【課題】入射加速粒子および高エネルギ放射線に耐えることのできるモノリシックセンサを提供する。
【解決手段】加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

【解決手段】１つの実施形態は、荷電粒子エネルギー分析器装置に関する。第１のメッシュは、第１の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列され、第１の電極は、第１のキャビティが第１のメッシュの第２の側部と第１の電極との間に形成される。第２のメッシュは、第２の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第１の側部に受け渡すように配列され、第２の電極は、第２のメッシュの第１の側部と第２の電極との間に第２のキャビティが形成される。最後に、第３のメッシュは、第１の側部上で荷電粒子を受け取り、荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列され、位置検知荷電粒子検出器は、荷電粒子が第３のメッシュを通過した後に、荷電粒子を受け取るように配列される。 （もっと読む）

本発明は、(ａ)支持構造体(１０８)の第１の面上に配置されている第１の材料層(１１０)であって、この第１の材料層はこれに入射荷電粒子(１０４)が当るのに応答して二次電子を発生するように構成されているとともに、開口(１１２)を有しており、この開口は入射荷電粒子の一部がこの開口を通過するように構成されている当該第１の材料層と、(ｂ)支持構造体の第２の面上に前記第１の材料層から例えば、０．５cm以上の距離だけ離間されて配置されている第２の材料層であって、この第２の材料層は、荷電粒子が前記開口を通過してこの第２の材料層に当るのに応答して二次電子を発生するように構成されている当該第２の材料層とを具える装置、システム及び方法を提供するものであり、装置は荷電粒子検出器とする。
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高エネルギー粒子検出器を有するデバイスを動作させる方法が開示され、粒子は、最初の入射横断イベント、デバイスから出て後方散乱し、近くの機械構造に当たり、デバイス内に戻るように散乱する、粒子によって生じる出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントを生成する。例示的な方法ステップは、別個のイベントがオーバラップしないことを保証するレベルに照射率を制限し、各イベントの総合エネルギーに基づいて、イベントとバックグラウンドおよび他のイベントとを弁別することによって、電子経路形状に基づいて、後方散乱イベントと入射横断イベントとを弁別することによって、または、最初のイベントおよび第２のイベントが互いに一致すると判定し、電子経路形状およびエネルギーレベルに基づいて入射イベントを後方散乱イベントから分離することによって、最初の入射横断イベントと、出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントとを弁別することを含む。
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【課題】 検出器の数を減らして、空間を解放し、製造費用を削減する。
【解決手段】 試料１１０を照射する荷電粒子ビームカラム１０２の動作により生成された荷電粒子を選択的に検出するための荷電粒子検出システム１００である。近接グリッド１３０は、選択的に電気的にバイアス可能であって、荷電粒子から二次荷電粒子が選択されたときにその選択された二次荷電粒子を引き付けるように強いる一方で、選択されない二次荷電粒子を撥ね返すように、荷電粒子を制御可能に方向付けする。遠方グリッド１３２は、近接グリッド１３０から間隔をあけられ、空隙によって隔てられており、選択的に電気的にバイアス可能であり、荷電粒子から二次荷電粒子及び／又は三次荷電粒子が選択されたときにその選択された粒子を引き付ける一方、選択されない三次荷電粒子を撥ね返す。荷電粒子検出器１２４は、選択された二次荷電粒子及び三次荷電粒子をその衝突により検出する。 （もっと読む）

【課題】従来より短時間でビームドリフトを検出することのできるドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】検出器３２は、下地とは反射率の異なる材質からなる基準マークに電子ビーム５４が照射されて発生した反射電子を電流値として検出する。検出器３２からの信号は検出部３３で増幅され、Ａ／Ｄ変換部３４でデジタル変換される。次いで、制御計算機１９で平均化処理された後、描画データ補正部３１で行われるドリフト補正に用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は環状明視野像観察装置に関し、暗視野像との併用により軽元素と重元素の原子位置を正確に測定可能な環状明視野像観察装置を提供することを目的としている。
【解決手段】照射光学系と結像光学系を有し、試料を透過した透過電子或いは散乱電子を検出して表示部に表示するようにした走査透過型電子顕微鏡において、透過電子と散乱電子を受けて光信号に変換する円盤状シンチレータ６を設け、かつ該円盤状シンチレータ６の中心部を遮蔽するための遮蔽手段１３を設け、この状態で前記円盤状シンチレータ６で環状明視野像を検出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】 試料に電子線を照射して線分析を行なうとき、同じ線分上で任意の間隔と任意の点数で分析点を簡易に設定する方法を提供する。
【解決手段】 マウス等のポインティングデバイスを用いてＨＡＡＤＦ像上の線分析位置を指定する。たとえば結晶粒界に直角となるように線分析の始点Ｐ１と終点Ｐ６を指定し、キーボード等により分析点数６を指定する。例えばＸ線検出器１３により粒界に直角な線分上に注目元素のＸ線強度を測定し分析結果をグラフに表す。Ｘ線強度の高い注目点を中心とした線上に、はじめに設定した間隔よりさらに細かく分割する分析点Ｓ１からＳ６を自動的に指定する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の状態が変化した場合、高精度かつ高速に光軸調整を可能とする荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料に荷電粒子線を照射し、該試料から発生する二次信号から画像を生成する荷電粒子線装置として、荷電粒子線を試料へ集束させる電磁界重畳レンズと、荷電粒子線を試料に対して減速させるリターディング電極と、記試料から発生する二次信号を検出器へ引上げるブースティング電極と、荷電粒子線の光軸調整を、リターディング電極に印加する電圧の可変制御による調整とブースティング電極に印加する電圧の可変制御による調整のいずれかを選択的に実行するコンピュータとを搭載するものを提供する。 （もっと読む）

【課題】対物レンズの上方に電子検出器が配置された構成からなる電子線装置において、被検出電子をそのエネルギー帯ごとに分けて検出できる電子線装置を提供する。
【解決手段】所定の加速電圧により加速された電子線を放出する電子線源１と、電子線源１から放出された電子線を集束して試料１１に照射するための対物レンズ９と、集束された電子線を試料上で走査するための走査コイル８と、電子線の走査に応じて試料から発生し、対物レンズを通過した被検出電子を検出するための電子検出手段４１とを具備した電子線装置であって、電子検出手段４１は、電子線の軌道に沿って配列され、それぞれ異なる電圧が印加される複数のメッシュ電極３〜７と、相対向するメッシュ電極の各間隙から抽出される被検出電子３３〜３７を該間隙ごとに検出する電子検出器２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は透過型電子顕微鏡に関し、更に詳しくは光伝導媒体に光ファイバを用いて光検出器の形状を任意の形状に加工できるようにした透過型電子顕微鏡に関する。
【解決手段】試料５０を透過した透過電子から高角度散乱像や暗視野像を得るようにした透過型電子顕微鏡において、試料５０を透過した透過電子信号を光信号に変換するシンチレータ１と、該シンチレータの光信号出力を光検出器３０に接続する光ファイバ２０とを具備し、該光ファイバ２０の光検出器３０との接続部分を任意の形状に加工するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子ビームに対して試料面を傾斜させた場合において、最適な位置にて検出信号を検出することに関する。
【解決手段】本発明は、荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子線装置において、試料の周囲における複数の所望位置に検出器を移動させ、検出器位置を最適化することに関する。本発明により、試料の姿勢や形状に応じた最適な検出信号を得ることができるため、高精度な試料観察、例えば、ＳＥＭ観察，ＳＴＥＭ観察、及びＦＩＢ観察が可能となる。また、ＦＩＢ−ＳＥＭ装置においては、ＦＩＢ加工の終点検知を高精度に実施することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 光軸上に沿って放出された荷電粒子も検出出来る様にする。
【解決手段】 電子銃からの一次電子ビーム１を加速する加速管電極３０、一次電子ビームを試料３上に集束させる磁界レンズ２、一次電子ビームを減速する減速電極６、一次電子ビームで試料３上を走査させる走査コイル４、試料３から発生する二次電子を検出する検出系、及び、検出された二次電子に基づいて試料３の二次電子像を表示する表示装置１３を備え、電子銃と加速管電極３０との間に、負電圧が印加されるドーナツ形状の反射電極３４を，加速管電極３０の管内に試料３からの二次電子を反射電極３４の手前の管内光軸上に集束させるアインツェルレンズ３２をそれぞれ配置し、検出系を、電子銃からの一次電子ビームを通過させる開口を有し、試料３からの二次電子を検出する第１検出器と、電子銃からの一次電子ビームを通過させる開口を有し、反射電極３４によって試料方向に追い返された二電子を検出する第２検出器とから成る。 （もっと読む）

【課題】一次粒子ビームを生成するための粒子ビーム源、電子検出器およびＸ線検出器を有する粒子ビームシステムにおいて、Ｘ線検出器を含む従来の電子顕微鏡におけるＸ線の検出効率が低すぎるという欠点を改善する。
【解決手段】粒子ビームシステムは、一次粒子ビームを生成するように構成した粒子ビーム源と、一次粒子ビームを物体平面に集束するように構成した対物レンズと、粒子検出器と、対物レンズと物体平面との間に配置したＸ線検出器とを備える。Ｘ線検出器は、物体平面に向いた検出面をそれぞれ有する第１および第２の半導体検出器と、物体平面と第１半導体検出器の検出面との間に配置した第１薄膜と、物体平面と第２半導体検出器の検出面との間に配置した第２薄膜とを備え、第１薄膜の電子透過率は第２薄膜の電子透過率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】対物レンズと試料の接触を防止できる走査電子顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡は、電子銃１から発生した電子ビーム２を対物レンズ４により試料台７の上に載置された試料５に照射して試料からの電子を検出する。複数の検出器１２Ａ，１２Ｂは、対物レンズ４の近傍に配置されている。演算制御手段２０は、複数の検出器１２Ａ，１２Ｂからそれぞれ検出された信号に基づく複数の画像データを用いて、対物レンズ４から試料台７に載置された試料５までの距離を算出する。複数の検出器１２Ａ，１２Ｂは、それぞれの検出器の中心から前記電子ビームの中心軸までの距離が等しくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】高精度の電子線画像を検出すると同時に、その際問題となる低サンプリングレートに対するＡＤ変換素子の制約を排除した走査電子顕微鏡を用いた検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】二次電子検出器によって生成されたアナログ輝度信号を所定のサンプリングレートにてサンプリングしサンプリング信号を得る。このサンプリング信号に含まれる連続するＮ個のデジタル値毎に、該Ｎ個のデジタル値を次加算し、サンプリング周波数の１／Ｎの周波数のデジタル輝度信号を生成する。次に、このデジタル輝度信号のデジタル値の各々をＮで割り算して、サンプリング信号のビット数と同一のビット数のデジタル値からなるデジタル信号を生成する。このデジタル信号の各デジタル値を１画素とする画像信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】走査電子像と光学像との同時観察が可能であり、更に走査電子像観察と走査電子像観察以外の観察、作業とを同時に行える様にし、而も構造も簡単な電子顕微鏡装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを走査する走査手段１０と、電子ビームが走査された試料８から発せられる電子１１を検出する電子検出器１２を有し、該電子検出器からの検出結果に基づき走査電子像を得る走査型電子顕微鏡２と、試料に照明光を照射して該試料からの反射光を受光して光学像を得る光学顕微鏡３とを具備し、前記電子検出器は電子／光変換する蛍光体層と、該蛍光体層からの蛍光の波長帯域の全て或は略全てが透過する様に制限した波長フィルタと、該波長フィルタを透過した前記蛍光を受光し、光／電気変換する波長検出素子を有し、前記照明光は前記波長フィルタの透過波長帯域から外れた波長を有する様に設定された。 （もっと読む）

【課題】本願発明の目的は、電子が持つスピンを高効率で分解でき、100kVレベルに電子線を加速する必要がない小型で安価に製作できる電子スピン検出器を提供することである。
【解決手段】電子スピン検出器は、複数の磁気抵抗素子504と、電子線の減速レンズ505を備え、各磁気抵抗素子504は減速レンズ505によって広がった電子線が垂直入射できるよう傾斜させて配置させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】対物レンズの上方に電子検出器が設置された電子線装置においても、反射電子の検出や、反射電子及び二次電子の検出を良好に行うことができる電子線装置を提供する。
【解決手段】電子線装置は、所定の加速電圧により加速された電子線２１を放出する電子線源１と、電子線源１から放出された電子線２１を集束して試料２０に照射するための対物レンズ６と、集束された電子線２１を試料２０上で走査するための走査コイル５と、対物レンズ５の上方に設置され、電子線２１が通過するための孔が形成された電子検出器７とを具備し、電子線２１の照射に応じて試料２０から発生した被検出電子２２を引き寄せるための電界を発生させる電極９が電子検出器７に設けられているとともに、該電界に起因して生じる電子線２１の偏向を補正するための補正用コイル４が電子検出器７の下方に設置されている。 （もっと読む）