本明細書では、特に高周波応用のための三極管型電界放出デバイス（１１）が開示される。このデバイスは、陰極電極（１２）、陰極電極（１２）から間隔を空けられた陽極電極（１４）、陽極電極（１４）と陰極電極（１２）との間に配列された制御ゲート電極（１３）、および少なくとも電界放出先端部（１９）を有する。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、電界放出先端部（１９）の三極管区域（１１ａ）においてオーバーラップし、電界放出先端部と連携して三極管区域において電子ビームを生成するように動作可能である。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、三極管区域（１１ａ）の外側でオーバーラップせず、それぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）に沿った主となる長手方向を有する。これらのそれぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）の各々は、相互に関して非ゼロの角度で傾斜している。
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本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電界放出効率が高く均一である電界放出型冷陰極を簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 陰極板と陽極板とを対向させ、かつ、陰極板直近の陽極板側にフィルターを配設したセルを作製し、直径が１〜２００ｎｍの範囲である帯電性の微細棒状体とめっき液を上記のセル内に充填し、陰極板を直流電源の陰極に接続し、陽極板を直流電源の陽極に接続してセル内のめっき液に電圧を印加するとともに、磁力線が陰極板に対して垂直となるようにセル内に磁場をかけることにより、陰極板上に金属層を形成し、この金属層に一部を埋めるように帯電性の微細棒状体がその軸方向を陰極板に対して９０°±１０°の範囲となるように立設される。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、導電性基板と電子放出部とを含む。前記電子放出部は少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤを含み、該カーボンナノチューブワイヤは第一端及び該第一端と相対する第二端を含み、該第一端は前記導電性基板に電気的に接続され、該第二端は前記導電性基板から外に延び、複数の電界放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】像揺れの原因であるカーボンナノチューブと金属母材の界面の幾何学的な不安定性を排除するために、炭素との化学的な変化がほとんど起こらないプラチナなどの炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性な金属をカーボンナノチューブを支持する部分に用いた電子源およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属フィラメント１に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブ３を接合したことを特徴とする電子源、またはＶ字型の導電性金属フィラメント基材に備え付けられる炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属針に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブを接合したことを特徴とする電子源である。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ集合体の膜をレーザーにより均一にかつ高い電子放出能が得られるように起毛させる手段を提供する。
【解決手段】 上記課題は、カーボンナノチューブの純度が９０重量％以上のカーボンナノチューブ集合体の膜が付着している基板上に、略均一に孔が分布しているマスクを通して略平行のレーザービームを照射して略均一に電子放出させることを特徴とする、カーボンナノチューブの起毛方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と；前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と；前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階；とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 （もっと読む）

【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】発光の均一性が良好な電子放出源を提供する。
【解決手段】カソード電極が形成された基板上に電子放出材料を含む層を形成する工程と、電子放出材料を含む層に機械的に表面処理する工程を有する電子放出源の製造方法であって、機械的に表面処理する工程が単繊維繊度が１．０×１０^−８ｄｔｅｘ以上１．０ｄｔｅｘ未満の極細繊維を含む研磨布によって研磨する工程である電子放出源の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子基板の製造プロセスを大幅に簡略化できる製造方法を提供する。
【解決手段】ビーズ６を含む塗膜７を形成する工程と、ビーズ６を除去する工程とをこの順に含む電界放出素子用絶縁層の製造方法であって、前記ビーズ６の粒径がビーズを含まない領域の塗膜の厚みより大きく、ビーズ６を含まない領域の塗膜から得られる絶縁層の空隙率が１０％以下である電界放出素子用絶縁層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エミッタの低閾値電界化、高電流密度化、大面積化、安定化、長寿命化、および、低価格化を実現可能とする素材を提供すること。
【解決手段】 ナノスケールのシリコン微細針状突起群が形成された基板であって、当該シリコン微細針状突起の先端には略球状の炭素系微粒子が形成されている電界電子放出用素材である。ここで、炭素系微粒子がダイヤモンドを主成分とする微粒子であることが好ましく、これは、メタンガスプラズマＣＶＤにより形成できる。 （もっと読む）

【課題】ヘリカルカーボンナノファイバを用いて電子放出能力の高い電界電子放出源を製造すること。
【解決手段】ビーカ２０４にカーボンナノコイルを含む炭素物質２０１と過酸化水素水２０２を入れて混合し混合液２０３を作成し、ビーカ２０４をホットプレート２０５で２０℃〜２００℃の範囲で１５分から６０分間加熱した。次に、蒸留水でカーボンナノコイル２０１を洗浄しながら、吸引濾過器２０６を用いてカーボンナノコイルを含む炭素物質２０１と過酸化水素水を分離して、カーボンナノコイルを含む炭素物質２０１の水溶液２０７を得た後、該水溶液２０７を電気炉２０８で空気中で乾燥させて、アッシング処理されたカーボンナノコイルを含む炭素物質を得る。このようにして得られたカーボンナノコイルを含む炭素物質を電界電子放出源の陰極に使用する。 （もっと読む）

【課題】 ナノ繊維を含む電界電子放出材料を用いて、良好な起毛処理を行うことにより、電子放出能力の高い電界電子放出源を製造すること。
【解決手段】 カーボンナノツイストを含む電界電子放出材料１０３を陰極基板１００表面に形成し、陰極基板１００の表面に０．１ａｔｍから２ａｔｍの圧力範囲で発生させた大気圧プラズマ２６１を照射して、電界電子放出材料１０３に含まれるカーボンナノツイストの起毛処理を行い、電子放出能力を向上させた電界電子放出源を製造する。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に第１絶縁膜１２を形成する工程と、第１絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール（１１）を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核２９を形成する工程と、ゲート電極１４表面上に第２絶縁膜５０を形成する酸化工程と、触媒微結晶核２９上にカーボンナノチューブ４を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層及びゲート電極を囲繞するように保護層を蒸着した後、絶縁層及びゲート電極の上部にのみ保護層が残存するようにパターニングする第１段階と、ウェル及び開口部を充填して保護層状に積層されるように炭素ナノチューブペーストを塗布する第２段階と、基板の背面から光を照射して炭素ナノチューブペースト及び保護層を露光させた後、現像して露光されていない炭素ナノチューブペースト及び保護層をリフトオフして炭素ナノチューブカラムを形成する第３段階と、炭素ナノチューブカラムを焼結して高さを低めた後、表面処理して炭素ナノチューブカラムの表面に炭素ナノチューブチップが整列される電界放出源を形成する第４段階と、を含むことを特徴とする三極構造を有する炭素ナノチューブを備えた電界放出素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に配置され,カソード電極１０と直交するゲート電極１４と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで形成されたホール（１１）からなる電界放出マトリックス電極構造をメッキ槽（３４）内に配置する工程と、カーボンナノチューブ４の成長の核となる触媒微結晶核２９を電着させる際、ホール（１１）内への触媒電着は、ホール底のカソード電極１０を陰極、ゲート電極１４を陽極として電着させる工程とを有するカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）