【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークＷ１、Ｗ２がそれぞれ搭載される第１、第２ワークホルダ３１ａ、３２ａと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域ＡＲ１との間で進退移動させる進退機構３３と、互いに異なる位置に設けられた第１及び第２ワーク収容部２１ａ、２２ａと、第１のワーク授受領域にある第１ワークホルダ３１ａと第１ワーク収容部２１ａとの間でワークＷ１を搬送する第１搬送アームと、第２のワーク授受領域にある第２ワークホルダ３２ａと第２ワーク収容部２２ａとの間でワークを搬送する第２搬送アームとを設けた。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】
安価かつ簡素な装置構成にて、イオン源より発生するパーティクルの基板への混入が防止できるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】
本発明のイオン注入装置ＩＭは、イオンビーム引出し口１４を介して重力方向Ｇと交差する方向にイオンビーム２を引き出すイオン源１と、基板４が搭載される搬送トレイ７と、少なくとも１つの開口部６を有し、搬送トレイ７に取り付けられたマスク５と、搬送トレイ７をイオンビーム２と交差する方向に移動させることで、マスク５に形成された開口部６を通して基板の所定領域にイオンビーム２を照射させる駆動機構とを備えている。そして、重力方向Ｇに沿ってイオンビーム引出し口１４を見たときに、イオンビーム引出し口１４の下面を覆うとともに、基板４へのイオンビーム２の照射を妨げない防塵板１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時のシリコンウエハ等の板状試料におけるダメージを抑制することができ、板状試料の非晶質化をダメージ無く均一に進行させることができ、裏面を大気中に曝露した場合においても結露が生じる虞が無い静電チャック装置を提供する。
【解決手段】表面を板状試料Ｗを載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵した静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に温度調整用基材４を設け、この温度調整用基材４の静電チャック部２側に凹部３１を形成し、この凹部３１に冷却媒体を流動させる溝３２を形成した。 （もっと読む）

【課題】真空槽内での位置を移動できる基板縦方向揺動装置と、真空槽内で基板を縦方向及び横方向に往復移動できる基板ステージ装置及びイオン注入装置を提供する。
【解決手段】
基板縦方向揺動装置は真空槽１１内に配置され、回転軸３７を中心に上下に回動する腕部３３ａ、３３ｂと、本体３１に鉛直に固定された縦レール３２ａ、３２ｂと、縦レール３２ａ、３２ｂに沿って上下に移動する縦方向移動部材３４ａ、３４ｂと、腕部３３ａ、３３ｂの回動動作の鉛直方向の成分を抽出し、縦方向移動部材３４ａ、３４ｂを抽出した移動量移動させる縦方向抽出部材とを有し、基板保持台２１は一方の縦方向移動部材３４ａに設けられ、他方の縦方向移動部材３４ｂには重り２５が設けられる。基板ステージ装置３０は、基板縦方向揺動装置と、基板縦方向揺動装置を真空槽１１内で左右に移動させる基板横方向揺動装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】極低温でウエハを冷却する場合であっても、ホルダ駆動機構の動きに支障を来たすことなく、所望するイオン注入を達成することのできるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置は、ウエハ２を保持するホルダ３と、少なくともツイスト角調整機構とティルト角調整機構を有するホルダ駆動機構とを備えている。さらに、ツイスト角調整機構の駆動源を成し、回転子がホルダに取り付けられたツイストモータと、ツイストモータの固定子が取り付けられた筐体２０と、ホルダ３と対向する筐体２０の場所に配置された冷却フランジ５と、冷媒が蓄積された冷媒タンク８と、一端が冷却フランジ５に接続され、他端が冷媒タンク８に接続された冷媒供給用のチューブ７とを有している。そして、このチューブ７はホルダ駆動機構の外側領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時にクロスコンタミネーションを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】複数種類のイオンを照射可能なイオン照射手段と、半導体ウエハが設置される複数のステージと、各ステージをイオン照射手段に対して相対移動させる移動手段と、ステージ上に半導体ウエハを設置する搬送手段と、制御手段と、イオンの種類を制御手段に入力する入力手段を備えるイオン注入装置。制御手段は、入力手段からイオンの種類の入力を受ける入力ステップと、移動手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージをイオン照射手段の照射位置に移動させる移動ステップと、搬送手段によって、入力されたイオンの種類に対応するステージ上に、半導体ウエハを設置する設置ステップと、設置ステップ後に、イオン照射手段によって、入力された種類のイオンを照射する照射ステップを実行する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。
【解決手段】ウエハＷが載置されるウエハホルダ２と、ウエハホルダ２が接続され、ウエハホルダ２を照射領域Ｐを横切るように移動させる多段直列に設けられた複数のスライド機構３１、３２と、スライド機構３１、３２をＸ方向に沿った回転軸Ｌ周りに回転させて、ウエハホルダ２に載置されたウエハＷに対するイオンビームＩＢの照射角度αを調整する回転機構４とを具備する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、ワークピースに注入されるイオンを含むプラズマをプラズマチャンバ内に発生させるように構成されたプラズマ源を備える。本装置は、開孔構成を有する集束プレートも含み、該開孔構成は、該集束プレート近傍のプラズマのプラズマシースの形状を変更するように構成されている。本装置はさらに、ワークピースにおける集束イオンの静止時注入領域が開孔よりも実質的に狭くなるように集束プレートから離間されたワークピースを収容するプロセスチャンバも備える。本装置は、イオン注入中にワークピースを走査することによりワークピース内に複数のパターン化エリアを形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ方向の寸法よりもＹ方向の寸法が大きいイオンビームに対して低エネルギーの電子を広範囲に供給することができ、それによって基板の帯電を均一性良く抑制することができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム２のＸ方向側の側面に対向する位置に設けられた電極２０ａを備えている。電極２０ａ内には、Ｙ方向に長い環状の永久磁石２４と、その内側に配置されていてＹ方向に長く永久磁石２４とは反対極性の永久磁石２６とが設けられている。この装置は更に、両永久磁石２４、２６間に形成されるトンネル状磁界の領域に電子５０を供給する電子源３０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】注入対象を保持することに伴ってパーティクルが発生するのを抑制する。
【解決手段】ウエハ２４を保持するウエハホルダ２０をウエハホルダベース３６、ウエハ固定部３８、ホルダピン４０、４２、ベアリング、ハウジング、コイルばねで構成し、ウエハ固定部３８をウエハホルダベース３６の外周側に固定し、ホルダピン４０、４２をウエハ固定部３８に相対向して配置し、ホルダピン４０をベアリングで回転自在に支持するとともにハウジング、コイルばねによってホルダピン４０、４２をウエハホルダベース３６の径方向に沿って移動自在に支持し、ウエハ２４の側面をホルダピン４０、４２によって保持する過程で、ウエハ２４からの力がホルダピン４０、４２に作用したときにＺ軸を中心としてホルダピン４０、４２を回転させて、ホルダピン４０とウエハ２４との間に作用する摩擦力を軽減する。 （もっと読む）

本発明で開示の流体送達機構は、単軸移動で用いるための解決法を提供し、広範囲の温度に渡る一つ以上の流体流路を真空環境へ接続することを可能にする。当該機構は、特に非常に低い温度で疲労する傾向がある、フレキシブルな管は使用しない。一実施形態では、管は、流体の送達を可能にするために、シールされたピストン内を軸方向に移動する。第二の特定の実施形態では、要求される機能を提供するために、ベローズが用いられる。他の実施形態では、適切に構成される２つ以上の機構を利用することによって、２軸又は３軸の移動軸での移動を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】ビームの照射によってウェーハと保持ピンとの間に温度差が生じるのを防ぐことのできるウェーハ保持具について、提供する。
【解決手段】イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備える。 （もっと読む）

プラテンの温度を変える技術を開示する。一つの特別な例示的実施形態では、この技術は、プラテンと、当該プラテンの温度に影響を及ぼすように構成された、熱流体を運ぶための熱流体チャネルを1つ以上有する1つ以上の可動な熱パッドとを備える、プラテンの温度を変える装置として実現することができる。
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【課題】イオン注入装置及び半導体装置の製造方法において、ウエハ保持部からの半導体ウエハの浮きをイオン注入時にリアルタイムに検出すること。
【解決手段】ウエハWにイオンを注入するイオン注入装置１００において、ウエハWを保持するウエハ保持部１３０に設けられた電流を保持するスリット（電流保持部）１２０ａと、スリット１２０ａの電流を検出する電流検出部１３３とを設けたイオン注入装置による。 （もっと読む）

【解決手段】 イオン注入装置を開示する。当該イオン注入装置は、酸素イオン、窒素イオン、ヘリウムイオン、または水素イオンを生成して、ドーズが特定の範囲であるイオンビームを形成するイオンビーム源と、イオンビームから所望されない種を除去する分析マグネットとを備える。当該イオン注入装置は、裏面ガスによる熱結合を有する静電チャックを備える。当該静電チャックは、イオンビームによってシリコン・オン・インシュレータ用のイオン注入を行うべく１つの処理対象物を保持して、約摂氏３００度から摂氏６００度の範囲内の温度まで処理対象物を冷却する。 （もっと読む）

低温イオン注入のための技術を開示する。一つの模範的な特定の実施形態においては、この技術は低温イオン注入のための装置として実現することができる。この装置は、イオン注入中にウェハを支持するとともに少なくとも１次元内のウェハの運動を容易にするウェハ支持機構を備えることができる。この装置は、ウェハ支持機構に結合された冷却機構も備えることができる。この冷却機構は、冷却ユニット、少なくとも１つの冷却媒体を冷却ユニットからウェハ支持機構へ循環するための剛性パイプの閉ループ、および、少なくとも1次元内のウェハの運動を許容するように前記剛性パイプを結合するための１つ以上の回転ベアリングを備えることができる。
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基板のイオン注入用のメカニカルスキャナであって、該メカニカルスキャナは、該基板を保持するための可動プラットフォームを具備する六脚を備えており、該六脚は、所定の経路に沿ってイオンビームに対して該可動プラットフォームが横断されるようにする６つの自由度を有するように配列されている。 （もっと読む）

本発明は、注入を行うべき半導体ウエハ又は他の基板の多方向機械的走査のための走査アームアセンブリに係る。本発明は、四辺形を形成するように２つのリンクアームにより接続された１対の駆動アームを備える走査アームアセンブリを提供する。隣接アームを一緒に接合するため回転接合部が設けられ、一方のリンクアームに、それが他方のリンクアームと接合するところで、基板ホルダーが設けられる。従って、それら駆動アームを回転することにより、基板ホルダーが移動させられる。それら駆動アームを適当に制御することにより、基板ホルダーがイオンビームを通して移動させられ、多くの異なるパス、ひいては、注入パターンを辿るようにすることができる。 （もっと読む）