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Fターム[5C036EG12]の内容

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【課題】スキャン線バス配線を構成するアルミニウムとシリコンの相互拡散に起因するアンダーカット部の同通によるスキャン線間の短絡を防止する。
【解決手段】スキャン線は、その上層に上部電極26の延長部を上層として積層したアルミニウム又はアルミニウム合金の中層92と、データ線8との間に有する層間絶縁膜14上に形成されたシリコン系膜24からなる下層とから構成された走査信号線バス配線9を構成し、中層92と下層24の間にシリコン酸化膜95を設けた。 (もっと読む)


【課題】粒径が10nm以下、粒径バラツキが15%以下、且つ安価な金属ナノ粒子の化学的製造方法を提供する。さらに、上記の金属ナノ粒子を用いた直径や本数密度の制御されたCNT構造体及びこのCNT構造体を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】金属塩から金属前駆体溶液を形成する工程(A)と、前記金属前駆体溶液から金属前駆体を抽出する工程(B)と、前記金属前駆体、界面活性体、溶媒を混合させ、前記溶媒の沸点以下の温度において反応させる工程(C)と、前記工程(C)の混合溶液から金属含有ナノ粒子を析出させる工程(D)を含み、前記工程(C)において、前記金属前駆体と界面活性体のモル濃度比が1以下であることを特徴とする金属含有ナノ粒子の製法。 (もっと読む)


【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体1は、酸化シリコン粒子2と酸化シリコン粒子2の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維3とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 (もっと読む)


【課題】集束電極を設けることなく、電子の集束発散を制御するとともに、電子の放出角度を制御でき、効率良く固体中から電子を放出できるようにすることを目的とする。
【解決手段】ナノ結晶粒401と、ナノ結晶粒401を覆う絶縁物402とからなる電子ドリフト層104を挟んで、カソード電極106とアノード電極107とが形成される弾道電子放出源において、カソード電極106及びアノード電極107のうち少なくとも一方を複数配置することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電子放出源、それを適用した電子装置及び電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と別途に製造されたカソードを備え、カソードには、接着層によって固定された針状電子放出物質、例えば、カーボンナノチューブ層が設けられる電子放出源である。カーボンナノチューブ層は、懸濁液フィルタリング法を利用して形成され、後続する電子放出物質層の表面処理によって電子放出密度が上昇する。 (もっと読む)


【課題】材料にガラスを用いた基体上にTaN(6方晶)、αTa、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ta2N膜、αTa膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 (もっと読む)


【課題】均一な電子ビームを放出でき、製造プロセスが容易な電子放出素子、該電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第1の層103を成膜する工程と、第1の層103上に、炭素を主成分とする第2の層104を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体10上にカソード電極11、絶縁層12を形成し、次いで、コア部41及びシェル部42を有する多数の球状部材40を絶縁層12上に配置した後、シェル部42を除去し、次に、コア部41を含む絶縁層12上にゲート電極を形成した後、コア部41を除去して絶縁層12の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層12の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 (もっと読む)


【課題】真空中だけでなく大気圧中でも安定した電子放出を可能とし、かつ電子放出に伴うオゾンやNOx等の有害物質の発生を抑制した、電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子1’は、基板28と上部電極3との間に電子加速層4’を備え、電子加速層4’は、抗酸化力が高い金属微粒子6と、金属微粒子6の大きさより大きい絶縁体物質5’とを含んでいる。この導電微粒子の大きさより大きい絶縁体物質5’は、基板上に層形成されており、かつ、層の厚み方向に貫通する複数の開口部51を有しており、開口部51には、金属微粒子6が収容されている。電子放出素子1’は、真空中だけでなく大気中でも安定して電子放出でき、放電を伴わないためオゾンやNOx等の有害物質をほぼ生成せず、酸化劣化しない。そのため、電子放出素子1’は、寿命が長く大気中でも安定して長時間連続動作できる。 (もっと読む)


【課題】電子放出ユニットの構造改善、製造工程単純化、製造費用節減ができ、カソード電極とゲート電極の耐電圧特性を改善して駆動安全性を高め得る発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供すること。
【解決手段】
本発明は電子放出ユニットの構造と製造工程を単純化した発光装置及び、この発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。発光装置101は第1基板12と第2基板14及び密封部材を含む真空パネルと、第1基板の一面から任意の深さを有するように形成される凹部28と、凹部に形成されるカソード電極24と、カソード電極上に配置される電子放出部22と、電子放出部と距離をおいて第1基板の一面に固定されるゲート電極26と、第2基板の一面に位置する発光ユニット20を含む。ゲート電極は電子ビーム通過のための開口部が形成されたメッシュ部及びメッシュ部を囲む支持部34を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板11の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜21を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程(核形成工程)を行い(図1(a))、その後、微結晶シリコン薄膜21中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶(柱状結晶)31aを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶31aの集合体からなる多結晶シリコン薄膜(多結晶薄膜)31を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程(結晶成長工程)を行う(図1(b))。 (もっと読む)


本発明は電界放射ディスプレイの製造方法に関し、排気された室中に電子放射体を構成し、電子放射体付近に波長変換材料を配置し、排気された室中に電子放射源を設けるステップを含んでおり、電子放射源は電子を電子放射体へ放射し、電子放射源は、基板を有し、複数のZnOナノ構造を基板上に形成して形成され、ZnOナノ構造は第1の端部と第2の端部を有し、第1の端部は前記基板に接続され、ZnOナノ構造を相互に電気的に絶縁するために電気絶縁体を設け、導電部材をZnOナノ構造の第2の端部に接続し、支持構造を導電部材上に設け、基板を除去してZnOナノ構造の第1の端部を露出して形成される。本発明の利点は高さが整列されていないナノ構造の小さいセクションの存在による電界放射ディスプレイの寿命の増加を含んでいる。さらに高価な従来技術のエッチング、研磨等のステップを使用して、ナノ構造の「高さを整列」する必要をなくすことにより廉価な最終製品を実現できる。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子を用いたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】真空空間を挾み互いに対向する一対の背面基板及び透光性の前面基板と、各々が背面基板の真空空間側の表面に形成された下部電極上に形成された絶縁体層及び絶縁体層上に形成され真空空間に面する上部電極からなる背面基板上に配列された電子放出素子の複数と、を備えた電子放出素子フラットパネル表示装置であって、各々が独立して隣接する上部電極を電気的に接続する複数のバス電極を有し、バス電極と絶縁体層との間及びバス電極と背面基板との間に絶縁性保護膜を有する。 (もっと読む)


【課題】より低い電界での電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、カソード電極102と、カソード電極102上に設けられた絶縁膜103と、絶縁膜103上に設けられたダイポール層104と、を有する電子放出素子であって、ダイポール層104は、前記絶縁膜をNH基で終端することにより形成されることを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数有することを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光体と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造過程において安定で、かつ、低電圧で高効率な電子放出を安定して行うことのできる電子放出素子の製造方法、該製造方法で製造された電子放出素子、該電子放出素子を用いてなる電子源、及び、該電子源を利用した、高いコントラストを示す画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電性の金属粒子が含まれたカーボン層を用意する工程と、前記導電性の金属粒子の一部を酸化させる工程と、前記カーボン層の表面にダイポール層を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る電子放出素子は、上記電子放出素子の製造方法で製造されたことを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数備えることを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光部材と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】真空中だけでなく大気圧中でも安定した電子放出を可能とし、かつ電子放出に伴うオゾンやNOx等の有害物質の発生を抑制した、電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子1は、基板2と上部電極3との間に微粒子層4を備え、微粒子層4は、抗酸化力が高い金属微粒子6と、金属微粒子6の大きさより大きい絶縁体の微粒子5とを含んでいる。電子放出素子1は、真空中だけでなく大気中でも安定して電子放出でき、放電を伴わないためオゾンやNOx等の有害物質をほぼ生成せず、酸化劣化しない。そのため、電子放出素子1は、寿命が長く大気中でも安定して長時間連続動作できる。 (もっと読む)


【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板18上にカソード電極10を形成する工程と、カソード電極10上に絶縁膜12を形成する工程と、絶縁膜12上にゲート電極14を形成する工程と、絶縁膜12中にカソード電極10表面まで到達するホール11を形成する工程と、ホール11の底面に触媒金属層28を形成する工程と、触媒金属層28上に垂直配向にグラファイトナノファイバ4を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第1のカソード電極、第2のカソード電極、第3のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第2のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第1のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第3のカソード電極は、第2のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第1のカソード電極と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】FED(炭素繊維装置)1は、カソード基板2と、カソード基板2上に形成されたカソード電極3と、カソード電極3上に形成された金属触媒層4と、金属触媒層4の一部を覆うとともに、金属触媒層4を露出させるホール17が形成され、絶縁層16を含むホール形成層6と、ホール形成層6から露出した金属触媒層4から延びる炭素繊維5とを備えている。FED1の製造方法では、金属触媒層4を形成した後、ホール形成層6が形成される。 (もっと読む)


【課題】電子放出素子及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上で一方向に沿って相互離隔されて位置する第1電極と、一方向に沿って第1電極の間に位置する第2電極と、第1電極及び第2電極と電気的に絶縁されるように配され、一方向と交差する方向に延設される第3電極と、第1電極及び第2電極の側面にそれぞれ形成される第1電子放出部及び第2電子放出部と、を備える電子放出素子である。隣接する前記第1電子放出部と前記第2電子放出部との間には、ギャップが形成されている。 (もっと読む)


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