【課題】画素が高精細になっても所望の電気容量を有する保持容量を実現可能な電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、データ線６ａ及び走査線３ａと、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して設けられたトランジスター３０と、トランジスター３０に電気的に接続され、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとが誘電体層を介して対向配置される保持容量と、を備え、第１容量電極１６ａは、第１導電膜と第１導電膜の上面及び側面を覆う第２導電膜とを有し、第２容量電極１６ｂは、第１容量電極１６ａの上面及び側面において誘電体層を介して第１容量電極１６ａと対向して保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層８の一方は、電極９，１０の一方に接触して覆われた接触部分８１と、接触部分８１よりも厚さ方向Ｄ２において薄く、厚さ方向Ｄ２から見て電極９，１０の一方からはみ出して電極９，１０の他方へと延在して半導体能動膜７の少なくとも一部７１を避けて覆う延在部分８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部（ａ）と周辺部（ｃ）とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜３上に半導体層４と画素電極５を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部（ａ）の半導体層４と画素電極５とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部（ａ）と周辺部（ｃ）における半導体層４を露出させ、周辺部の半導体層４をエッチング量の指標として用いて画素領域（ａ）の半導体層４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】例えばマトリクス駆動方式の電気光学装置において、消費電力を低減する。
【解決手段】電気光学装置の制御方法は、第１の選択期間において低電位（ＶＬ）が供給されるとともに第２の選択期間において高電位（ＶＨ）が供給されるデータ線の数と、第１の選択期間において高電位が供給されるとともに第２の選択期間において低電位が供給されるデータ線の数との和である第１の和（Ｎ２Ｖ）が、第１の選択期間において低電位が供給されるとともに第２の選択期間において低電位が供給されるデータ線の数と、第１の選択期間において高電位が供給されるとともに第２の選択期間において高電位が供給されるデータ線の数との和である第２の和（Ｎ０）よりも大きい場合には、第１の選択期間と第２の選択期間との間の期間において、複数のデータ線の全てに基準電位（ＧＮＤ）が供給されるように、駆動部を制御する。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において各画素では、透光の誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に第１電極層７が設けられ、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に透光性の第２電極層８ａが設けられている。このため、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。また、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４が設けられている。このため、画素電極９ａを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第１電極層７と画素電極９ａの端部との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】表示画素に有機電界発光素子を用いた場合に、装置全体の厚みを増大させることなくタッチセンサ機能を付加することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムエミッション方式による有機ＥＬ表示装置１は、光取り出し面を有する透明基板１１上に、複数の画素電極１９Ａと、発光層を含む有機層２１と、上部電極２２と、封止用基板２４とをこの順に備える。透明基板１１と封止用基板２４との間に、透明基板１１の側から順に、検出電極１２と、この検出電極１２との間に容量素子Ｃ１を形成するセンサ用駆動電極１９Ｂとを備える。有機層２１から発せられた光は透明基板１１側から取り出される（透明基板１１側に画像が表示される）一方で、その透明基板１１の表面に接触または近接する物体の検出がなされる。 （もっと読む）

【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１Ａは、駆動側基板１０上に、有機ＥＬ素子１０Ａと、トランジスタ１０Ｂと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子１０Ｃとを備えたものである。保持容量素子１０Ｃは、駆動側基板１０の側から順に、導電膜２７Ａ、酸化物半導体よりなる半導体層１１、絶縁膜１２Ｂおよび導電膜１３Ｂを積層してなる。保持容量素子１０Ｃでは、導電膜２７Ａ，１３Ｂ間において容量形成がなされ、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】表示画質を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示装置１は、表示素子（液晶素子ＬＣ）を含む複数の画素１０と、互いに異なる階調電位を保持する複数種類の電位線（黒電位線ＬＢおよび白電位線ＬＷ）と、複数種類の電位線のうちの選択された１種の電位線の階調電位が表示素子に対して供給されるように、映像信号に基づいて各画素１０の表示駆動を行う駆動部とを備えている。表示素子への印加電圧または印加電流の変動量に対する表示輝度の変動量に対応する輝度勾配が相対的に急峻である階調電位（例えば黒階調電位）を保持する第１の電位線（例えば黒電位線ＬＢ）の抵抗値が、輝度勾配が相対的に緩やかである階調電位（例えば白階調電位）を保持する第２の電位線（例えば白電位線ＬＷ）の抵抗値と比べて低くなっている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールに起因する画素電極の凹凸を緩和することができる電気光学装置、投射型表示装置、電子機器および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを導通させるにあたって、コンタクトホール４５ａの底部４５ａ1を避けて、コンタクトホール４５ａの側壁４５ａ2およびコンタクトホール４５ａの外部に第２絶縁膜４７を設ける。このため、コンタクトホール４５ａは、コンタクトホール４５ａの側壁４５ａ2に設けられている第２絶縁膜４７の厚さ分は、平面サイズが小さくなっている。かかる構造は、コンタクトホール４５ａを形成した後、第２絶縁膜４７を形成し、第２絶縁膜４７に対して異方性エッチングを行うことにより実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２および第１配線層２１を形成したのち、全面にゲート絶縁膜１３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第２保護膜２３を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極１７および第２配線層２４を形成する。これにより、チャネル層１４表面の損傷が防止されると共に、配線部２０のクロス容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上し、もって、高輝度化且つ低消費電力化が実現可能な有機ＥＬ素子、およびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明電極であるカソード電極２５と、光を透過する金属層である透明金属層２４３および光を反射する金属層である反射性金属層２４１で少なくとも構成され、透明金属層２４３および反射性金属層２４１が積層された第１領域と、光を透過する絶縁層である透明絶縁層２４２が透明金属層２４３および反射性金属層２４１の間に形成された第２領域とを有するアノード電極２４と、カソード電極２５およびアノード電極２４の間に形成され、カソード電極２５を介して出射される光を発光する有機ＥＬ層２３と、を備え、有機ＥＬ層２３は、前記第２領域における透明金属層２４３と接して形成され、反射性金属層２４１は、前記第２領域において、有機ＥＬ層２３からの発光を反射する。 （もっと読む）

【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】アレイ領域と周辺領域とを有する前面基板１０００であって、アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体１０１１ａ−１０１１ｄ，１０１３ａ−１０１３ｃを有し、周辺領域内にランドをさらに有し、ランドの少なくとも一部が、アレイ領域内の支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、周辺領域内のランド上に重ねて形成された複数の導体であって、導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、前面基板の下側領域上に形成された導電層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の基板間導通端子の導通不良を原因とする不具合が発生している場合において、導通不良となっている基板間接続端子を効率よく探し出せるようにする。
【解決手段】対向基板１２の４隅とＴＦＴ基板１１との間には基板間導通端子１，２，３，４がある。ＴＦＴ基板１１における基板間導通端子１，２と外部回路接続端子８との間には配線Ｌ_１８及びＬ_２８がある。基板間導通端子１及び２間、基板間導通端子１及び３間、基板間導通端子３及び４間、基板間導通端子２及び４間には配線Ｌ_１２，Ｌ_１３，Ｌ_３４，及びＬ_２４がある。配線Ｌ_１８と配線Ｌ_２３の間には基板間導通端子１を迂回する配線Ｌ_ＤＴＲ１がある。配線Ｌ_２８と配線Ｌ_２４の間には基板間導通端子２を迂回する配線Ｌ_ＤＴＲ２がある。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくして、発光素子１５０に流す電流を制御する。
【解決手段】互いに交差する走査線１１２およびデータ線１１４と、これらの交差に対応して設けられた画素回路１１０と、シールド配線８１ａ、８１ｂとを有する。画素回路１１０は、発光素子１５０と、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０と、トランジスター１４０のゲートノードｇとデータ線１１４との間で、走査線１１２に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるトランジスター１３０と、を備え、シールド配線８１ａ、８１ｂは、平面視したときにデータ線１１４とトランジスター１４０との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電源線の抵抗を抑制しながら各要素を電源線と同層から形成する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと素子導通部７１と初期化トランジスタＴintと接続部６１とが配置される。駆動トランジスタＴdrは、電源線１５から発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。素子導通部７１は、駆動トランジスタＴdrと発光素子Ｅとを電気的に接続する。初期化トランジスタＴintは、オン状態に遷移することで駆動トランジスタＴdrをダイオード接続する。接続部６１は、駆動トランジスタＴdrと初期化トランジスタＴintとを電気的に接続する。電源線１５はＸ方向に延在する。素子導通部７１および接続部６１は、電源線１５と同層から形成され、基板１０に垂直な方向からみて、駆動トランジスタＴdrを挟んで電源線１５の幅方向（Ｙ方向）における一方の側に位置する。 （もっと読む）