【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 （もっと読む）

【課題】 画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、表示パネルに設けられたセンサモジュールＭとを備える。センサモジュールＭは、複数のセンサ回路ＳＮと、複数の容量カップリング線ｃｕｐと、複数のプリチャージ線ｐｒｅと、複数のプリチャージ制御線ｐｒｅｇと、複数の出力線ｏｕｔと、複数の出力制御線ｏｕｔｇとを有している。センサ回路ＳＮは、それぞれ隣合う複数の画素ＰＸが設けられた領域内に１つの割合で配置され、行方向Ｘに延在し、入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Ｃｆを具備している。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画像表示領域の面積をそのまま確保しながら小型化する。
【解決手段】電気光学装置は、一対の第１及び第２基板が貼り合わされてなり、第１基板は、その第１辺において平面的に見て第２基板より張り出した張出部を有する。第１基板に、複数の画素部、走査線駆動回路、データ線駆動回路、複数の外部回路接続端子、複数の引回配線を備える。更に、データ線駆動用配線及び走査線駆動用配線よりも第１基板の第１辺と対向する第３辺に近い側に配置されていると共に対向電極電位線に接続されており、対向電極電位を供給するための上下導通端子を備える。第２基板に、対向電極を備える。第１及び第２基板間に、上下導通端子と対向電極とを電気的に相互接続する上下導通材を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い駆動周波数で駆動できるようにした有機電界発光表示装置に関する。
【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、走査線、データ線、及び発光制御線の交差部に位置する画素と、前記画素を含み、２つ以上のブロックに分割される画素部と、前記走査線に走査信号を順次に供給するための走査駆動部と、前記走査信号に同期するように、前記データ線にデータ信号を供給するためのデータ駆動部と、前記ブロック単位で前記発光制御線に接続される２つ以上の発光駆動部とを備え、前記発光駆動部は、自身と接続した発光制御線に発光制御信号を供給し、前記ブロック単位で少なくとも１つ以上の発光制御信号は同じ時点に供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽く、薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供する。
半導体装置および電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、フレキシブル性を有する第１基板３０と、第１基板３０上に形成される複数の画素電極３５と、第１基板３０内に埋め込まれた少なくとも１つのドライバＩＣ８９と、ドライバＩＣ８９と画素電極３５とが接続配線２２を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の昇圧回路の高効率化を図ることが可能な半導体チップと、それを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】この携帯電話機では、昇圧回路８のトランジスタ１２の前段にバッファ１４を設け、バッファ１４の入力ノードの寄生容量値をトランジスタ１２のゲートの寄生容量値よりも小さく設定し、トランジスタ１２およびバッファ１４を１つの半導体チップ２１に搭載する。したがって、トランジスタ１２のゲートにおけるＰＷＭ信号φＰのレベル変化の鈍りを抑制することができ、昇圧回路の高効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示部の短手方向の基板空き領域への出っ張りを最小限に抑制できるようにすると共に、表示部を含む装置全体の形態を縦方向に比べて横方向が長くなる横長化できるようにする。
【解決手段】画素電極の各々に対応して接続された複数のＳＥＧ配線１３，１４と、対向電極の各々に対応して接続された複数のＣＯＭ配線１５，１６とが格子状を成して情報を表示する表示部１２と、表示部１２のＣＯＭ配線及びＳＥＧ配線に接続され、画素電極及び対向電極間に所定の電圧を印加して画素の表示駆動をする表示ドライバ１１とを備え、表示部１２は、長手方向に所定の幅を有し、かつ、短手方向に所定の高さを有して所定の大きさの情報表示基板１０１に配置され、表示ドライバ１１は、表示部１２の長手方向の一方側に隣接する基板空き領域に配置されるものである。 （もっと読む）

【課題】複数の有機ＥＬ素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機ＥＬ素子５０と電源ラインＶＬとの間に、電源ラインＶＬから供給する電流量を制御する素子駆動用ＴＦＴ２０を備え、ＴＦＴ２０のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はＴＦＴ２０を制御するスイッチング用ＴＦＴ１０にデータ信号を供給するデータラインＤＬの延在方向、又はＴＦＴ２０の能動層１６を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインＶＬとＴＦＴ２０の間にＴＦＴ２０と逆特性の補償用ＴＦＴ３０を備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極を備えている。前記基板は、ＴＦＴ及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線（４００）とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域（５３）上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン（４０６）を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子（１０２Ｑ）に接続された配線（４０４）とも同一膜として形成されている。 （もっと読む）

【課題】超低消費電力を実現しながら、画素回路内の素子数を削減し、さらに画素回路内のトランジスタのスレッショルド電圧の変化にも対応することが可能な画素回路を提供する。
【解決手段】電気光学素子と、第１制御信号線上の第１制御信号により制御される第１スイッチ素子と、第２制御信号線上の第２制御信号により制御される第２スイッチ素子と、第２スイッチ素子の制御端子に一方の電極端子が接続され、第２スイッチ素子の一方の電極端子に他方の電極端子が接続される第４スイッチ素子と、電気光学素子に保持された画像データに対応する電圧レベルのサンプリング結果を保持する第１容量素子及び第２容量素子と、を備え、電気光学素子に保持された画像データに対応する電圧レベルが、第１スイッチ素子を介して第１容量素子にサンプリングされ、第２スイッチ素子を介して第２容量素子にサンプリングされることを特徴とする、画素回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】ドライブトランジスタの移動度の影響をキャンセル可能な画素回路を提供する。
【解決手段】少なくとも、サンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、画素容量と、発光素子とを含み、サンプリングトランジスタにあっては、ゲートは走査線に接続されており、ソース及びドレインの一方は信号線に接続されており、ソース及びドレインの他方はドライブトランジスタのゲートに接続されており、ドライブトランジスタにあってはソース及びドレインの一方は発光素子の一端に接続されており、画素容量はドライブトランジスタのゲートとソース及びドレインの一方との間に接続されている画素回路であって、信号線から信号電位がドライブトランジスタのゲートに供給されている間に、ソース及びドレインの他方が電源に接続されたドライブトランジスタを介して流れる電流によってドライブトランジスタのソース及びドレインの一方の電位を信号電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】ドライブトランジスタの移動度の影響をキャンセル可能な画素回路を提供する。
【解決手段】少なくとも、サンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、画素容量と、発光素子とを含み、サンプリングトランジスタにあっては、ゲートは走査線に接続されており、ソース及びドレインの一方は信号線に接続されており、ソース及びドレインの他方はドライブトランジスタのゲートに接続されており、ドライブトランジスタにあってはソース及びドレインの一方は発光素子の一端に接続されており、画素容量はドライブトランジスタのゲートとソース及びドレインの一方との間に接続されている画素回路であって、信号線から信号電位がドライブトランジスタのゲートに供給されている間に、ソース及びドレインの他方が電源に接続されたドライブトランジスタを介して流れる電流によってドライブトランジスタのソース及びドレインの一方の電位を信号電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを提供する。また、電気特性の変動が少なく、信頼性の高いトランジスタを、生産性高く作製する。また、経年変化の少ない表示装置を提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体膜との間に、微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域を有する半導体積層体を有し、微結晶半導体領域は、ゲート絶縁膜側の窒素濃度が少なく、非晶質半導体に接する領域の窒素濃度が高く、且つ非晶質半導体との界面が凹凸状である。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）