本発明は電界放射ディスプレイの製造方法に関し、排気された室中に電子放射体を構成し、電子放射体付近に波長変換材料を配置し、排気された室中に電子放射源を設けるステップを含んでおり、電子放射源は電子を電子放射体へ放射し、電子放射源は、基板を有し、複数のＺｎＯナノ構造を基板上に形成して形成され、ＺｎＯナノ構造は第１の端部と第２の端部を有し、第１の端部は前記基板に接続され、ＺｎＯナノ構造を相互に電気的に絶縁するために電気絶縁体を設け、導電部材をＺｎＯナノ構造の第２の端部に接続し、支持構造を導電部材上に設け、基板を除去してＺｎＯナノ構造の第１の端部を露出して形成される。本発明の利点は高さが整列されていないナノ構造の小さいセクションの存在による電界放射ディスプレイの寿命の増加を含んでいる。さらに高価な従来技術のエッチング、研磨等のステップを使用して、ナノ構造の「高さを整列」する必要をなくすことにより廉価な最終製品を実現できる。 （もっと読む）

【課題】エミッタ膜表面と粘着テープの粘着面との間に気泡が残らないようにしてエミッタ膜表面に粘着性シートの粘着面を貼り付けられるようにする。
【解決手段】カーボンナノチューブ８と無機バインダ１０とを含むエミッタ膜４の表面に粘着性シート１４の粘着面を貼り付け、次いでこの貼り付けた粘着性シート１４の粘着面をエミッタ膜４表面から剥離してカーボンナノチューブ８をエミッタ膜４表面から露出させると共に起毛させるカーボンナノチューブ起毛方法において、上記貼付に際しては、エミッタ膜４表面を粘着性シート１４の粘着面で覆うと共にエミッタ膜４表面と粘着性シート１４の粘着面とで囲む内部空間１６の圧力を粘着性シート１４表面側の外部空間２８の圧力より減圧状態に制御し、この内部圧力と外部圧力との圧力差で上記エミッタ膜４表面全体に粘着性シート１４の粘着面全体を等方圧で貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放射型電子源１０（図１（ｆ））は、シリコン基板（半導体基板）１と、シリコン基板１の一表面側に形成された強電界ドリフト部３と、シリコン基板１の他表面側に形成された下部電極２と、強電界ドリフト部３上に形成された表面電極４とを備えている。強電界ドリフト部３は、シリコン基板１の上記一表面側をエッチングすることによりナノメータオーダの所定間隔で形成された複数の突起部３１と、各突起部３１の表面に沿って形成された多数のナノメータオーダのシリコン微結晶（半導体微結晶）３３と、各シリコン微結晶３３それぞれの表面に形成され当該シリコン微結晶３３の結晶粒径よりも小さな膜厚のシリコン酸化膜（絶縁膜）３４とを有し、表面にシリコン酸化膜３４が形成されたシリコン微結晶３３が各突起部３１の表面に沿って連なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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電子電界エミッタの放出を改善する新しい光画像形成型組成物が開示される。この組成物は、カーボンナノチューブおよび金属レジネートを含む。
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【課題】製造過程において安定で、かつ、低電圧で高効率な電子放出を安定して行うことのできる電子放出素子の製造方法、該製造方法で製造された電子放出素子、該電子放出素子を用いてなる電子源、及び、該電子源を利用した、高いコントラストを示す画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電性の金属粒子が含まれたカーボン層を用意する工程と、前記導電性の金属粒子の一部を酸化させる工程と、前記カーボン層の表面にダイポール層を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る電子放出素子は、上記電子放出素子の製造方法で製造されたことを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数備えることを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光部材と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】Al合金の配線を用いた画像表示装置において、ヒロックが発生せず、かつ、配線内にボイドが形成されないAl合金の配線を形成する。
【解決手段】下部電極１１２とトンネル絶縁膜１１５と薄膜電極１１７によってMIM電子源１１４が形成される。トンネル絶縁膜１１５は下部電極１１２を陽極酸化することによって形成する。下部電極１１２は信号線１３１の上に形成される。信号線１３１はヒロックを防止するために、Ndを添加するが、Ndの添加量を基板１１１側から連続的に減少させる。その結果トンネル絶縁膜は純Alを陽極酸化した質の良い絶縁膜とすることが出来る。また、本発明では信号線１３１膜内に界面は形成されず、界面に起因したボイドの発生も無い。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、導電性基板と電子放出部とを含む。前記電子放出部は少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤを含み、該カーボンナノチューブワイヤは第一端及び該第一端と相対する第二端を含み、該第一端は前記導電性基板に電気的に接続され、該第二端は前記導電性基板から外に延び、複数の電界放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】十分な電子放出特性を備え、且つ、簡易な電子放出素子の製造方法、電子源の製造方法、および、画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、カーボン膜を備える基板を用意する工程と、炭化水素もしくは水素、又は、炭化水素と水素の両方を含む雰囲気中で、前記カーボン膜の一部に、局所的にエネルギーを照射する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る電子源の製造方法は、複数の電子放出素子を有する電子源の製造方法であって、前記複数の電子放出素子のそれぞれが、上記本発明に係る電子放出素子の製造方法で製造されていることを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、電子源と、電子の照射によって発光する発光部材と、を備える画像表示装置の製造方法であって、前記電子源が、上記本発明に係る電子源の製造方法で製造されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物、それを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、該電子放出素子を適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ボロンナイトライドナノチューブ１００重量部と、ガラスフリット２５０ないし１０００重量部と、フィラー５００ないし１０００重量部と、有機溶媒１０００ないし２０００重量部と、バインダーポリマー２０００ないし３０００重量部と、を含むことを特徴とするボロンナイトライドナノチューブペースト組成物である。該ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物を使用して形成された電子放出源を含む電子放出素子は、長寿命を具現し、画素間の均一度が向上する効果を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な原理、構造によって電子デバイスあるいは電子回路を製造するための新規な製造方法を提案すること。
【解決手段】電子デバイスあるいは電子回路の構成上、先に形成したパターンよりそのパターンの上に後から形成するパターンが大きい場合の、先と後のパターン形成に使用する液体を噴射する噴射ヘッドの単位時間あたりの液体の噴射量を、後のパターン形成に使用する方が大となるようにして噴射する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】輝点の強度や形状変化を生じ難い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に電極２，３を形成し、該電極２，３間を連絡する導電性膜を形成し、該導電性膜に電圧を印加して間隙６を形成した後、絶縁性基板１にＸ線、紫外線、電子線の少なくともいずれかを照射して該基板表面を正電位に帯電させ、次いで、炭素を含む雰囲気下で導電性膜４，５間に電圧を印加して上記間隙６及びその周囲の是つん正基板１表面に炭素膜７を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と；前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と；前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階；とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 （もっと読む）