【課題】高電圧での駆動を可能にし、かつ、データ信号の低電圧化による低消費電力化を可能にした電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、画素４０毎に、画素電極３５、選択トランジスタＴＲｓ、第１トランジスタＴＲ１〜第３トランジスタＴＲ３、保持容量Ｃ１、Ｃ２、昇圧制御線１０２及び基準電位線１０３が設けられ、保持容量Ｃ１の電極２０ａが選択トランジスタＴＲｓのドレインに接続され、電極２０ｂが基準電位線１０３に接続され、保持容量Ｃ２の電極２１ａが第１トランジスタＴＲ１のドレインに接続され、電極２１ｂが第２トランジスタＴＲ２のソースに接続されている。 （もっと読む）

【課題】画素回路を構成する半導体素子の耐圧を超える高電圧を画素内で生成可能とした電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、画素４０毎に、画素電極３５と、選択トランジスタＴＲｓと、電圧制御トランジスタＴＲｃと、第１の保持容量Ｃ１と、昇圧制御線９１と、昇圧容量線９２とが設けられ、選択トランジスタＴＲｓは、ゲートが走査線６６に接続され、ドレインが画素電極３５に接続され、電圧制御トランジスタＴＲｃは、ゲートが昇圧制御線９１に接続され、ドレインが昇圧容量線９２に接続され、第１の保持容量Ｃ１は、一方の電極１０ａが選択トランジスタＴＲｓのドレイン及び画素電極３５に接続され、他方の電極１０ｂが電圧制御トランジスタＴＲｃのドレインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力が少なく、表示品質の良い表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の基板上に、端子部と、画素電極と、酸化物半導体を有するスイッチングトランジスタと、可視光に対して高い光感度を有する第１の光センサと、赤外光に光感度を有し、第１の光センサより可視光に対する光感度が低い第２の光センサを設ける。第１及び第２の光センサを用いて表示装置周囲の照度または色温度を検出して表示映像の輝度や色調を調整する。また、第１の基板に向かい合って第２の基板を設け、第２の基板上に対向電極を設ける。端子部からスイッチングトランジスタを介して対向電極へ電位を供給し、また、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタを非導通状態として、対向電極を浮遊状態とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、低消費電力化を図る。
【解決手段】画像信号が供給される画素が複数設けられた画素部と、信号線を選択的に制御する信号線側駆動回路、及びゲート線を選択的に制御するゲート線側駆動回路を有する駆動回路と、画像信号を記憶する記憶回路と、記憶回路に記憶された画像信号を画素毎に比較して差分を演算する比較回路と、差分に応じて、駆動回路の制御及び画像信号の読み出しを行う表示制御回路と、を有し、表示制御回路は、差分が検出された画素のみに画像信号を供給し、画素は、ゲートがゲート線に電気的に接続され、第１端子が信号線に電気的に接続され、第２端子が画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタを有し、薄膜トランジスタは、酸化物半導体でなる半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】 紙に置き換えることが可能な利便性を有する情報表示装置を実現すること。
【解決手段】 情報表示装置１は、記憶性の表示パネル１４を備える情報担体１０と、バッテリ２７を含む処理ユニット２０とを別体の構成としながら、表示パネル１４に表示された情報の更新や、表示された情報に対する操作等、処理を行う必要が生じた場合には、処理ユニット２０を情報担体１０と接続することにより、所望の処理を行うことが可能となる。そのため、「紙」に近い表示装置として本来的に必要な機能である「表示」を維持する以外の構成物を、通常の使用時において、情報表示装置１から切り離すことが可能となる。したがって、紙に置き換えることが可能な利便性を有する情報表示装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱変色性素子及び熱変色性表示装置に関する。
【解決手段】本発明の熱変色性素子は、絶縁基板と、熱変色性構造体と、加熱構造体と、を備える。前記熱変色性構造体及び前記加熱構造体が前記絶縁基板に設置される。前記加熱構造体が、カーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体が複数のカーボンナノチューブを含み、前記熱変色性構造体を加熱することに用いられる。前記熱変色性構造体が、４０℃以上の温度で非結晶状態及び結晶状態の変換できる変色材料であり、該変色材料の非結晶状態での光反射率と結晶状態での光反射率とが異なる。また、本発明は、熱変色性表示装置を提供する。該熱変色性表示装置が前記熱変色性素子を採用している。 （もっと読む）

【課題】応答速度が速く、低消費電力動作の熱変色性素子及び熱変色性表示装置の提供。
【解決手段】熱変色性素子２２０は、絶縁基板２０２と、背景色層２２６と、熱変色性構造体２１８と、少なくとも一つの加熱構造体２０８と、を備える。背景色層２２６、熱変色性構造体２１８及び加熱構造体２０８が、絶縁基板２０２に設置され、熱変色性構造体２２０が、背景色層２２６の、絶縁基板２０２から離れる表面に設置される。加熱構造体２０８が、カーボンナノチューブ構造体を含み、カーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブを含み、熱変色性構造体２１８を加熱することに用いられ、熱変色性構造体２１８は、透明状態及び不透明状態を変換できる変色材料からなる。また、この熱変色性素子２２０を採用している熱変色性表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する表示装置において、湾曲時の湾曲量に応じた表示制御を行うことで湾曲時の表示信頼性を確保することが可能な、新規かつ改良された表示装置及び表示装置の制御方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する基板と、前記基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、前記基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、前記基板の湾曲状態を検知する変位センサと、前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、前記表示部へ画像を分割して表示する制御を実行する制御部と、を備える、表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力にする。
【解決手段】駆動トランジスタＴ１は、電源ＶＤＤから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。駆動トランジスタＴ１のソース端が前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの一端に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの他端は電源電位Ｖｓｓに接続され、かつ、前記駆動トランジスタの前記有機ＥＬ素子の表示単位面積当たりの相互コンダクタンスが１×１０^−１１（Ａ／Ｖ^２／ｍ^２）以上である。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低く抑えることの可能な表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、有機ＥＬ素子１１（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）および画素回路１３を含む複数の表示画素１５が２次元配置された表示領域１０Ａと、有機ＥＬ素子１２および画素回路１６を含む１つの調整用画素１７が配置された非表示領域１０Ｂを有する。信号線駆動回路２３は、調整用画素１７に対応する信号線ＤＴＬに対して、映像信号処理回路２２で抽出された最大輝度となる映像信号２２Ａを出力する。電圧調整回路２６は、有機ＥＬ素子１２の電圧変動に応じた値の電源電圧を電源線駆動回路２５に出力し、電源線駆動回路２５は、複数の電源線ＰＳＬに、電源電圧調整回路２６から出力された電源電圧を順次印加する。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性を有する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬパネル１０と、放熱部材５０と、電気泳動パネル１１０と、少なくとも一方が透明な一対のフィルムシート８と、を備え、有機ＥＬパネル１０と放熱部材５０と電気泳動パネル１１０とがこの順に重ね合わされていると共に、放熱部材５０の一部５２ａを外部に露出させた状態で、一対のフィルムシート８により挟まれて封着されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する表示パネルを供えた電子書籍を提供する。また、画像の保持特性の高い電子書籍を提供する。また、高解像度の電子書籍を提供する。また、消費電力の低い電子書籍を提供する。
【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタによって、電子書籍の表示パネルの表示を制御するものである。 （もっと読む）

【課題】画素回路及びそれを利用した有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイを提供する。
【解決手段】ＯＬＥＤと、一側端子が第１電源に接続され、他側端子が第１ノードに接続されたストレージキャパシタＣ_ｓｔと、ゲート電極が第１走査線に接続され、第１電極が第１ノードに接続され、第２電極がＯＬＥＤのアノード電極に接続された第３トランジスタＴ３と、ゲート電極が第１走査線に接続され、第１電極がデータ線に接続され、第２電極が第２ノードに接続された第２トランジスタＴ２と、ゲート電極が発光制御線に接続され、第１電極が第１電源に接続され、第２電極が第２ノードに接続された第４トランジスタＴ４と、ゲート電極が第１ノードに接続され、第１電極が第２ノードに接続され、第２電極がＯＬＥＤのアノード電極に接続された第１トランジスタＴ１と、を備え、第１走査線から第１走査信号のパルス幅の制御を通じて第１ノードの電圧を調節することによって、前記ＯＬＥＤに伝えられる電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】目的の情報を検索、閲覧するに足る表示性能を保ちつつ、消費電力の低減による省エネルギー化と長時間動作とが可能な電子情報表示装置を提供すること。
【解決手段】行および列方向に２次元配列された複数の画素からなり、消費電力が画素の表示濃度の濃淡に依存し、表示濃度が濃くなるに従って増加する表示パネルに、情報を、情報本来の表示濃度で表示する第１の表示モードと、情報本来の表示濃度を変換して表示する第２の表示モードとを有し、所定の条件の場合に、第２の表示モードで表示を行うことにより、目的の情報を検索、閲覧するに足る表示性能を保ちつつ、消費電力の低減による省エネルギー化と長時間動作とが可能な電子情報表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する表示装置における湾曲時の表示信頼性を確保し、発熱を抑制することが可能な、表示装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有する基板と、基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、基板の湾曲状態を検知する変位センサと、変位センサにより基板の湾曲が検知された場合に、発光素子の共通カソード電極のカソード電位を制御する電位制御部と、を備える、表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板において各信号線に存在する抵抗や容量の分布に起因して画素電位に生じるレベルシフトを当該基板内で略均一とすることを目的とする。
【解決手段】走査信号線に平行に共通電極線が形成されるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板において走査信号の立ち下がりの際に生じる画素電位のレベルシフトの不均一性を解消すべく、走査信号線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、また、共通電極線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、走査信号線−画素電極間容量Ｃｇｄが大きくなるように、各画素回路を形成する。 （もっと読む）