【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】パネルのうちカメラと対応する部分に透過孔が形成されている非表示領域まで液晶を注入させた、ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】上部基板と下部基板との間に液晶が充填された状態で密封されるパネルを含むディスプレイユニットと、前記ディスプレイユニットを支持するためのガイドフレームとを含み、前記ガイドフレームは、前記パネルの側面をガイドするためのガイド側壁と、前記パネルを支持するためのパネル支持部とを含み、前記パネル支持部のうち第１パネル支持部には、カメラが取り付けられるカメラ収納部が形成され、前記上部基板のうち前記第１パネル支持部に載置される第１非表示領域に形成されたブラックマトリックスには、前記カメラに光が透過できるよう透過孔が形成され、前記液晶は、前記パネルの表示領域及び前記第１非表示領域に充填されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】明るい画像表示の可能な、信頼性の高い電子装置を提供する。さらに、上記電子装置の製造コストを低減するためのプロセスを提供する。
【解決手段】トランジスタと発光素子とを有する画素部を有する第１の基板と、前記第１の基板上に、前記画素部を取り囲むように設けられた第１シール材と、前記第１シール材により前記第１の基板に固着された第２の基板と、前記第１シール材の外側で、前記第１の基板の側面と前記第２の基板の側面とを覆う第２シール材と、を有し、前記第２シール材は、前記第１シール材の側面に接して設けられていることを特徴とする電子装置。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜にピンホール等の欠陥が生じたとしても金属導電膜の腐食を抑制し、透明導電膜と金属導電膜との間の導通を確実にとることが可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属導電膜としてのゲート端子１２１、ドレイン端子１２２上にＯＣ−ＳｉＮ膜１０９を形成し、ゲート端子１２１及びドレイン端子１２２が露出するようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してゲート端子１２１及びドレイン端子１２２に接触するようにＩＴＯ膜を成膜してパターニングし、ＩＴＯ膜に対して酸化膜形成処理を行う。これにより、ＩＴＯ膜にピンホール等の欠陥が発生していた場合には、欠陥を介してＩＴＯ膜下のゲート端子１２１ドレイン端子１２２の一部が酸化されて酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高く、かつ、オン電流の大きい半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として、酸素放出量の多い絶縁層を用い、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する絶縁層として、酸素放出量の少ない絶縁層を用いる。酸素放出量の多い絶縁層から酸素が放出されることにより、チャネル領域中の酸素欠損及び当該絶縁層とチャネル領域の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。ソース領域及びドレイン領域については、酸素放出量の少ない絶縁層に接して設けることで、ソース領域及びドレイン領域の高抵抗化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、チャネル幅が１μｍあたりのオフ電流の値を１×１０^−１２Ａ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、オフ電流の変動に起因する消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】装置全体の大型を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】供給された基板ＦＢに所定の処理を施し回収する基板処理方法であって、基板の一端を他端と接合して基板を無端状に形成する形成工程と、無端状の基板を搬送する搬送工程と、搬送された基板に所定の処理を施す処理工程と、所定の処理が施された基板を回収する回収工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ストレージキャパシタの電極の透明導電性物質で形成する場合に、ゲート絶縁膜蒸着工程の時使用されるガスと、前記透明導電性物質が反応して発生されるヘイズの不良を改善するための液晶表示装置アレイ基板、及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の第１領域及び第２領域に区分される基板の前記第１領域上にゲート電極が形成される工程と、前記第２領域の基板上に透明導電性物質で具現されるストレージ下部電極が形成される工程と、前記ゲート電極及びストレージ下部電極を含む基板上にゲート絶縁膜が形成される工程と、を含み、前記ゲート絶縁膜は第１から第３ゲート絶縁層の積層構造で具現されることを特徴とする液晶表示装置のアレイ基板製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エネルギー障壁調整のための有機化合物層を積層することなく、エネルギー障壁の最適化がなされた有機ＥＬ表示装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】陽極に接する正孔輸送層或いは正孔注入層を、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光色に対応して異なるイオン化ポテンシャルを有する複数の領域からなるものとし、陽極の該正孔輸送層或いは正孔注入層に接する面を、該イオン化ポテンシャルに対応して異なる仕事関数を有する複数の領域からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱変色性素子及び熱変色性表示装置に関する。
【解決手段】本発明の熱変色性素子は、密封筐体と、隔離層と、第一加熱構造体と、第二加熱構造体と、有色顕色層と、を備える。前記密封筐体の中に、密封空間が形成される。前記隔離層が、前記密封空間を第一空間及び第二空間に分けて、前記第一空間に囲まれた前記密封筐体の少なくとも一部が透明である。前記第一加熱構造体が、前記第一空間を加熱することに用いられる。前記第二加熱構造体が、前記第二空間を加熱することに用いられる。前記有色顕色層が、前記第一空間又は前記第二空間の中に設置され、加熱されるので、気体状態になる前記有色顕色層が前記隔離層を通って前記第一空間と前記第二空間との間で位置変換を行う。また、本発明は、熱変色性素子を利用した熱変色性表示装置を提供する。 （もっと読む）

電気機械変調器及びそれを製造する方法が開示されている。一実施形態において、ディスプレイはボイドが形成されたメンブレン層を有する副画素を含む。ボイドは、メンブレン層の柔軟性が増加するように構成されることができる。副画素はさらに、観察者からボイドを隠すように構成された光学マスクを含むことができる。他の一実施形態において、ディスプレイは、少なくとも二つの可動反射体を含むことができ、それぞれの可動反射体は、異なる剛性を有するが、それぞれの可動反射体は、ほぼ同じ有効熱膨張係数を有する。
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【課題】本発明は、熱変色性素子及び熱変色性表示装置に関する。
【解決手段】本発明の熱変色性素子は、密封筐体と、隔離層と、第一加熱構造体と、第二加熱構造体と、熱変色性構造体と、吸収層と、を備える。前記密封筐体の中に、密封空間が形成され、前記隔離層が、前記密封空間を第一空間及び第二空間に分け、前記第一空間に囲まれた前記密封筐体の少なくとも一部が透明である。前記熱変色性構造体が、前記第一空間の中に設置され、気体の放出・吸収によって、その色が変わる。前記第一加熱構造体が、前記熱変色性構造体を加熱することに用いられる。前記吸収層が、前記第二空間の中に設置され、気体の吸収・放出に用いられる。前記第二加熱構造体が、前記吸収層を加熱することに用いられる。また、本発明は、熱変色性素子を利用した熱変色性表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば各画素における光透過率を高め、明るく高品位な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、素子基板（１０）と、素子基板に設けられた画素電極（９）と、素子基板の少なくとも一部に形成された半導体素子（３０）と、前記素子基板の少なくとも一部に形成された溝（２１０ｖ）からなる光反射部（２１０）とを備え、半導体素子は、素子基板上で平面的に見て、光反射部と互いに重なるように配置されると共に、少なくとも溝の開口部を覆うように設けられた平坦化膜（２１１）上に配置される。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）