【課題】狭額縁化を実現可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置１００は、素子基板１０上に対向配置された一対の電極としての画素電極２１と陰極２７と、一対の電極間に配置された発光層２３を含む機能層２５とを有する発光素子３０と、複数の発光素子３０が配置された画素領域１０７と、素子基板１０上において画素領域１０７の外側に配置され、一対の電極のうちの一方の電極としての陰極２７に電気的に接続される接続配線１０６と、接続配線１０６に重なると共に接続配線１０６より画素領域１０７側に延在して配置された接続部１０５と、を備え、陰極２７は、画素領域１０７に亘って設けられると共に、画素領域１０７の外側にて接続部１０５の画素領域１０７に近い側の一方の端部１０５ａに重なって設けられている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の有機発光ディスプレイにおいて、有機発光素子を交流で駆動する回路を提供する。
【解決手段】データ信号に応じてコンデンサを充電するスイッチング用ＴＦＴと、コンデンサからの電圧に応じて有機発光素子１０５の発光を制御する電流制御用ＴＦＴ１０２とを備えた画素１００の回路にさらに、整流特性を有する素子１０９を設ける。交流電源１０６から整流特性を有する素子１０９に順方向に電圧をかけることで、容易に有機発光素子に逆バイアスを加えることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）
と、基板と画素電極との間に、画素電極に対応して設けられたトランジスタ（３０）と、
画素電極とトランジスタとの間に設けられており、第１電極（７１）、第１電極の下層側
に下側容量絶縁膜（７５）を介して対向配置された第２電極（７２）、及び第１電極の上
層側に上側容量絶縁膜（７６）を介して対向配置された第３電極（７３）からなる保持容
量（７０）とを備える。下側容量絶縁膜及び上側容量絶縁膜は、それぞれ複数の層を有し
ており、下側容量絶縁膜及び第２電極と、上側容量絶縁膜及び第３電極とは、第１電極か
ら見て対称性を有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】表示部において高い開口率を有し、かつ温度による輝度の変化が少ない有機ＥＬ表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】Ｎ型トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有するモニタ部と、Ｎ型トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する表示部と、を具備する表示装置において、モニタ部において、黒の階調及び白の階調におけるＮ型トランジスタの閾値電圧を、それぞれ検出する。検出した閾値電圧を用いて、表示部のＮ型トランジスタに出力するビデオデータを補正する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の段差部を有した絶縁層２５を形成する工程と、スパッタ法により前記段差部を覆うようにして前記絶縁層２５上に犠牲層２８を成膜する工程と、前記段差部に対応する領域における前記犠牲層２８のうちの少なくとも一部の除去と、前記除去により前記犠牲層２８から露出された領域における前記絶縁層２５の除去とを、ドライエッチングにより連続して行う工程と、前記ドライエッチングで残存した前記犠牲層２８の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば電気泳動表示装置等の電気光学装置において、長期信頼性を確保し高品位な表示を行う。
【解決手段】ダブルゲート型トランジスター（２４、２５ａ１、２５ｂ１、２５ａ２或いは２５ｂ２）を含むデータ保持回路（２８）と、該データ保持回路（２８）を駆動するために、データ書込み時に第１の電源電圧（例えば５Ｖ）を供給すると共に、電気光学素子（２３）の駆動時に電気光学素子（２３）の駆動電圧に応じた第２の電源電圧（例えば１５Ｖ）を供給する電位制御部（２１０）とを備え、電位制御部（２１０）は、第１の電源電圧（例えば５Ｖ）と第２の電源電圧（例えば１５Ｖ）との間の中間電圧（例えば７．５Ｖ）をダブルゲート型トランジスター（２４、２５ａ１、２５ｂ１、２５ａ２或いは２５ｂ２）のソース側及びドレイン側の一方のゲートに印加する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。
【解決手段】各画素に、駆動用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続し、さらにＥＬ素子と電気的に並列接続している容量を設け、容量の充放電を確認することによって、駆動用ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断をおこなう。こうして、不良品をＥＬ材料の成膜前に除去可能であり、製造費用の削減がはかれる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオン電流の向上を図る。
【解決手段】ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。特に、プラズマ処理後に不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）を形成するので、不純物半導体膜５ｇ，５ｆ（６ｇ，６ｆ）がプラズマに晒されて変質することがなく、薄膜トランジスタ５、６において、結晶性シリコンを含む半導体膜５ｂ、６ｂに応じたオン電流の向上が得られる。 （もっと読む）

【課題】駆動トランジスタのゲート電極に付く寄生容量、特に、駆動トランジスタのゲート−ソース間の容量値を低減することでブートストラップゲインを向上し、画面のユニフォーミティを損なうことなく、良質な表示画像を得るようにする。
【解決手段】サンドイッチゲート構造を採る駆動トランジスタ２２を有する画素構造において、有機ＥＬ素子をバックゲート電極２２６の少なくとも一部とアノード電極２０５が対向するように形成する。すると、バックゲート電極２２６とアノード電極２０５との対向部位間に寄生容量Ｃ_gaが形成される。この寄生容量Ｃ_gaは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に介在する容量成分となり、ゲート−ソース間の寄生容量の容量値を減らす方向に作用する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に薄膜トランジスタアレイを集積したアクティブマトリクス基板に用いられる薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の上方に形成された半導体層と、半導体層と交差するように形成されたソース電極と、半導体層と交差するように形成されたドレイン電極とを備える。半導体層の側面のうち、ソース電極およびドレイン電極が延びる方向に平行な側面は、ソース電極およびドレイン電極の外側の側面に整合している。 （もっと読む）

【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積（deposited）によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して１つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記１つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも１つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの自由度の高い発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、第１電極３４と、第２電極４０と、第１電極３４と第２電極４０との間に配置された少なくとも１層以上のキャリア輸送層３８と、を有する発光素子２１と、発光素子２１に接続された発光駆動トランジスタＴｒ１３と、キャパシタ電極Ｃｓ１を有するキャパシタＣｓと、キャパシタ電極Ｃｓ１を介して発光駆動トランジスタＴｒ１３に接続された選択トランジスタＴｒ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】各発光画素ごとに均一な発光が可能となる表示装置を提供する。
【解決手段】画素駆動回路ＤＳ１１は、画素ごとに形成された画素電極１４２と、各画素電極１４２と対向して配置された対向電極と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタである第１及び第２駆動トランジスタＴｒ５３,Ｔｒ５４、並びに第１及び第２スイッチング素子Ｔｒ５１,Ｔｒ５２とを備えている。第１駆動トランジスタＴｒ５３は、画素電極１４２の一辺側に接続されており、第２駆動トランジスタＴｒ５４は、画素電極１４２の一辺側に対向する他辺側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有してなる表示装置用アレイ基板において、必要な層間の導通が確実に確保される構造を有する表示装置用アレイ基板及びそのような表示装置用アレイ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板１００にゲート電極線１４２が形成されており、このゲート電極線１４２にゲート絶縁膜１０４が形成されている。ゲート絶縁膜１０４には半導体膜１０５、オーミックコンタクト層１０７が順次形成され、オーミックコンタクト層１０７には一部の位置がゲート電極線１４２と重なるように、ジャンパー線１４３が形成されており、このジャンパー線１４３上にはＯＣ−ＳｉＮ膜１１１が形成されている。ゲート電極線１４２とジャンパー線１４３とを露出させるようにコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールによってゲート電極線１４２とジャンパー線１４３との導通がなされる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の表示品質を向上させて製造工程を単純化できる酸化物薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】酸化物薄膜トランジスタは基板、基板上に配置されるゲートライン、基板上にゲートラインから絶縁され、ゲートラインを交差するデータライン、ゲートラインとデータラインに電気的に接続され、酸化物層を含む酸化物薄膜トランジスタ、および酸化物薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極を含み、酸化物薄膜トランジスタの酸化物層は、チャネルを含み半導体特性を有する第１部分と、第１部分を囲み、導電性を有する第２部分を含み、第１部分は画素電極と電気的に接続され、第２部分はデータラインと電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】トップエミッション型有機ＥＬ素子を有する表示装置において、陰極の平坦化および陰極の高精細化がなされる表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供すること。また、合わせて低コストで長期信頼性の高いコンタクトホール構造を有する表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提供すること。
【解決手段】本表示装置は、基板と、前記基板上に形成されるトランジスタと、前記トランジスタ上に形成される層間絶縁膜と、前記トランジスタの一つの電極上に設けられ、かつ、前記層間絶縁膜を貫通する導電ポストと、前記層間絶縁膜上に形成される画素電極と、前記導電ポストの上方に位置する第１の隔壁と、前記第１の隔壁と交差してまたは交差する直線上に位置し前記画素電極の幅値を所定値にする第２の隔壁と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】品質や信頼性の高い発光装置及びその製造方法、並びに、電子機器を提供する。
【解決手段】回路基板に適用される接続端子１０は、絶縁性の基板１１上に設けられた矩形状の平面形状を有する透明電極層１２と、当該透明電極層１２の縁辺部に沿って設けられた金属配線層１３と、を有している。すなわち、透明電極層１２は、高い透光性を有する導電層により形成されている。金属配線層１３は、透明電極層１２の全周に渡る縁辺部を被覆し、当該縁辺部に沿って枠状の平面形状を有するように設けられている。また、金属配線層１３は、上述した透明電極層１２に比較して高い導電性を有するとともに、高い遮光性を有する導電層により形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路規模を縮小する、または半導体装置の駆動能力の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体によりチャネル領域が形成されるトランジスタをプルダウントランジスタとして適用する。当該酸化物半導体は、２．０ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する。そのため、トランジスタにおけるホットキャリア劣化を抑制することができる。その結果、当該プルダウントランジスタを有する半導体装置の回路規模を縮小することができる。また、プルアップトランジスタのゲートを、当該トランジスタのスイッチングによって浮遊状態とする。なお、当該酸化物半導体を高純度化することで、トランジスタのオフ電流を１ａＡ／μｍ（１×１０^−１８Ａ／μｍ）以下とすることが可能である。その結果、半導体装置の駆動能力の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】均一な画質の映像を表示できるようにした画素を提供すること。
【解決手段】本発明による画素は、第１電源と第２電源との間に接続される有機発光ダイオードと、前記第１電源と前記有機発光ダイオードとの間に接続され、前記有機発光ダイオードに供給される駆動電流を制御する画素回路とを備え、前記画素回路は、第１電極がデータ線に接続され、第２電極が第１ノードに接続され、ゲート電極が現在の走査線に接続される第１トランジスタと、第１電極が前記第１ノードを経由して前記第１電源に接続され、第２電極が前記有機発光ダイオードに接続され、ゲート電極が第２ノードに接続される第２トランジスタと、前記第１電源と前記第２ノードとの間に接続される第１キャパシタと、前記第２ノードと前記現在の走査線との間に接続される第２キャパシタとを備え、前記第１キャパシタの２つの電極が互いに重なる領域において、前記第１キャパシタの２つの電極中の１つ以上の電極に開口部が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）