【課題】対物レンズの上方に電子検出器が設置された電子線装置においても、反射電子の検出や、反射電子及び二次電子の検出を良好に行うことができる電子線装置を提供する。
【解決手段】電子線装置は、所定の加速電圧により加速された電子線２１を放出する電子線源１と、電子線源１から放出された電子線２１を集束して試料２０に照射するための対物レンズ６と、集束された電子線２１を試料２０上で走査するための走査コイル５と、対物レンズ５の上方に設置され、電子線２１が通過するための孔が形成された電子検出器７とを具備し、電子線２１の照射に応じて試料２０から発生した被検出電子２２を引き寄せるための電界を発生させる電極９が電子検出器７に設けられているとともに、該電界に起因して生じる電子線２１の偏向を補正するための補正用コイル４が電子検出器７の下方に設置されている。 （もっと読む）

【課題】検出信号から帯電むらの影響をリアルタイムで低減させることが可能な半導体検査装置の提供。
【解決手段】帯電むらなどによって生じる低周波信号を実信号から消失させるためには、検出信号の伝送径路に直列にコンデンサ１１４を追加する。プリアンプは、電磁リレー１１２、信号経路１１３及び信号パス１１５を介して電磁リレー１１６が接続されている。信号経路１１３は、互いに並列に接続された信号線からなり、各信号線は互いに静電容量値が異なるコンデンサ１１４が接続されている。電磁リレー１１６は、増幅器１１７、高域制限フィルタ１１８、増幅器１１９を介してＡＤ変換器に接続されている。また、ＡＤ変換器は、オフセット調整部１２０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は電子検出器に関し、任意のエネルギーをもつ信号電子を選択的に弁別し検出することを目的とする装置である。任意のエネルギーをもつ信号電子を弁別し選択することで、そのエネルギー特有の情報を反映した像を得ることができる。
【解決手段】
信号検出器として、信号電子の入射位置の特定できる検出器を用いる。荷電粒子線の照射位置ごとに、信号電子が信号検出器に入射する入射位置の分布を取得する。入射位置の分布は、信号電子のエネルギー分布に対応する。信号電子のエネルギー分布像を取得しているので、画像処理等により考慮すべき信号電子のエネルギーを任意に変えることができる。信号電子のエネルギー領域により得られる情報が異なることから、エネルギー領域を任意に選択することで、試料の様々な特性情報を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、荷電粒子線の照射位置安定性を精度よく評価する。
【解決手段】２次電子検出信号を入力フィルタで整形した後、パターンエッジの電圧の立ち上がりをシュミット・トリガ回路で捉えることにより、走査開始からエッジ検出までの時間変動を高感度に検出し、アンチ・エイリアシング・フィルタを通過させることによって、電子線の照射位置を計測し、安定性評価のための信号を取得する。 （もっと読む）

【課題】
走査電子顕微鏡において、実観察で得られる放出電子の検出値を高精度に推定する方法、実観察で得られるＳＥＭ像を高精度にシミュレーションする方法と模擬ＳＥＭ像が実際に得られるように電子光学系等が設定される装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡本体１内の電子光学系４の電磁場分布ＥＭを算出し、当該電磁場分布ＥＭにおける試料５からの第１放出電子５０及び第１放出電子の衝突によって電子光学系から放出される第２放出電子５２の検出値をモンテカルロ法によって算出する。試料５に対する電子線２の入射位置毎に検出値を求め、その検出値に応じたＳＥＭ像を作成する。該ＳＥＭ像の中から所望の像を選択し指定すると、電子光学系等がシミュレーションした条件に設定されてそのようなＳＥＭ像が実観察できる。 （もっと読む）

【課題】高圧環境中の試料を使用して動作する走査透過電子顕微鏡を提供すること。
【解決手段】好ましい検出器は、ガス増幅を効率的にするために散乱透過電子または非散乱透過電子を２次電子に変換することによって、ガス増幅を使用する。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料表面の磁化分布を分析可能な表面分析装置及び分析方法を提供する。
【解決手段】試料２から放出され、ターゲット３に衝突して散乱された２次電子を、複数の測定位置に配置された電子検出器４−１〜４−４により検出し、回転部５により、試料面に対して垂直方向を回転軸として各電子検出器４−１〜４−４を回転させて、次の測定位置に移動させて２次電子の検出処理を繰り返させ、演算処理部７が、それぞれの測定位置における、電子検出器４−１〜４−４の検出値の加算値をもとに、２次電子のスピン成分を算出する。 （もっと読む）

【課題】脆弱な試料にダメージを与えることなく、高分解能なＳＥＭ観察を可能とすること。
【解決手段】試料ホルダ１２の下面側の平面内であって、観察試料１０に照射される電子線の光軸に垂直な平面内に電位制御部１４を配置した。そして、試料ホルダ１２に固定させた試料支持部１１の電位制御部１４に対向する面で観察試料１０を支持させ、電子線の加速電圧を１次電子が試料支持部１１を実質的に透過せず且つ該試料支持部１１内で発生した２次電子が観察試料支持面に到達する値に設定し、電位制御部１４を試料ホルダ１２の電位（Ｖ_０）よりも高い電位（Ｖ_１：Ｖ_１＞Ｖ_０）とした条件で観察を実行する。このような条件でＳＥＭ観察を行なうと、電位制御部１４により、試料支持部１１の下面から出射された２次電子が電子線の光軸方向に引き寄せられるために２次電子のランダム放出が抑制され、得られるＩＳＥＣ画像の高分解能化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＴＥＭの投影システム（１０６）によりもたらされる歪を補正する方法に関する。
【解決手段】当業者が知っているように、特に、トモグラフィを用いて特徴の３Ｄ再構成を行うときに、歪は、ＴＥＭの分解能を制限する可能性がある。また、ＴＥＭにおいてストレイン解析を用いるとき、歪はストレインの検出を制限する可能性がある。このために、本発明は、多極子（１５２）を備えた検出器であって、多極子が、投影システムによりもたらされた歪が影響を弱められるように、ＴＥＭの画像を撓ませる。検出器は、電子を検出するＣＣＤ又は蛍光スクリーンを更に有することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を高効率に検出可能とする荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】
上記目的を達成するために、試料から放出される荷電粒子の軌道を集束する集束素子を、当該集束素子による集束作用が、試料に向かう荷電粒子線に影響を与えない（或いは影響を抑制可能な）位置に配置した荷電粒子線装置、及び荷電粒子線の照射方法を提案する。集束作用は、試料から放出された電子に選択的に影響し、試料に向かう荷電粒子線への影響を抑制されるため、試料から放出され、検出器等以外の方向に向かう荷電粒子を集束し、検出器等に導くことが可能となる。 （もっと読む）

電子検出装置は、電子銃から放出される電子ビームを通過させる光軸上に開口を有した１つのシンチレータ３１と、シンチレータと接合され、光軸に対称に配置された複数の同形のホトガイド２２と、各ホトガイド２２の光軸側と対向する側に接続され、ホトガイド２２を介して受光したシンチレータ３１により発光された光を電気信号に変換する光電子増倍管とを有する。各ホトガイド２２はシンチレータ３１を光軸対称に等分に分割するように接合され、各ホトガイド２２のシンチレータ３１と接合する部分の位置及び面積は各ホトガイド２２で同一である。複数のホトガイド２２による前記シンチレータ３１の分割数は、少なくとも２以上である。
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【課題】
リターディング電圧を変化させた場合でも、効率よく二次電子を検出することができる走査電子顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】
本発明では、電子源と、該電子源から発生した一次電子線を試料上に集束する対物レンズと、前記試料を搭載するステージと、一次電子線の照射により試料から発生した二次電子及び反射電子を検出する複数の検出器と、前記ステージに電圧を印加する電源と、を有する走査形電子顕微鏡において、当該電子顕微鏡は、少なくとも２つの変換電極、及び電界及び磁界を発生させる偏向器を備え、前記ステージに印加する負の電圧の大きさを大きくするとともに、前記偏向器が発生する電界の大きさを大きくし、前記試料から発生した二次電子が、試料側に近い第１の変換電極に設けられた穴を通過し、前記変換電極のうち、電子源側に近い第２の変換電極に衝突するように、前記電界の大きさを制御する走査電子顕微鏡を提供する。 （もっと読む）

サンプル（２６）を画像化する電子ビーム（３０）とともに使用される装置（１０）。装置は、サンプルに入射する電子ビームによって発生する電子顕微鏡信号（３２）を検出するように構成されたダウンコンバージョン検出器（１４）と、ダウンコンバージョン検出器に隣接し、電子顕微鏡信号を検出するように構成された直接衝撃検出器（１６）と、ダウンコンバージョン検出器および直接衝撃検出器を電子顕微鏡信号に選択的に暴露する機構（１８）とを有する。また、装置を使用する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は冷凍装置及び荷電粒子線装置に関し、磁気遮蔽，制振及び放熱に優れた冷凍装置及び荷電粒子線装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の冷凍装置は、冷媒ガスを圧縮する圧縮機４０ａと、圧縮機によって圧縮された冷媒ガスを膨張させて低温を得る膨張機と、圧縮機と膨張機の間に設けられ、圧縮機によって圧縮された冷媒ガスを冷却する放熱器４０ｂとを備えた冷凍機４０と、前記圧縮機４０ａを包囲するように取り付けられ、複数の空気流出入穴を設けた１重目シールド４１と、前記放熱器に空気を吹き付けるファン４４と、空気流入用スリット４６ａおよび空気流出用スリット４６ｂが設けられ、前記１重目シールド４１、前記放熱器及び前記ファンを包囲する２重目シールド４２と、前記圧縮機、前記１重目シールド又は２重目シールドに取り付けられた少なくとも１個のマスダンパー４３とを有して構成される。 （もっと読む）

イオン源、システムおよび方法が開示されている。幾つかの実施形態では、イオン源、システムおよび方法は不都合な振動を比較的わずかにしか示さず、および／または不都合な振動を十分に減衰することができる。これにより、性能を向上させることができる（例えば、確実性、安定性などを増大することができる）。幾つかの実施形態では、イオン源、システムおよび方法は、所望の物理的特性（例えば、先端部の頂部における原子数）を有する先端部を形成する能力を高めることができる。
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１つ又は複数のサンプルからの電子を検出するシステム及び方法を開示する。いくつかの実施形態では、本システム及び方法は、サンプル表面からの二次電子を偏向させるための１つ又は複数の磁場源を含む。
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【目的】本発明は、電子銃から放出された電子線ビームをレンズで細く絞って試料に照射しつつ走査し、そのときに試料から放出された２次電子を検出・増幅し、２次電子画像を表示する走査型電子顕微鏡に関し、光軸を機械的にずらすことなく負のバイアス電圧を印加した試料からの２次電子を効率良好に捕集して検出・増幅し、対物レンズの収差を小さくして高分解能の２次電子画像を生成することを目的とする。
【構成】静電型の第１の偏向器と、静電型の第２の偏向器と、電磁型の第３の偏向器と、細く絞られた電子線ビームが負のバイアス電圧の印加された試料面に照射されたときに、電磁型の第３の偏向器の方向に誘導され、電磁型の第３の偏向器で光軸から離れる方向に偏向された負のバイアス電圧に相当するエネルギーを有する２次電子を検出する、光軸の部分に電子線ビームが通過する開口部を有する２次電子検出器とを備える。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子線装置において、試料内を散乱して透過した暗視野信号粒子によって形成される暗視野信号像から回折コントラストおよびＺコントラストを識別し、各コントラストの取捨選択や回折コントラスト部に色をつけ回折コントラスト部を明示できるような像を取得する。
【解決手段】
上記課題を解決するために、複数に分割された暗視野検出器と、当該検出器に画像を記憶するメモリーを備え、分割された検出器から得られる複数枚の画像から特定方向に検出される回折コントラストと一様な方向に散乱されるＺコントラストを認識し、各コントラストの取捨選択や回折コントラスト部に色をつけ回折コントラスト部を明示できるような画像処理装置を備えた。 （もっと読む）

【課題】多価イオンを用いて、試料表面の分析を高精度で短時間に行うことができる表面分析装置を提供する。
【解決手段】表面分析装置１は、試料５を搭載する試料台６と、試料台６に搭載した試料５に価数が１５以上の多価イオンビーム４を照射する多価イオン発生源３と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次イオン７を検出する質量分析部８と、試料５に多価イオンビーム４を照射することにより生じる二次電子９を検出する二次電子検出部１０と、二次電子検出部１０からの二次電子検出信号を受け分析開始信号を生成し質量分析部へ送信する質量分析制御部１２を、備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】ＨＰＳＥＭにおいて二次電子信号増幅を改善する。
【解決手段】ガス増幅マルチ・ステージを備えた荷電粒子ビーム・システム用の新規な検出器。上記ステージは一般に、サンプルまたは前ステージに関連して電圧が印加される導体によって画定される。二次電子のカスケードをマルチ・ステージにおいて創出することによって、ガスの絶縁破壊を引き起こすことなく利得を増大可能である。 （もっと読む）