本明細書は、基板を処理するための改良技術を開示する。１つの特定の実施形態において、本技術は、基板の処理方法として実現することができる。この方法は、複数のイオンを含むイオンビームを、イオンビーム経路に沿ってイオン源から基板に向けて指向させるステップと、マスクの少なくとも一部分を、イオンビーム経路内でイオン源と基板との間に設けるステップと、基板及びマスクのうち一方を、基板及びマスクのうち他方に対して平行移動させるステップと、を含むことができる。
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【課題】電流密度分布の均一性が高いイオンビームを照射するイオン注入装置、及び、イオンビームの調整方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板にイオンビームを照射してイオン注入するイオン注入装置であって、断面形状が帯状であるイオンビームの幅方向の電流密度分布を計測する計測部と、幅方向にイオンビームを屈曲するレンズ手段を複数備え、幅方向に沿ったイオンビームの電流密度分布を調整するイオンビーム調整部と、計測部が計測した電流密度分布に応じて、イオンビームを屈曲する大きさを示す制御信号を前記レンズ手段の各々に出力する制御部と、を有し、制御部は、イオンビームのエネルギー、イオンビームを構成するイオンの質量、イオンビームの電流のうち少なくとも一つに応じて制御信号の大きさの上限値を設定する上限値設定部を有し、上限値以下の大きさの制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】従来装置よりも発散度合いの小さいイオンビームを基板に照射することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置１は、イオン源１から生成されかつ質量分析系（４，５）で質量分析されたイオンビーム２０を入口部分から取り込んで収束させる静電レンズ６と、イオンビームの軌道上で四重極レンズ６と隣り合う位置に設けられ、四重極レンズ６を通過したイオンビームを取り込んで出口部分から出射させる静電偏向部７と、静電偏向部７の出口部分から出射されたイオンビームに含まれるイオンの注入対象となる基板１１を収容する注入室１０とを備えるもので、四重極レンズ６は、四重極レンズ６の入口部分におけるイオンビームのビーム径よりも、静電偏向部７の出口部分におけるイオンビームのビーム径が大きくなるように、イオンビームを収束させる。 （もっと読む）

【課題】イオン注入プロセスの制御方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 （もっと読む）

【課題】ビーム幅よりも幅の大きい基板を、ビーム連ね部に悪影響が生じないように処理する。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向のビ−ム幅がｍ行の半数以上の行のセル２０を含むイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域を形成するビーム照射工程を２回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０をその面内で１８０度回転させかつＹ方向に移動させてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、両ビーム照射領域を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。しかも二つのビーム照射領域の連ね部を行形成分割帯２２に位置させ、かつイオンビーム４のＹ方向の端部をマスクでＸ方向に平行に整形する。 （もっと読む）

イオン注入方法およびシステムは、低エネルギー、大電流のイオンビームにおいて特に問題があるであろうビームのブローアップを軽減するために、ビームの中和を組み入れている。ビーム中和部は、ブローアップが起こりやすいシステムに配置することができる。ビーム中和部は、イオンビームを中和するプラズマを発生させることでビームブローアップを軽減する可変エネルギー場発生部を含む。エネルギー場は、中和プラズマの効力を減らすプラズマケースの創造を軽減しつつ中和プラズマを保持するために、変化する周波数および／または場の強度で発生する。
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イオン注入システムと走査システムが提供され、それにおいて、焦点調整用構成要素が、イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果を減少させるために、上記イオンビームの焦点特性を調整するために提供される。上記焦点特性は、ワークピースを横切って走査された上記イオンビームのプロファイルが一定になるために、又は、ワークピースを横切るイオン注入が一定になるために調整され得る。方法は、ワークピースに走査されたイオンビームを提供するために開示されており、走査されたイオンビームを生成するために上記イオンビームを走査する工程と、上記イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果に関連してイオンビームの焦点特性を調整する工程と、上記イオンビームを上記ワークピースへ向き付ける工程とを含んでいることを特徴とする。
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【課題】安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波イオン源を有するイオン注入装置を用いて対象物にイオンを注入するイオン注入方法であって、イオン源のガスチャンバーに導入した一酸化炭素ガスにマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力するステップと、導入した一酸化炭素ガスの密度を、所定のマイクロ波電力を供給したときに得られる炭素イオン電流が飽和する領域まで高くするステップと、ガス密度を高くして所定のマイクロ波電力を供給して炭素イオン電流を出力させている状態で、マイクロ波電力を増加させるステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入パターンを的確に検査することが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】 基板上に膜を形成する膜形成工程と、ステンシルマスクに形成された開口パターンを通じて前記膜にイオン注入パターンを形成するイオン注入パターン形成工程Ｓ１２と、イオン注入パターンを開口パターンに基づいて光学的に検査する光学的検査工程Ｓ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの強度分布調整において、イオンビームの短辺方向寸法を大きくことを可能にする。
【解決手段】イオンビームは、その進行方向と垂直な断面形状を有し、断面形状は、第１方向に長く、第１方向と直交する第２方向に短くなっている。イオンビームに対し磁界を印加する磁石１７を備え、磁石１７は、イオンビームが通過する領域の近傍に配置されて第２方向にイオンビームと対向するとともに、第１方向に位置調整可能となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを振り子状に揺動させながらイオンを照射してイオン注入スキャンを行った際のウェーハの揺動方向のストライプの発生を低減する。
【解決手段】本発明のイオン注入は、回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハ２８を回転させ、かつ回転体を振り子状に揺動させる揺動機構により揺動させながらイオンを照射するものであり、回転駆動機構、揺動機構、及びイオンの照射タイミングを制御してイオンをウェーハの全面にわたってスキャンする。特に、（ｂ）に示すように、イオン注入プロセス全体を２回に分けて、１回目のイオンビーム４０のウェーハの揺動方向Ａのイオン注入スキャンピッチの間に、２回目のイオンビーム４２のイオン注入スキャンピッチを設定することにより、ウェーハ揺動方向のＳＯＩ膜厚及びＢＯＸ膜厚の周期的なムラを抑制し、ストライプの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのイオン注入に起因して発生するストライプを低減する。
【解決手段】回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハを加熱手段により加熱して、加熱されたウェーハにイオン注入手段によりイオンを注入するイオン注入方法において、従来（ａ）は、ウェーハの代表温度があらかじめ設定された温度に達したか否かを判定し（Ｓ１２）、達した場合は（Ｓ１２でＹｅｓ）、イオン注入を開始する（Ｓ１３）ものであった。これに対して、本発明（ｂ）は、ウェーハの代表温度があらかじめ設定された温度に達したか否かを判定し（Ｓ２２）、達した場合は（Ｓ２２でＹｅｓ）、ウェーハのイオン注入側の面の温度ムラがなくなる所定の時間（あらかじめ定められている時間）が経過したか否かを判定し（Ｓ２３）、経過した場合は（Ｓ２３でＹｅｓ）、イオン注入を開始する（Ｓ２４）。 （もっと読む）

【課題】短い反応時間で、イオンビーム角度整合性を犠牲にすることなく、ブロードイオンビームの強度均一性を制御する。
【解決手段】ブロードビーム単一基板イオン注入システム１００は、個別に制御されたガスジェットであって、ガス圧が個別に制御可能なガスジェットの配列５０６を含んでいる差動式ポンピングステーション２１６と、ブロードイオンビームのプロファイルを測定するファラデーカッププロファイラー４０７とを備えており、差動式ポンピングステーション２１６は、上記ガスとイオンとの電荷交換反応により、ブロードイオンビームの初期電荷状態でのイオンの比率を変更し、当該ブロードイオンビームの電荷交換された一部を、磁場を発生する偏向器により除去するものであり、上記制御装置に供給されるフィードバックに基づいて、上記個別に制御されたガスジェットを調整することにより、所望のブロードイオンビームを生成する。
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【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームＩＢの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームＩＢを挟んでｘ方向に対向配置され、互いの間でイオンビームＩＢを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材６とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材６の少なくとも一方を、ｙ方向には隙間なく、かつ、ｘ方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板６１からなるものとしたうえで、可動遮蔽板６１の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材６との間に微小開口Ｐを形成し、微小開口Ｐを通過したイオンビームＩＢについての強度分布測定結果から、イオンビームＩＢのエミッタンスを算出するように構成した。 （もっと読む）

イオン注入システムは、ビーム経路に沿ってイオンビームを生成するイオンソースと、上記イオンビームに対して質量分析および角度補正を行う、上記イオンソースの下流に設けられた質量分析部材と、上記質量分析部材の下流および上記ビーム経路に沿って設けられ、選択された質量分解能およびビームエンベロープに基づく大きさおよび形状をもつリゾルビングアパーチャ電極と、上記リゾルビングアパーチャ電極の下流に設けられた偏向部材であって、上記偏向部材を出る上記イオンビームの角度を変更する偏向部材と、上記偏向部材の下流に設けられ、電荷中和を行い上記イオンビームを減速させる減速電極と、荷電イオンが注入されるワークピースの保持および位置決めを行う、エンドステーション内部の支持プラットフォームと、を有する。上記エンドステーションは、偏向された上記イオンビームがワークピースに対して垂直になるように約８°反時計回りの向きに傾けられて設けられている。
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【課題】イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。
【解決手段】イオン注入装置は、イオンビームの電流密度分布を調整するために、帯状イオンビームのビーム幅方向に沿って複数の単位レンズ要素を並べ、各単位レンズ要素が作る磁場又は電場を調整するレンズ要素４０と、計測した電流密度分布に応じてレンズ要素４０にて調整する単位レンズ要素の作る磁場又は電場の強度を設定する制御部８０と、を有する。レンズ要素４０の複数の単位レンズ要素のうち、調整しようとする位置に対応する単位レンズ要素が作る磁場又は電場の調整強度を、計測された電流密度分布から求めるとともに、前記単位レンズ要素に隣接する単位レンズ要素が作る磁場又は電場に対して、求められた調整強度に一定の比率を乗算して得られる値を磁場又は電場の調整強度として求める。 （もっと読む）

イオン注入機システムにおける均一チューニングのための技術を開示する。特定の例示的な実施態様で、その技術は、改良した均一チューニングのための方法として実現することができる。本方法は、イオン注入機システムでイオンビームを生成するステップを有する。本方法は、イオンビーム経路に沿って第１のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップも有する。本方法は、さらに、前記イオンビーム経路に沿って第２のイオンビーム電流密度プロファイルを測定するステップを有する。また、本方法は、少なくとも一部、前記第１のイオンビーム電流密度プロファイル及び前記第２のイオンビーム電流密度プロファイルに基づいて、前記イオンビーム経路に沿って第３のイオンビーム電流密度プロファイルを決定するステップを有する。
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【課題】イオン注入に関し、イオンビームの平行度および注入角度を調整するための方法と装置を提供する。
【解決手段】スキャナー２０で走査されたイオンビームを角度補正器２４で平行化し、半導体ウエハ３４に注入するイオン注入装置において、先ず、測定システム８０でビーム平行度を測定し、その結果に基づいて角度補正器２４を制御して所望のビーム平行度になるよう調節する。次いで、ビームの向きを測定システム８０で測定し、その結果に基づいて所望の注入角度になるように傾斜機構８４を制御してプラテン３６を傾斜させ、注入を実行する。 （もっと読む）

【課題】 基板のスキャン回数が奇数になることを防止して、スキャン回数が奇数になる場合のロス時間を無くし、スループットを向上させる。
【解決手段】 イオンビーム４のビーム電流、基板２へのドーズ量および基準スキャン速度を用いて、当該ドーズ量を実現するための基板２のスキャン回数を小数点以下を切り捨てた整数値で算出し、そのスキャン回数が２以上か否かを判断して、２よりも小さい場合は処理を中断し、２以上の場合は当該スキャン回数が偶数か奇数かを判断して、偶数の場合は当該スキャン回数をそのまま実用スキャン回数とし、奇数の場合はそれよりも１小さい偶数のスキャン回数を求めてそれを実用スキャン回数とし、上記実用スキャン回数、ビーム電流およびドーズ量を用いて基板２の実用スキャン速度を算出し、これらに従って基板２にイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】スキャン端付近での基板の加減速時間を主体とするロス時間の累積を抑制してスループットを向上させる。
【解決手段】このイオン注入方法は、イオンビーム４のビーム電流、基板２へのドーズ量を用いて、当該ドーズ量を実現するための基板２のスキャン速度を算出するステップと、スキャン速度が許容スキャン速度範囲内にあるか否かを判断して、当該範囲内にあればそのときのスキャン回数、スキャン速度をそれぞれ実用スキャン回数、実用スキャン速度とし、当該範囲の上限よりも大きい場合は処理を中断し、当該範囲の下限よりも小さい場合はスキャン回数を１増加させて修正後のスキャン回数を算出し、修正後のスキャン回数等を用いて修正後のスキャン速度を算出し、修正後のスキャン速度が許容スキャン速度範囲内に入るまでスキャン速度判断および修正スキャン速度算出を繰り返すステップとを有している。 （もっと読む）