柔軟な箔（２０）上の電気物理トランスデューサ（１０）の、担体（４０）との集合体が提供される。前記柔軟な箔（２０）は前記電気物理トランスデューサに接続された少なくとも第一の電気伝導性トラック（２４）を設けられた第一の主表面（２２）と、該第一の主表面の反対側にあり前記担体のほうに面する第二の主表面（２３）とを有する。前記少なくとも第一の電気伝導性トラックと並行して少なくとも第一の切り込み（２５ａ）が前記柔軟な箔を通って延在し、それにより前記少なくとも第一の電気伝導性トラックの一部を担持する前記柔軟な箔のストリップ形状部分を画定する。前記少なくとも第一の電気伝導性トラックは前記担体の電気伝導体（４２１）に電気的に接続され、前記柔軟な箔は、そのストリップ形状部分をもって前記担体に取り付けられる。
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【課題】ドレイン電流のオン／オフ比が高く維持されつつ、光電流とオフ電流が十分に小さい薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられたゲート絶縁層と、ゲート電極層と全面が重畳して設けられた第１の半導体層と、第１の半導体層上に接して設けられ、前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、少なくとも前記第１の半導体層の側壁を覆って設けられたサイドウォール絶縁層と、少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有する薄膜トランジスタとする。第２の半導体層は、第１の半導体層上に離間して設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】静電気によるＴＦＴ回路の動作不具合を回避するとともに歩留まりの向上を図ることのできる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置用基板、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置１００は、可撓性を有する素子基板３０と対向基板３１との間に電気泳動素子３２を挟持してなり、表示部５に画素回路、非表示部６に周辺回路が形成され、素子基板３０上に、表示部５に配置された画素回路と、非表示部６に配置された周辺回路と、画素回路の一部を構成するボトムゲート構造の選択トランジスタ上に層間絶縁層を介して形成される第１導電層７７Ａと、周辺回路の一部を構成するボトムゲート構造の第１トランジスタ上に層間絶縁層を介して形成される第２導電層７７Ｂと、を含む回路層３４を備え、第２導電層７７Ｂが接地されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極電位に起因したオフリーク電流が上昇しにくい低消費電力の表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、対向配置された第１の基板及び第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された表示素子と、第１の基板の表示素子側に形成された薄膜トランジスター２４と、薄膜トランジスター２４の表示素子側に、平面視で薄膜トランジスター２４と重なるように形成された画素電極２１と、薄膜トランジスター２４と画素電極２１との間の層に形成されたシールド電極２６と、を備える。シールド電極２６は、平面視で少なくとも薄膜トランジスター２４の低濃度不純物領域に重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジスタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の駆動能力の向上を図ることを課題の一とする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は、第１の配線と電気的に接続され、第１のトランジスタの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタのゲートは、第３の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタの第１の端子は、第３の配線と電気的に接続され、第２のトランジスタの第２の端子は、第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタは、酸化物半導体によりチャネル領域が形成され、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのチャネル幅が１μｍあたりのオフ電流が１ａＡ以下である。 （もっと読む）

【課題】高画質化を実現することが可能な表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器を提供する
【解決手段】走査線駆動回路２３が、映像信号電圧Ｖsigの書き込み時に、映像信号電圧Ｖsigの印加期間内に走査線ＷＳＬに対する選択パルスの印加を終了させる。また、信号線ＤＴＬの延在方向に沿った信号線駆動回路２４から各画素１１までの距離が大きくなるのに応じて、選択パルスの印加終了タイミングが遅くなることによって選択パルスの印加期間が長くなるように、印加期間の調整を行う。表示輝度の画素位置によるばらつきが低減もしくは回避され、画素位置に応じた画質劣化（垂直方向に沿ったいわゆるシェーディング現象の発生や、表示むらの発生）が低減もしくは回避される。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化することが可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１は次のようにして製造する。まず、基板１０上に、ゲート電極層１１、ゲート絶縁膜１２および半導体層１３を順に形成した後、領域１０Ａ，１０Ｂに渡りソース・ドレイン電極層１５を形成する。ソース・ドレイン電極層１５が、電極層１５ａと上部金属層１５ｂとを有することにより、その後の工程で、画素間絶縁膜１７をパターニング形成する際、電極層１５ａが損傷を受けずに済む。画素間絶縁膜１７の形成後、領域１０Ａにおいて、ソース・ドレイン電極層１５のうち上部金属層１５ｂを選択的に除去することにより、電極層１５ａの表面を露出させる。この露出した電極層１５ａ上に有機層１８およびカソード電極１９を形成することで、領域１０Ａに、ソース・ドレイン電極層１５（電極層１５ａ）をアノード電極として用いた有機発光素子１ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を図りつつ高画質化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】各画素１１に接続された２つの発光制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２に対して制御パルスを印加し、各色に対応する３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｂ，１１Ｇの発光動作および消光動作をそれぞれ制御する。各画素１１において、各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｂ，１１Ｇには、２つの発光制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２のうちの一の発光制御線が割り当てられて接続されている。２つの発光制御線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２のうちの少なくとも１つが、３つのサブピクセル１１Ｒ，１１Ｂのうちの一部である２つのサブピクセルに対して共通して接続されている。各サブピクセル１１Ｒ，１１Ｂ，１１Ｇでの構造や電流密度を各色同士で共通化すると共に、使用する発光制御線の数を削減しつつ、色ごとの劣化速度の相違に起因した経時的な色ずれが抑制される。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性の高い素子基板、素子基板の製造方法、素子基板の製造装置及び表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、当該基板上に設けられ、互いのゲート幅が同一方向に揃うように形成された複数のトランジスタ素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば基板上の積層構造における最上層側の段差を低減し、高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上の画素領域に設けられ、所定の形状にパターニングされた透明電極（９）と、透明電極の下地となる絶縁膜（４５）と、この絶縁膜上における画素領域のうち透明電極が形成された透明電極形成領域を除く透明電極非形成領域に設けられ、透明電極の上層側表面と絶縁膜の上層側表面との段差を低減するための段差低減膜（６１０）と、基板上の積層構造における透明電極及び段差低減膜と絶縁膜との間に基板上で平面的に見て絶縁膜に重なるように形成され、透明電極の屈折率と絶縁膜の屈折率との間の屈折率を有するエッチングストッパー膜（７１０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層による光透過率の低下を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１基板１１０上に位置する第１絶縁層１１６と、第１絶縁層１１６上に位置する下部電極１１８ｂと、下部電極１１８ｂの上面及び側面を囲むように形成された誘電体層１２０ａと、誘電体層１２０ａ上に位置する上部電極１２２ａと、を備える。第１絶縁層１１６は、誘電体層１２０ａに対してエッチング選択比を有してもよい。第１絶縁層１１６は、シリコン酸化物を含み、誘電体層１２０ａは、シリコン窒化物を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造のキャパシタを備える平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域の基板上に半導体で形成された活性層と、第２領域の基板上に半導体で形成された下部電極と、活性層及び下部電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、活性層上の第１絶縁層上に第１導電層及び第２導電層で形成されたゲート電極と、下部電極上の第１絶縁層上に第１導電層で形成された上部電極と、ゲート電極及び上部電極を含む上部に形成され、活性層及び上部電極が露出するようにパターニングされた第２絶縁層と、露出した活性層に接続されるソース電極及びドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どないＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】透明な第一基板上にゲート電極及びゲートアドレス線７を形成するステップと、前記ゲート電極を含む前記第一基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層上にドレーン電極及びソース電極とドレインアドレス線５、補助記憶コンデンサ電極１２を形成するステップと、前記補助記憶コンデンサ電極１２を含む前記第一基板上にフォトイメージ形成可能な有機絶縁層を設けるステップと、前記有機絶縁層にフォトイメージ工程を実施して前記補助記憶コンデンサ電極１２の表面が露出するコンタクト・ホール３６を形成するステップと、前記コンタクト・ホールを通じて前記補助憶補助コンデンサー電極１２の上部と電気的に接続されるピクセル電極３を形成するステップ、を有するＴＦＴアレイ。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスにおいて重複走査領域が発生する場合であっても、デバイス特性にばらつきの少ないＴＦＴパネルを提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタが列状に配列され、かつ互いに平行な複数の制御領域が連続して並んだ基板と、前記基板上に配置された平坦化膜とを有するＴＦＴパネルであって、前記制御領域には、最大結晶粒径が大きい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＸが列状に配列された制御領域Ｘと、最大結晶粒径が小さい半導体層からなるチャネルを有する薄膜トランジスタＹが列状に配列された制御領域Ｙと、が含まれ、前記制御領域Ｘ同士の中心間距離は、前記制御領域の短軸の３ｎ［ｎは１以上の整数］倍である、カラーディスプレイ用ＴＦＴパネル。 （もっと読む）

【課題】制約されたスペースで、検査用薄膜トランジスタを充分大きなサイズで形成し得る断線等検査回路を備える表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、複数画素に信号を供給する複数信号線と、前記信号線と接続する断線等検査回路とを備え、
前記断線等検査回路は、検査用薄膜トランジスタを複数段に配置し、
第１検査用配線ＩＷ１と下段の検査用薄膜トランジスタを介在させて接続される第２検査用配線ＩＷ２が、上段の検査用薄膜トランジスタの間を走行するように構成する。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおける光透過率を向上させることができる平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平板表示装置は、第１基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域を含む活性層と、活性層を含む第１基板上に形成されたゲート絶縁層と、チャネル領域上のゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含むゲート絶縁層上に形成された第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜及びゲート絶縁層に形成されたコンタクトホールを介してソース領域及びドレイン領域の活性層に接続されたソース電極及びドレイン電極と、第１層間絶縁膜とソース電極及びドレイン電極との間に介在する第２層間絶縁膜と、ソース電極及びドレイン電極を含む第１層間絶縁膜上に形成された保護層と、保護層に形成されたビアホールを介してソース電極またはドレイン電極に接続された画素電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】素子を増やさずに、有機ＥＬ素子の発光、消光を制御することの可能な表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ素子１１と直列に接続された駆動トランジスタＴｒ₁として、デュアルゲート型のトランジスタが用いられている。駆動トランジスタＴｒ₁のバックゲートの電圧を所定の電圧に変更することにより、駆動トランジスタＴｒ₁がオフし、それに伴って、有機ＥＬ素子１１が消光する。また、バックゲートの電圧が上記とは異なる所定の電圧となっている状態で、Ｖ_th補正、書き込みおよびμ補正が実行された後、書き込みトランジスタＴｒ₂をオフすることにより、有機ＥＬ素子１１が所望の輝度で発光する。 （もっと読む）