【課題】電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等に用いられる、安定した電子放出特性が再現性良く得られる電子放出材料を提供する。
【解決手段】異方性の粒子形状をもつ酸化チタン等の金属酸化物を用いた電子放出材料であって、異方性金属酸化物の長軸径の頻度分布が、複数の極大値を持つものを用いる。具体的には、異方性金属酸化物の平均長軸径が異なる少なくとも二種の異方性金属酸化物を混合して用いる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】ダミー領域、バンク等を必要とせず、膜厚及び膜形状が均一な機能膜や配線等の膜パターンを形成する。
【解決手段】基板１に、膜パターン２を形成するための膜形成材料を含む液滴３を付与して、複数の膜前駆体４を形成し、乾燥させる。次いで、基板１を冷却し、結露を発生（雰囲気を凝縮）させて、複数の膜前駆体４を吸湿膨潤させることにより、所定のパターンに合体させた後、再乾燥させて、膜パターン２を形成する。複数の膜前駆体４を液体状態に戻して合体させることで、均一な膜厚及び膜形状を持つ膜パターン２を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体粒子を用いた電子放出素子を低温プロセスでかつ大面積に形成する。
【解決手段】単結晶サファイア粒子とこの単結晶粒子にヘテロエピタキシャル成長を通じて形成された角錐形状を有した窒化物系化合物半導体粒子を形成する工程と前記角錐形状の粒子を電極が形成された基板上に配置する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 基板上に、第１絶縁層と、第１絶縁層とは異なる材料からなる第２絶縁層と、電極とを、この順で積層する工程と、第２絶縁層の側面をエッチングして、第１絶縁層の側面に連続した第１絶縁層の上面を露出させる工程と、硼化ランタンの多結晶膜を、第１絶縁層の上面と側面とに渡って形成する工程と、を有し、多結晶膜を構成する結晶子のサイズを２．５ｎｍ以上とし、かつ、多結晶膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を有する従来のアノード基板では、エミッタから放出される電子が拡散し、電荷注入効率が悪い。また、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき易い。
【解決手段】処理基板１１上に順次積層したカソード電極層１２、絶縁層１４及びゲート電極層１５を備え、この絶縁層に形成したホール１４ａの底部にエミッタＥを設けると共に、前記ゲート電極層にゲート孔開口部１６を形成する。この場合、ゲート孔開口部を、絶縁層のホールの開口面積より小さい面積を有する複数個の開口１６ａから構成し、各開口を、エミッタに対向して絶縁層のホール直上に密集させる。 （もっと読む）

【課題】後処理工程を必要としない、電子放出能に優れる電子放出源、その製造方法、およびこれを用いた電界放出素子、並びに当該電子放出源を形成するための組成物を提供する。
【解決手段】有機残留物と、少なくとも一部の領域に形成された亀裂部と、前記亀裂部内に露出しているナノサイズの針状物質と、を含む電子放出源が開示される。前記針状物質は、前記亀裂部の内壁間に露出していることが好ましい。また、当該電子放出源を有する電界放出素子、および電子放出源形成用組成物もまた、開示される。 （もっと読む）

【課題】 平板型画像表示装置の製造において、アノード電極を有するプレートと電子放出素子を有するプレートとをアライメントマークの検出装置を用いることなく高精度に位置合せする。
【解決手段】 本発明の、複数の電子放出素子を有する第１プレートを備えた平板型画像表示装置の製造方法は、複数のアノード電極を有する第２プレートを前記第１プレートに対向して配置する配置工程と、前記複数の電子放出素子から放出された放出電子によって前記複数のアノード電極を通して流れる電流値をそれぞれ計測する計測工程と、前記計測工程で計測された複数の電流値に基づいて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を決定する決定工程と、前記決定工程で決定された位置関係に応じて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を修正する修正工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極２０、絶縁膜３０及びゲート電極４０を積層するステップと、絶縁膜３０及びゲート電極４０を貫通するホール５０を形成してカソード電極２０の電子放出面２０ａを露出させるステップと、電子放出面２０ａ上に炭素繊維１００を成長させながら、炭素繊維１００とゲート電極４０との接触によるカソード電極２０とゲート電極４０間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極４０と接触する炭素繊維１００を切断するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 長期に渡って変動の少ない安定した電子放出特性を有する電子放出素子、電子源を提供する。
【解決手段】 基板の表面上で第１方向において離隔して設けられた一対の導電性膜と、各々が、該一対の導電性膜を接続し、間隙を備え、且つ、前記第１方向とは異なる第２方向において互いに離隔して設けられた、複数のカーボン膜と、を備える電子放出素子であって、 前記第２方向における前記複数のカーボン膜の間に、前記基板の表面の一部が露出しており、前記露出している部分が、前記基板の表面の一部であって前記複数のカーボン膜で覆われている部分を構成する材料よりも炭素の堆積を抑制する材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを有する導電性部材が高密度に配置されてなる構成を高精度に製造する。
【解決手段】基板上に導電性膜を成膜し、ネガ型感光性樹脂を塗布し、Ｙ方向に延びる微細な幅の開口部１ａを複数本有する第１のマスク１を用いて上記ネガ型感光性樹脂を露光した後、Ｙ方向に直交するＸ方向に延びる開口部２ａを複数本有する第２のマスク２を用いて上記ネガ型感光性樹脂を露光し、現像して、第１のレジストを形成し、該第１のレジストをマスクとして導電性膜をエッチングした後、再度ネガ型感光性樹脂を塗布し、第２のマスクをＹ方向にずらせて露光、現像して第２のレジストを形成し、該第２のレジストをマスクとして導電性膜をエッチングして余分な領域を除去することにより、Ｙ方向に延びる微細なラインを有する導電性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をＦＥＤの電界エミッタとして用いるには、電界の集中するカソード頂点周囲にＣＮＴを形成して、電界エミッタを電気的に信頼性のあるものとする必要がある。そのための触媒粒子をカソードの頂点周囲に形成する方法を提供する。
【解決手段】外部電源３０１は電解質溶液２０３に電圧を印加する。電解質溶液に印加された電圧は、静電力を生成する。生成された静電力によって、金属触媒イオン２０４が、電解質溶液の表面に集まる。このとき閾値電圧を超える電圧が印加されると、金属触媒イオンは、電解質溶液の表面張力を超えて、電解質溶液の表面から放出される。電界は金属先端２０１の頂点２０２に集中し、電解質溶液から放出された金属触媒イオンは金属先端に向かい、頂点に付着する。付着した金属触媒イオンは金属先端で金属触媒原子になる。 （もっと読む）

【課題】電子源の製造装置において、大型のポンプを設けることなく真空容器内の排気を短時間で行い、より効率良く電子源を製造する。
【解決手段】基板支持体３上に２枚の電子源基板２ａ、２ｂを載置し、真空容器１で覆って順次電圧印加処理を行う電子源製造装置であって、基板支持体３を降下させ、水平移動させて処理の終了した基板２ｂを排出し、次の基板２ａ上に真空容器１を配置し、再び基板支持体３を上昇させて真空容器１と基板２ａとで閉空間を形成するまで、真空容器１内を低露点ガスにてパージすることにより、真空容器１内への大気の侵入を阻止する。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
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肉眼で見える程度の量の酸化グラフェンナノリボンを生産する方法を本明細書において開示する。本方法は、複数のカーボンナノチューブを提供すること、および、複数のカーボンナノチューブを、少なくとも１種の酸化剤と反応させ、酸化グラフェンナノリボンを形成することを含む。少なくとも１種の酸化剤は、カーボンナノチューブを縦方向に開口するのに利用できる。いくつかの実施態様において、反応工程は少なくとも１種の酸の存在下で起こる。いくつかの実施態様において、反応工程は少なくとも１種の保護剤の存在下で起こる。また本発明の開示の様々な実施態様は、酸化グラフェンナノリボンを少なくとも１種の還元剤と反応させることによる、還元グラフェンナノリボンの製造方法も含む。また、酸化グラフェンナノリボン、還元グラフェンナノリボン、および、組成物、および、それらから製造された物品も本明細書において開示される。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
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【課題】カーボンを主体とする電子放出部形成膜に均一に且つ低電力で間隙を形成することで、優れた電子放出特性を有する電子放出素子を均一に且つ低い製造コストで提供する。
【解決手段】基板１上に、一対の電極３ａ，３ｂと、該電極間に挟持された電子放出部形成膜４とを有する電極部２を形成し、該電極間に通電処理を施すことにより、上記電子放出部形成膜４に間隙５を形成した電子放出素子であって、該電子放出部形成膜４が、カーボン中に第１の金属微粒子を分散させた第１の薄膜４ａと、該第１の金属よりも低融点である、或いは、１０００℃における蒸気圧が１．３３×１０^-3Ｐａ以上である該第２の金属を含む第２の薄膜４ｂとの積層膜とする。 （もっと読む）