本発明の１つ以上の構成は、イオンビームと加工物との相対的方位を決定する測定コンポーネントに関する。この測定コンポーネントは、イオン放射に敏感でかつ測定コンポーネントとイオンビームとの相対的方位を可能にし、イオンビームに対して測定コンポーネントを移動させて正確に測定する。測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、加工物とイオンビームとの相対的方位が確定される。イオンビームと加工物との相対的方位を知ることにより、加工物が、測定されたビーム角度に対する特定の角度に方向付けられ、加工物のより正確なドーピングにより半導体の製造を向上させる。
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【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設け主面にイオンを注入すべき基板１０を搭載した円板と、この円板を主面に平行な方向に移動させる移動手段と、円板に取り付けてある基板１０にイオンを注入するイオンビーム発生部２とを備えたイオン注入装置１であって、イオンビーム発生部２から出射するイオンビームが基板１０に到達するまでの間の進行路上に設置し、イオンビーム径の形状を少なくとも一方向に拡大させるビーム成形手段５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームが基板に入射する発散角度を測定すると共に設定値内に制御し、イオンの注入精度を向上させるとともに、均一なイオン注入を可能にしたステンシルマスクイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ステンシルマスクイオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、基板に入射するイオンビームの発散角度を測定する測定装置とを備え、先ず、イオンビームの発散角度を測定する測定装置により、基板に入射するイオンビームの発散角度を測定し、次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御するように構成した。
このとき、イオンビームの発散角度を測定する測定装置は、ビーム分割スリットと可動式ファラデーカップを具備している構成とするとよい。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム角度処理制御技術を開示する。
【解決手段】 一実施形態例によれば、当該技術は、イオン注入システムにおけるイオンビーム角度処理制御の方法として実現されるとしてもよい。当該方法は、基板表面に対して１以上のイオンビームを向けることを含むとしてもよい。当該方法はさらに、１以上のイオンビームが基板表面に衝突する場合の複数の入射角度から成る平均広がりを決定することを含むとしてもよい。当該方法はさらに、複数のイオンビーム入射角度から成る所望の広がりを実現するべく、複数の入射角度から成る平均広がりに少なくとも部分的に基づいて、１以上のイオンビームを調整することを含むとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの照射方向に対して傾斜した状態で基板を走査した場合であっても、イオンビームの濃度が基板の表面内において不均一となることを抑制する。
【解決手段】 一点で互いに直交する三つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸とする。照射角度設定用モータ１４ａは、ホルダ４を支持していて、このホルダ４を、Ｘ軸に平行な中心軸６０を中心に回転させることによって、イオンビーム５８の照射角度θを設定する。Ｙ軸用リニアモータ２０は、ホルダ４および照射角度設定用モータ１４ａを、Ｙ軸方向に昇降させる。Ｚ軸用リニアモータ３０は、ホルダ４、照射角度設定用モータ１４ａおよびＹ軸用リニアモータ２０を、Ｚ軸方向に移動させる。制御装置４０は、Ｙ軸用リニアモータ２０およびＺ軸用リニアモータ３０を、基板保持面６に平行であってかつＸ軸に直交するＳ軸に沿ってホルダ４の基板保持面６が直線的に往復走査するように同期動作制御する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの照射方向に対して傾斜した状態で基板を走査した場合であっても、イオンビームの濃度が基板の表面内において不均一となることを抑制する。
【解決手段】 一点で互いに直交する三つの軸をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸とする。走査装置１４は、それに支持しているホルダ１０を、その基板保持面１２に平行な方向であってかつＸ軸に直交するＳ方向に沿って直線的に往復走査する。照射角度制御モータ８６は、それに支持している走査装置１４及び走査装置１４に支持されたホルダ１０を、Ｘ軸に平行な回転軸８８を中心に回転させることによって、基板保持面１２に対するイオンビーム１２０の照射角度θを変更する。昇降装置９２は、それに支持している照射角度制御モータ８６、このモータ８６に支持された走査装置１４及び当該走査装置１４に支持されたホルダ１０を、Ｙ軸に沿う方向に昇降させる。 （もっと読む）

本発明のイオンビーム均一性検出器は、平行な平面上に配置されかつ選択された距離によって分離された、多数の水平ロッドと多数の垂直ロッドと含む。クロスオーバー測定点は、水平ロッド及び垂直ロッドの交点によって形成される。垂直ロッドに選択的にかつ順次パルスを加えると同時に水平ロッドにバイアスを加えることによって、クロスオーバー測定点に対する測定値を得ることができる。この測定値は、クロスオーバー測定点でのイオンビームの形状及びビーム強度を決定するのに用いられる。これらの測定値に基づいて、続くイオン注入処理の調整を行うことができ、その結果、所望のビーム形状を与えるとともに、ビーム強度に関する均一性を高める。さらに、種々のクロスオーバー点での二次元の入射角度を示す測定値を得るために、複数対の垂直ロッド及び水平ロッドを用いることができる。
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【課題】高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置には、固定平面イオンビームのソースと、第１操作パラメータ値により決定される通常ビーム軌道に沿ってイオンビームを操縦するビームラインコンポーネントの組と、通常ビーム軌道をウェハに横切らせてウェハを機械的に走査するエンドステーションと、注入通行の過程におけるグリッチに反応して、（１）ビームラインコンポーネントの少なくとも１つについての走査パラメータを直ちに第２値へと変更してイオンビームを通常ビーム軌道から逸らせ、それによりウェハの注入遷移位置において注入を停止し、（２）次に、ウェハ上の注入遷移位置がイオンビームの通常軌道に直接的に乗る注入再開位置へとウェハを移動させ、（３）操作パラメータをその第１値へと戻して、イオンビームを通常ビーム軌道に沿って配向させ、ウェハの注入遷移位置においてイオン注入を再開する制御回路が含まれる。操作パラメータは、引き出し電源の出力電圧、又はその他のイオンビームの軌道に影響を与えるビームラインコンポーネントの電圧、及び／又は、電流であってよい。 （もっと読む）

【課題】 直線運動を処理室内に導入しなくても、ホルダをイオンビームの走査方向と交差する方向に往復直線駆動することができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、アーム５２、６４を伸縮させてホルダ１０を往復直線駆動する伸縮駆動機構１２４ａと、当該機構１２４ａを旋回中心軸８６を中心にして往復旋回させる旋回駆動機構１２６とを備えている。更に、旋回角度θ、基準伸縮長さＬ、伸縮長さＬ_A に関して、Ｌ_A ｃｏｓθ＝Ｌなる関係を満たすように伸縮駆動機構１２４ａおよび旋回駆動機構１２６を制御する制御装置を備えている。 （もっと読む）

【課題】 低エネルギーのイオンビームでも多量にかつ平行性良く取り出すと共に、クリーンなイオン照射とイオンビームの厳重なモニタとを両立させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置は、イオン源２０から引き出され質量分離電磁石３２を通したイオンビーム３０を、Ｘ方向において二方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをＸ方向に走査する機能を有するビーム走査器８２と、それから導出されたイオンビームを曲げ戻して平行ビーム化するビーム平行化器８６、８８と、ビーム平行化器８６から導出されたイオンビーム３０が導入され被照射物２にイオンビームを照射して処理を行う処理室９０と、被照射物２をＹ方向に機械的に駆動する駆動機構９４と、ビーム平行化器８８から導出されたイオンビーム３０が導入されビーム計測器９６を用いてビーム計測のみを行う計測室９２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２０から引き出され質量分離器３２を通したイオンビーム３０を、Ｘ方向において二つの偏向方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをＸ方向に走査する機能を有するビーム走査器８２と、それから導出されたイオンビームをそれぞれ曲げ戻して平行ビーム化する二つのビーム平行化器８６、８８と、ビーム平行化器８６から導出されたイオンビーム３０が導入され、被照射物２にイオンビームを照射してイオン注入等の処理を行う処理室９０と、被照射物２をＹ方向に機械的に駆動する駆動機構９４と、ビーム平行化器８８から導出されたイオンビーム３０が導入され、ビーム計測器９６を用いてイオンビームの計測のみを行う計測室９２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 真空度を悪化させないようにイオン注入することで、イオン注入処理中断や誤差の伴うドーズ量補正をすることのないイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置１００は、イオンビーム発生機構１０５、スキャナ部１０６、イオン注入室１０７を有する。真空ポンプ１０８は、イオン注入室１０６をはじめとしてイオン注入装置１００全体を真空引きする。ワークステーション１１１は真空計１０９に対し、イオンの中性化が起こらない所定の値を規定している。イオン注入中、真空計１０９の測定結果が上記所定の値を下回ったとき、ワークステーション１１１はビームコントローラ１１２に対し、例えばイオン源１０１の動作に関わる電源を通常より低く制御するよう命令を出す。これにより、イオンビームＩＢは例えば第１のビーム量より低い第２のビーム量でもってイオン注入がなされるようになる。 （もっと読む）

【課題】 低エネルギーでのビームの発散を抑制できるビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源１からのビームを、質量分析電磁石装置３、ビーム整形装置を通過させた後、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置７ならびにビーム平行化装置、加速／減速装置を経て後段の角度エネルギーフィルター１８によりエネルギー分析を行なった後、ウエハ２３に照射するビーム照射装置において、前記ビーム平行化装置を静電式の減速パラレルレンズ１０で構成し、前記加速／減速装置を独立に高電圧を印加できる第１、第２のＡ／Ｄコラム電極１１、１２で構成し、前記減速パラレルレンズと前記第１、第２のＡ／Ｄコラム電極とを組み合わせることによって、低エネルギーでもビームの発散を抑え、前記偏向走査装置で横方向にスキャンされたビームの平行度を良好に維持できるようにした。 （もっと読む）

イオン注入を最適化する方法であって、基板がイオンビームを通過して二次元的に走査される。この方法は、イオンビーム電流、イオンのドーズ量、及びスロースキャン方向にビームを通過する基板の数の１つまたはそれ以上を含む処理方法を提供する。ビームは、処理方法に基づいてプロファイルされ、そして、ビームのサイズが決定される。ファーストスキャン方向における複数の異なるスキャン速度の１つが、イオン注入の所望の均一性及び処理方法に基づいて選択される。この処理方法は、所望の均一性、基板に対する処理能力時間、所望の最小イオンビーム電流、及び１つ以上の基板条件の１つまたはそれ以上に基づいて制御される。スロースキャン方向における複数の速度の１つが注入のドーズ量に基づいて選択される。
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【課題】 基板に入射する際のイオンビームの平行度測定が可能で平行度の調整が容易なイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置において、走査器により走査されたイオンビームの空間分布を測定するイオンビーム分布測定装置３０と、このイオンビーム分布測定装置３０の上流側前面に配置され、イオンビーム分布測定装置３０の前面から取り外し可能で、かつ、複数の開口２２を有する遮蔽板２０と、この遮蔽板２０の複数の開口２２を透過したイオンビームの空間分布を測定することにより、当該複数の領域でのイオンビームの平行度を検出する電気回路等の平行度検出機能とを有し、基板に入射するイオンビームの平行度を測定する平行度測定装置１０を備えた構成とした。
また、平行化電磁石の一方の縦ヨークに、平行化電磁石の主励磁コイルとは独立に励磁電流の調整が可能な補助コイルを取り付けると、平行度の調整が容易になる。 （もっと読む）

【課題】ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。
【解決手段】イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。４重極子デバイス１６は、イオンビームの経路に沿って上流側又は下流側方向に移動して位置決めされて固定される。この後、イオンビームＸの幅方向の拡がりを抑制するようにイオンビームの収束強度が調整される。 （もっと読む）

イオンビーム注入システムのためのイオンビーム調整方法、システムおよびプログラム製品を開示する。本発明は、イオンビームのイオンビームプロファイルを、例えば、注入器の中のプロファイラを横切ってイオンビームをスキャンすることで、獲得する。そして、イオン注入システムを、合計のイオンビーム流量およびイオンビームのスポット幅を同時に最適化するための、イオンビームプロファイルに基づいて、注入流量の見積もりを最大化するように調整し、注入流量を最大化する。これに加えて、この調整は、さらに、イオンビームを、望ましいイオンビームの道筋に沿って、スポット・ビームの中心のフィードバックに基づいて位置付けることもでき、これは、イオンビームの設定時間を削減し、かつ、数多くの設定に渡って各イオンビームのためにビーム角度を繰り返し提供することにより、イオン注入システムの生産性およびパフォーマンスを改善することができる。 （もっと読む）

半導体デバイス製造装置のプロセスチャンバー内の粒子モニタは、そのチャンバー内の汚染粒子のフラックスの尺度を与える。このフラックスは、プロセスチャンバー内にプロセス条件が発生される間に測定され、その測定されたフラックスに応答してプロセスパラメータを調整して、プロセス中にこのフラックスを減少させる。イオン注入装置では、粒子センサ(24)が、処理されるウェハの前方の位置で、イオンビーム(32)に随伴される粒子のフラックスを測定する。 （もっと読む）

【課題】 質量分離機に外乱が加わっても、イオンビームの調整を容易に行う。
【解決手段】 放電により複数種のイオンを生成し、生成した複数種のイオンからなる第１イオンビームＩａを出力させるイオン源１と、このイオン源１から出力された第１イオンビームの中から特定種類のイオンのみを分離抽出して第２イオンビームＩｂを出力させる質量分離機２と、質量分離機２内に中和用電子を供給する中和用フィラメント３と、イオン源１への放電電力を観測する放電電力観測機４と、質量分離機２から出力される第２イオンビームの電流値を観測するビーム電流観測機５と、放電電力観測機４の出力とビーム電流観測機５の出力との関係が所定の関係になるように、中和用フィラメント３から質量分離機２内に供給される電子量を出力調整する第１の制御手段６と、ビーム電流観測機５の出力が所定の値とするべく、イオン源１の放電電力を出力調整する第２の制御手段７とを有する。 （もっと読む）