウエハ80の右エッジからの距離Rにある領域(8)のチップ81の斜線で示すセル82と領域(7)のチップ81の距離R内の斜線で示すセル82の自動検査を制御する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜付き試料のアースとの導通状態を、単一のコンタクトピンを用いる場合でも、正確に判断可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】試料20の上側、数ミリメートルには表面電位計40を配置し、試料20の表面電位を計測する。試料20を表面電位計40に対して水平方向に移動させ、試料20の表面電位分布が計測される。試料20とコンタクトピン3とが非導通の場合、試料20の表面に観測される電位は、不均一な電位分布を有する。一方、試料20とコンタクトピン3とが導通していると、電位シフト値は著しく低減する。試料20の表面電位シフトを判断する事によって、試料20とコンタクトピン3との導通、非導通を正しく判定する事が可能となる。 (もっと読む)


【課題】
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に1nmから5nmのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。 (もっと読む)


【課題】試料ホルダの形状や搭載状態を、ステージマップ上に表示できる表面分析装置を提供する。
【解決手段】複数の試料ホルダを搭載可能な試料ステージ19、試料ステージ19を駆動するステージ駆動手段11、複数の試料ホルダにそれぞれ収納された試料に対して、逐次測定をする測定手段12を有する測定ユニット1と、ホルダベース、複数の試料ホルダの装着位置座標及び複数の試料ホルダの形状に関する表示情報を生成するマップ表示情報生成手段231、複数の試料ホルダの装着位置及び複数の試料ホルダの種類の情報を含む配置情報を生成するホルダ配置情報生成手段222、配置情報からホルダ配置図を生成するホルダ配置図生成手段223、ホルダ配置図をステージマップ図に合成するステージマップ表示手段226を有する演算処理装置22aと、ステージマップ図を表示する表示装置26とを備える。 (もっと読む)


【課題】安価で、使い易く、例えば教室のテーブル上に置くことのできる十分に小さな寸法とすることができる走査型電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】 小型の電子顕微鏡が、サンプルが存在する真空領域の一部を形成する壁を有する取外し可能なサンプルホルダを使用する。取外し可能なサンプルホルダを用いて真空を含むことによって、撮像の前に真空排気を必要とする空気の容積が著しく低減され、顕微鏡を迅速に真空排気することができる。好適な実施形態では、摺動真空シールが電子カラムの下にサンプルホルダを位置決めすることを可能にし、サンプルホルダは最初に真空バッファの下を通過されて、サンプルホルダ内の空気が除去される。 (もっと読む)


【課題】透過光検出用の撮像素子を真空室内部に別途設置することなく、簡易な構成の装置によって、一次線透過部を探し出すことのできる試料検査方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料保持体の一次線透過部に保持された試料21に対して、一次線透過部を介して一次線を照射し、これより試料21から発生して一次線透過部を通過した二次線を二次線検出手段3により検出して試料像の取得が可能であり、また、試料21に対して一次線透過部が位置する側とは反対の側から光(照射光)24を照射し、これによる反射光を検出して試料21の光学像の取得が可能である試料検査方法及び装置において、照射光24を試料21に照射したときに、試料21を介して一次線透過部を通過する通過光24aを二次線検出手段3によって検出することにより、試料21上への照射光24の照射領域と一次線透過部との位置合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能,高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 (もっと読む)


【課題】構成を複雑化することなくステージの移動時の振動を抑制することが可能なステージ装置を提供する。
【解決手段】ステージ装置は、ステージ機構とカウンタマス機構と制御装置とを有し、制御装置は、ステージ機構を制御するカウンタマス制御ユニットとカウンタマス機構を制御するカウンタマス制御ユニットを有する。カウンタマスの可動平面とステージの可動平面は、互いに平行であり、且つ、互いに隔てられて配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、荷電粒子ビームに対して試料面を傾斜させた場合において、最適な位置にて検出信号を検出することに関する。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子線装置において、試料の周囲における複数の所望位置に検出器を移動させ、検出器位置を最適化することに関する。本発明により、試料の姿勢や形状に応じた最適な検出信号を得ることができるため、高精度な試料観察、例えば、SEM観察,STEM観察、及びFIB観察が可能となる。また、FIB−SEM装置においては、FIB加工の終点検知を高精度に実施することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ステージ機構等の継続的な移動によって発生する熱に基づく座標誤差に依らず、測定対象を正確に特定する荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下にテンプレートマッチングによって、測定位置を特定する演算装置を備えた荷電粒子線装置において、測定点数の増加と、当該測定点数の増加に対するテンプレートマッチングによって特定される測定対象の理想的な測定位置と、実際の測定位置との位置ずれ量の変化の関係を記憶する記憶媒体を備え、前記演算装置は、前記関係に基づいて、次の測定点におけるずれ量を計算し、当該計算値が、所定の閾値を超えた場合に、当該計算値に基づいて前記ずれ量を補正した移動量を計算することを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料20を固定するための固定面62sを有する試料ホルダ62と、試料ホルダが設置されている試料台61と、集束イオンビームを試料に照射する集束イオンビーム照射機構120と、試料を挟持し、その軸方向Lが試料台の表面と所定の角度θをなす微小ピンセット50と、微小ピンセットを開閉させる開閉機構53と、微小ピンセットを軸方向の周りに回転させる回転機構54と、微小ピンセットの位置を移動させる移動機構55とを備えた集束イオンビーム装置100である。 (もっと読む)


【課題】 厚みや大きさの異なる複数の試料のそれぞれの形状に合わせて用意した複数の試料ホルダを、一つの試料ホルダベース上に同時に固定し、信頼性の高い試料の表面分析を可能にする試料ホルダベースを提供する。
【解決手段】 試料ホルダ1,2が、試料搭載空間をなす試料収納部11,16と、試料収納部11,16の底部に設けられたホルダ固定用凸部35,36とを有する試料ホルダ本体と、ホルダ固定用凸部35,36を収納する凹部を上部に有するスペーサ13,18、スペーサ13,18の上部においてホルダ固定用凸部35,36をスペーサ13,18に固定するホルダ固定手段(押しネジ)15,21、スペーサ13,18の下部においてスペーサ13,18をスペーサ取付用凹部m14,m24のいずれかに挿入して固定するスペーサ固定手段(固定ネジ)14,19を有するホルダ高さ調整治具とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体製造分野で用いられる電子顕微鏡装置の試料ステージで要求されるような高いレベルでの位置決め精度やドリフトの低減を可能とする。
【解決手段】制動装置は、ベースに装着されたブレーキレールと、テーブルに装着された1対の制動機構を有する。1対の制動機構はそれぞれブレーキレールに接触する作動部を有する。ブレーキレールの表面に作用する押圧力は、ブレーキレールの表面の法線に対して傾斜して作用する。押圧力を、ブレーキレールの表面に沿った方向の接線分力と法線方向の法線分力に分解することができる。この接線分力は、ブレーキレールに対してテーブルを互いに反対方向に駆動する推力として機能する。 (もっと読む)


【課題】FIB装置に組み込んだ微小マニピュレータ部をその場でエッチング加工することで、従来困難であった1μm以下の微小物のハンドリングの確実性を高めるとともに、マニピュレータの再利用により作業効率やメンテナンス性を向上する。
【解決手段】微小マニピュレータ部を位置および向きを変えることのできる移動機構で保持することにより、マニピュレーション作業前にマニピュレータ先端部をFIB加工するとともに、作業中のマニピュレータ先端の汚染や破損があった場合でも、加工により再度使用可能な形状に再生する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数の傾斜方向からのビーム走査が可能な荷電粒子線装置において、高分解能の維持と、ステージ構造の簡素化の両立を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料の2つの移動方向に対し、垂直な方向に荷電粒子線光軸を有する第1の荷電粒子光学系と、試料ステージの移動方向に対し、傾斜した方向に荷電粒子線光軸を有する第2の荷電粒子光学系と、試料を真空雰囲気内に保持する試料チャンバと、真空雰囲気内にて回転させると共に、第1の荷電粒子光学系光軸と平行な回転軸を持ち、試料を回転する回転機構と、回転機構と試料ステージとの間で、当該試料を搬送する搬送機構を備えた荷電粒子線装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ(深さ)測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第1の部分の高さと、第2の部分の高さの差違に関する情報と、前記第2の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第2の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第1の部分と第2の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ステージの移動条件に因らず、残留反力を低減するステージ装置、或いはガイド機構の直進性を高めることで、ガイド機構によって生じるステージドリフトを低減するステージ装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、残留反力を決定付けるステージの速度等に応じて、追い越し量を制御する試料ステージ装置を提案する。この構成によって、ステージの移動速度等によって変化する残留反力を低減することが可能になる。また、ガイド機構を押圧する押圧機構であって、ガイド機構を支持する支持部材に回転可能に固定され、当該回転によって、前記案内機構を押圧すると共に、前記回転の回転中心とは異なる中心位置を持つ円形の押圧部を有する試料ステージ装置を提案する。このような構成によれば、押圧機構のトルク管理によって、押圧力を制御できる。 (もっと読む)


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