炭素含有種の低温インプランテーションの技術を開示する。例示的な一実施形態においては、該技術は、ターゲット材料を所定温度まで冷却する冷却デバイスと、および所定温度で炭素含有種を用いてターゲット材料をインプラントして、歪みおよびアモルファス化の少なくとも一方を改善するイオンインプランターと、を備えるイオンインプランテーション装置として実現する。
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【課題】１枚の基板を分割処理しても基板内の所要の処理領域の処理に悪影響が及ぶのを防止することができ、それによってビーム幅よりも幅の大きい基板の処理を可能にする。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向の両端部がｐ行（ｐは１≦ｐ≦（ｍ−２）の整数）のセル２０を挟む二つの行形成分割帯２２にそれぞれ位置するビーム幅のイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域３０を形成するビーム照射工程を複数回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０の位置を変えてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、複数のビーム照射領域３０を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の品質に悪影響を与えることなく、簡単な構造で、効率よくかつ高い精度でイオンビーム照射角度の調整を行うことができるイオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】 イオン注入装置は、イオンビーム照射部と、遮断板と、イオン量測定部と、照射角度変更部とを含んで構成される。イオンビーム照射部は、イオンビームを形成し、基板を保持する基板保持部に向けて前記イオンビームを照射する。遮断板は、基板保持部に保持される基板の位置よりも前記イオンビームのイオンの流れ方向上流側の予め定める位置に設置可能である。遮断板には、貫通孔が形成される。貫通孔は、遮断板が前記予め定める位置に設置された状態において、予め定める方向の軸線を有する。遮断板は、前記イオンビームの少なくとも一部を遮断する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造の検査工程で得られた構造が管理スペックから離れている場合でも、イオン注入工程において、補正することにより、最終的な電気特性のばらつきをウェハ面内で抑制でき、製品歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造システムと製造方法を提供する。
【解決手段】測定装置２１，２２は、ウェハに形成された複数のゲート電極のゲート長を測定する。演算装置３４は、測定装置により測定されたゲート長のウェハ面内の分布に基づき、ウェハ面内における閾値電圧を均一化するためのイオン注入のドーズ量のデータを演算する。イオン注入装置１５は、前記演算装置により演算されたドーズ量のデータに基づき、前記ウェハにイオンを注入する。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハに対して複数種類のイオンを注入する装置において、装置経費を低減するとともに生産性を向上する。
【解決手段】複数のイオンビームラインアセンブリーが、共通処理チャンバーの周囲に配置される。複数のイオンビームラインアセンブリーの各々は、共通処理チャンバーから選択的に分離され、複数のイオンビームラインは、共通処理チャンバーの処理領域で交差する。共通処理チャンバー内に配置された走査装置は、加工物ホルダーが、処理領域中を複数のイオンビームラインのそれぞれを横切って１以上の方向に選択的に移動するように動作可能である。共通処理チャンバー内に配置された共通線量測定装置は、複数のイオンビームラインのそれぞれの１以上の特性を測定するように動作可能である。共通処理チャンバーと外部環境との間で加工物を交換するため、ロードロックチャンバーが共通処理チャンバーに動作可能に結合される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源１０ｂは、Ｙ方向の寸法がＸ方向の寸法よりも大きいリボン状のイオンビーム２を発生させる。このイオン源１０ｂは、Ｙ方向に伸びたイオン引出し口１４を有するプラズマ生成容器１２と、プラズマ生成容器１２内のＸ方向の一方側にＹ方向に沿って複数段に配置された複数の陰極２０と、プラズマ生成容器１２内のＸ方向の他方側に陰極２０に対向させて配置された反射電極３２と、プラズマ生成容器１２内に、しかも複数の陰極２０を含む領域に、Ｘ方向に沿う磁界５０を発生させる電磁石４０とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、荷電粒子ビームを輸送するための装置（１０）に関する。装置は、ターゲット（３）上で荷電粒子を走査するための走査手段（１２）と、走査手段の上流に配置された双極磁石(１５)と、双極磁石と走査手段との間に配置された少なくとも３つの四重極レンズ(１７)と、荷電粒子ビームの走査角度の関数として３つの四重極レンズの磁界の強度を調整する調整手段とを備える。この装置は、少なくとも単一の収色性を有するように製造され得る。
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【課題】複数の作動範囲内でイオンを加工物に注入するシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】イオンの所望ドーズ量が与えられ、スポットイオンビーム112がイオン源108から形成され、質量分析器126によって質量分析される。イオンは、第１モード又は第２モードの一方で、所望のドーズ量に基づいて加工物に注入される。質量分析器126の下流配置されたビーム走査システム128によってイオンビームが走査され、このビーム走査システム128の下流に配置されたパラライザー130によって平行化される。第１モードでは、加工物122は、加工物走査システム167によって少なくとも１次元で走査イオンビームを通って走査される。第２モードでは、イオンビームは、ビーム走査システム128とパラライザー130を走査しないで通過し、かつ加工物122は、スポットイオンビーム112を通って二次元で走査される。 （もっと読む）

【課題】検出されたイオン励起発光をフィードバックとして用いるイオン注入システム。
【解決手段】このイオン注入システムは、ウエハ、分光器、光検出器、イオン源発生器を含み、イオン源発生器は、ウエハにイオンを注入するように構成され、光検出器は、ウエハ上及びウエハ外の両方のイオン励起発光を検出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと中性粒子とを分離するイオンビーム偏向器とターゲットとの間において、イオンビームの空間電荷効果によるＹ方向の発散を補償して、イオンビームの輸送効率を高める。
【解決手段】 このイオン注入装置は、Ｘ方向に走査されたイオンビーム４を磁界によって曲げ戻して平行ビーム化してリボン状の形をしているイオンビーム４を導出するビーム平行化器１４を備えている。ビーム平行化器１４は、イオンビーム４を磁界によって偏向させてイオンビーム４と中性粒子とを分離するイオンビーム偏向器を兼ねている。このビーム平行化器１４の出口近傍に、イオンビーム４が通過する空間を挟んでＹ方向において相対向して配置された複数の電極を有していて、イオンビーム４をＹ方向において絞る電界レンズ３０を設けている。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造に使用できるようなイオン注入装置においてイオンビームを調整する方法を提供すること。イオン注入装置の動作に関連付けられ、ウエハに達するイオンビームに影響を与える多くの動作パラメータがある。これらのパラメータを制御することにより、どのような特定の注入に対しても最適なイオンビーム電流、エネルギー、サイズ及び形状を与えるようにイオンビームを調整することができる。
【解決手段】 イオンビームを調整する方法は、少なくとも幾つかがダイナミックデータベースに記憶されているパラメータのセットを検索し、イオンビームを与えるように検索されたパラメータのセットに従ってイオン注入装置を構成し、それらパラメータのうちの１つ又はそれ以上のものを変更することによりそのイオンビームを最適化し、最適化中に変化したダイナミックデータベースに記憶されたパラメータを更新することを含む。 （もっと読む）

イオンビーム電流の均一性を監視するモニタ、イオン注入装置及び関連の方法を開示する。一実施形態では、イオンビーム電流均一性モニタ（１５）は、複数のロケーションにおけるイオンビーム（１２）の電流を測定する複数の測定デバイス（１７）を有するイオンビーム電流測定器と、イオンビーム電流測定器によるイオンビームの電流の測定値に基づいてイオンビーム電流の均一性を維持する制御器（１８）とを備える。 （もっと読む）

イオン注入装置はステアリング要素を備えているため、イオンビームはステアリング要素の下流にあるスキャン要素のスキャン頂点に向かって方向付ける、または「ステアリング」される。ここで、スキャン要素のスキャン頂点は、スキャン要素の下流にある平行化要素の焦点と一致する。これは、ビームが期待された角度で平行化要素から出現することを可能にし、これによって、イオンは平行化要素の下流に配置されたワークピース中に望まれた形で注入され得る。
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【課題】 原料気体をプラズマ分解してイオン化し、そのプラズマ雰囲気に曝露することで試料にイオンをドーピングする際に、試料の温度の上昇を抑制する。
加えて、試料の帯電を防止し、イオンの加速エネルギーを制御する。
【解決手段】 処理室内に原料気体を導入し、第一電源を用いて該原料気体に高周波電力を印加することでイオン化してプラズマを生成し、該プラズマ雰囲気に試料支持体上に支持された試料を曝露することによってイオンをドーピングする装置であって、前記第一電源と前記処理室との間を接続或いは切断するための第一切替スイッチを有することを特徴とするイオンをドーピングする装置である。 （もっと読む）

イオンビームの角度測定システムは、第１の形状及び第２の形状を画成し、第２の形状は、第１の形状から可変の間隔を有するフラグと、フラグがイオンビームの少なくとも一部を遮断するようフラグを並進路に沿って並進させるメカニズムと、並進路に沿っての複数の異なるフラグ位置に対してイオンビームを検出し、検出されたイオンビームに応じてセンサ信号を生成するセンスデバイスとを含む。センサ信号及びフラグの対応する複数の位置は、垂直面におけるイオンビームの垂直ビーム角を表す。センスデバイスは、マスクと、マスクを並進させて関連するファラデーセンサの一部の上にビーム電流センサを画成するメカニズムとを含む。 （もっと読む）

リボンビームの均一性向上技術が開示される。一実施形態においては、装置は、第一群の磁心部と、前記第一群の磁心部の周りに配された第一の複数のコイルとを含む第一の補正器―バーアセンブリと、第二群の磁心部と、前記第二群の磁心部の周りに配された第二の複数のコイルとを含み、前記第一の補正器―バーアセンブリから所定の距離に位置する、第二の補正器―バーアセンブリと、を含み、前記第一の複数のコイルの各々を個々に励起して前記リボンビームの少なくとも一つのビームレットを偏向することで、前記複数のビームレットを望ましい空間的拡散で前記第二の補正器―バーアセンブリに到達させ、前記第二の複数のコイルの各々を個々に励起して前記リボンビームの一以上のビームレットを更に偏向することで、前記複数のビームレットを望ましい角度で前記第二の補正器―バーアセンブリから放出させうる。 （もっと読む）

イオン注入中にイオンビームの入射角を測定する角度測定システムは、多様な角度のスロットアレーと、該多様な角度のスロットアレーの下流側に配置された電荷測定装置のアレーとを含む。上記多様な角度のスロットアレーは、構造物内において入射表面から出射表面まで形成されたスロットを含む。各スロットは、多様な受容角の範囲を有する。電荷測定装置のアレーは、それぞれスロットと対応しており、該スロットを通り抜けるビームレットの電荷またはビーム電流を測定し得る。その後、上記の測定値、および多様なまたは異なる受容角の範囲を用いて、イオンビームの測定された入射角および／または測定された角度の量を算出する。
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【課題】 イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのｙ方向（長手方向）のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、ターゲット８近傍におけるイオンビーム４のｙ方向のビーム電流密度分布を測定するビームプロファイルモニタ１４と、ターゲット位置よりも上流側におけるイオンビーム経路を挟んで相対向するようにｙ方向に並べて配置されていて互いに独立してｘ方向に可動の複数の可動遮蔽板１６をそれぞれ有する可動遮蔽板群１８ａ、１８ｂと、それらを構成する各可動遮蔽板１６を互いに独立してｘ方向に往復駆動する遮蔽板駆動装置２２ａ、２２ｂと、モニタ１４による測定情報に基づいて遮蔽板駆動装置２２ａ、２２ｂを制御して、測定したｙ方向のビーム電流密度が相対的に大きい位置に対応する前記相対向する可動遮蔽板１６によるイオンビーム４の遮蔽量を相対的に多くして、ｙ方向のビーム電流密度分布の均一性を向上させる遮蔽板制御装置２４とを備えている。 （もっと読む）

正のスロット構造及び負のスロット構造（１０４，１０６）を用いることによって、イオン注入の軸に沿った測定入射角を得る。正のスロット構造は、入射開口部（１２０）、出射開口部（１２２）、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を備えている。正のスロット構造は、正の方向において選択された角度範囲を有するイオンビームの一部分を得る。負のスロット構造は、入射開口部（１２１）、出射開口部（１２３）、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部とを備えている。負のスロット構造は、負の方向において選択された角度範囲を有するイオンビームの一部分を得る。第一の電流測定装置（１２４）は、正の角におけるビーム電流測定値を得るために、正の部分のビーム電流を測定する。第二の電流測定装置（１２６）は、負の角におけるビーム電流測定値を得るために、負の部分のビーム電流を測定する。分析コンポーネントは、上記正の角におけるビーム電流測定値及び上記負の角におけるビーム電流測定値を用いて、測定入射角を算出する。
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フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する装置として実現されうる。この装置は、エンドステーションと上流のビームラインコンポーネントとの間に位置付けられるドリフト管を含みうる。装置は更に、ドリフト管とエンドステーションとの間の第１の可変アパーチャを含みうる。装置は更に、ドリフト管と上流のビームラインコンポーネントとの間の第２の可変アパーチャを含みうる。第１の可変アパーチャ及び第２の可変アパーチャは、差動ポンピングを容易にするよう調節可能である。 （もっと読む）