カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）のようなナノ粒子を用いる電界放出デバイスにおいて使用するためのカソードを形成するための方法が、開示される。ＣＮＴ層は、カソードの表面上に、電界放出材料を含有する。本発明の方法を使用して、被覆されたＣＮＴの密度は、このカソードの表面上に島状電界放出領域を形成することによって、調節され得る。ＣＮＴ島状電界放出領域の大きさおよび分布は、得られるＣＮＴ層の電界放出特性を最適にするように働く。１つの実施形態において、ＣＮ島状電界放出領域は、スクリーン印刷被覆方法を使用して、形成される。本発明は、被覆後に、電界放出のためにカーボンナノチューブを活性化または整列させるためのさらなるプロセスなしで、実施され得る。
（もっと読む）

【課題】 配向性カーボンナノチューブ膜の表面に垂直方向に微小口を有する構造体を積層することにより、低電圧で均一な電子放出を可能とする、電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】 配向性カーボンナノチューブ膜を保持基板から電極基板に転写する工程と、導電層および絶縁層から成る二層構造体に垂直方向の開口を施す工程と、該配向性カーボンナノチューブ膜の表面に該二層構造体の該導電層側を設置する工程を含む、電界放出型冷陰極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エミッタ表面を有する冷陰極電界エミッタを含む荷電粒子ビーム照射デバイス、特に電子ビーム照射デバイスを動作する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、（ａ）所与の引き出し電界下で高い初期照射電流と低い安定平均照射電流とを示す冷陰極電界エミッタを真空中に配置する段階と、（ｂ）エミッタ表面から電子を照射するために冷陰極電界エミッタに引き出し電界を印加して、冷陰極電界エミッタの照射電流が安定平均照射電流よりも高くなるようにする段階と、（ｃ）少なくとも１つの加熱パルスを印加してエミッタ表面を温度にまで加熱することにより清浄化処理を行い、清浄化処理は、冷陰極電界エミッタの照射電流が低い安定平均照射値にまで低下する前に行われるようにする段階と、（ｄ）清浄化処理（ｃ）を繰返して、冷陰極電界エミッタの照射電流が安定平均照射値を連続的に上回るように維持する段階とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】印加電圧の増大に対して電界放射電流が飽和しにくい炭素膜を提供すること。
【解決手段】細長い針状に成膜されている炭素膜において、ファウラノルドハイムの式における電界集中係数βが、任意の位置での先端までの高さをｈ、半径をｒとして、ｈ／ｒの式で表され、かつ、その半径が任意の位置から先端に向かうにつれて小さくなる形状を備える。 （もっと読む）

【課題】凝集しやすいサブミクロン程度のカーボンナノチューブの微粒子を分散液中に安定且つ均一に分散させたカーボンナノチューブ分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ、塩基櫛型ブロックコポリマー及び有機溶剤を含むカーボンナノチューブ分散液であって、前記カーボンナノチューブ１重量部に対して前記塩基櫛型ブロックコポリマーを０．０５〜３重量部含み、前記塩基櫛型ブロックコポリマーの主鎖がポリエチレンイミンであることを特徴とするカーボンナノチューブ分散液とする。 （もっと読む）

本発明は、ナノファイバーの糸、リボン、およびシートに関するものであって；前記糸、リボン、およびシートを製造する方法；そして前記糸、リボン、およびシートの応用を対象とする。幾つかの実施形態において、ナノチューブの糸、リボンおよびシートはカーボンナノチューブを含む。詳細には、本発明のその様なカーボンナノチューブは以下の様な独特な特性および特性の組み合わせを提供する。例えば、極度の靭性、ノットにおける破損に対する耐性、高レベルの電気および熱伝導性、可逆的に出現する高いエネルギー吸収性、破損歪みが同様な靭性を有するその他のファイバーにおける数％と比較して１３％まであること、クリープに対する耐性が非常に高いこと、空気中で４５０℃にて１時間加熱した場合でさえも強度を保持すること、および空気中で照射された時でさえも非常に高い放射線耐性およびＵＶ耐性などである。
（もっと読む）

【課題】本発明は、フィールドエミッタの陰極及びその製造方法、並びに平面光源に関する。
【解決手段】本発明に係るフィールドエミッタの陰極は、陰極導電層と、該陰極導電層に形成した電子放出層と、を含む。本発明に係る平面光源は、前記フィールドエミッタの陰極と、陽極と、を含む。本発明はフィールドエミッタの陰極の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板材料の選択範囲が広く、フィールドエミッタの均一性が良好で、炭素ナノチューブの利用効率が高い炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタは、基板と、該基板に成長された複数の炭素ナノチューブのマトリックスのシートと、を含む。前記炭素ナノチューブのマトリックスのシートは、第一端部及び該第一端部に対向する第二端部を有する。前記第一端部は炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの電子放出端部として、前記基板から離れるように設置される。前記第二端部は、前記基板に電気的に接続される。本発明は、炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】水銀を使用しない光源およびこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下部基板と、少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上で成長したエミッタチップ用カーボンナノチューブと、前記下部基板に対向し位置して、蛍光物質と透明電極を含む上部基板と、を含むことを特徴とする面光源装置およびその製造方法、前記面光源装置を用いた液晶表示装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてステンレスの平均結晶粒径が４０μｍ以下である陰極基板１０を４５０〜６００℃に加熱し、陰極基板１０の表面にガスを反応させることで、陰極基板１０の表面に存在するＮｉあるいはＦｅなどを核として陰極基板１０の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜１１を形成し電界電子放出源を構成した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単に特定の位置に突起物を存在させることができる金属酸化物構造体の製造方法を提供する。また、この方法で製造された金属酸化物構造体、及びこの金属酸化物構造体を用いた電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る代表的な金属酸化物構造体の製造方法は、断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、長さ０．１μｍ以上であり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が０．０１以上である突起物を複数有する金属酸化物を有する金属酸化物構造体の製造方法であって、前記金属酸化物構造体の所定の面に前記突起物を有する前記金属酸化物を形成した後に、少なくとも一部の前記突起物を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出現象を利用しつつ簡便なプロセスで作製できるモジュールを提供し、発光デバイスとしてディスプレイのみならず広範囲な分野において活用を図ることを目的とするものである。特に、高効率電子放出特性を有し、長寿命を持つエミッタ材料を提供し、また、低温で再現性に優れたエミッタ加工プロセスも提供する。
【解決手段】透明導電ガラス及び有機蛍光体薄膜からなるアノード基板と、半導体基板及び電界電子放出材料薄膜からなるカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を高真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板と間に電界を印加させる電圧印加回路とを有し、基板間の空隙を真空チャネル領域として、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を有機蛍光体薄膜に注入させて発光させることを特徴とする電界放出発光デバイス。 （もっと読む）

電子放出器が、導電性の電極への付着層により付着した触媒クラスターの蒸気から、原位置での成長により形成される。このエミッターは、低い電界強度と高い電流密度で電子を放出する半球状体のナノファイバークラスターで構成され、離したギャップ全体に間隔をおいて配置された陽極上での電子と蛍光性や燐光性の薄膜との相互作用によって明るい光が生成される。ナノファイバーは、ナノファイバークラスターがもつれる形で成長することができ、個々のナノファイバーの動きが制限される。
（もっと読む）

【課題】ゲート電極と電子放出源との距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を得ることができ，過露光による電子放出源とゲート電極とのショート現象を防止できる電子放出源，その製造方法及びそれを採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーボン系物質及びＵＶ遮断性物質を含む電子放出源と，それを採用した電子放出素子。該電子放出源形成用の組成物はＵＶ遮断物質を含有していて，電子放出源チップの尖鋭度を制御しやすい。該電子放出源形成用の組成物を利用すれば電子放出源形成工程の余裕度が高くなり，該組成物から形成された電子放出源は，ゲート電極と電子放出源との間の距離が設計値ほど一定に維持されて均一な電子放出特性を表し，過露光によるゲート電極とのショート現象などの問題点を未然に予防できる。また，該電子放出源を利用すれば，信頼性が向上した電子放出素子を得ることができる。 （もっと読む）

電界放出特性は、金属酸化物で炭素材料をコーティングすることによっても改善し得る。こうした金属酸化物は、炭素材料の仕事関数を低下させることに寄与し、また、特に高電流密度での動作時において、炭素材料の電界放出特性の寿命を改善する。
（もっと読む）

本発明は、電界放出電極基板（１）と、電界放出電極基板上に配置された複数のエミッタ粒子（２）と、を有する電界放出電極を製造する方法であって、前記エミッタ粒子（２）をエアゾール化されたエミッタ粒子として搬送ガス流中に分散するステップと、エミッタ粒子（２）を電気的に荷電するステップと、電界放出電極基板（１）と蒸着電極（１０）との間の電界を少なくとも１つの出口（１４）近くに維持しながら、搬送ガス流中の荷電されたエミッタ粒子を、出口を介して、電界放出電極基板（１）の方向に向け、然る後、荷電されたエミッタ粒子（２）を電界放出電極基板（１）上に蒸着し且つ付着するステップとを含む。
（もっと読む）

電解放出装置（1）は、例えば電解放出型ディスプレイ（FED）において電子放出の際に利用される。電解放出先端部（40）は、電解放出装置（1）の電子放出に用いられる。電解放出装置（1）の作動中、電解放出先端部（40）に電気的に接続された第1の電極（4）と、第2の電極（34）の間に電圧が印加されると、電解放出先端部（40）は、電子を放出する。電解放出先端部（40）を構成するため、第1の電極（4）が提供された基板（2）には、液体材料の層が設置される。液体材料の層は、パターン化されたスタンプによってエンボス加工された後に硬化処理され、電解放出先端構造部（20）が形成される。電解放出先端構造部（20）上には、導電性薄膜（38）が設置され、第1の電極（4）と電気的に接続された電解放出先端部（40）が形成される。
（もっと読む）

少量の触媒金属（例えば、コバルトおよびモリブデン）を含む、単一壁のカーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）およびセラミック支持体（例えば、シリカ）の複合体が、記載される。上記金属およびセラミック支持体を含む粒子は、単一壁のカーボンナノチューブの生成のために触媒として使用される。沈降シリカおよびヒュームドシリカの使用は、上記セラミック（例えば、シリカ）および上記単一壁のカーボンナノチューブの両方の特性を相乗的に向上し得る、ナノチューブ−セラミック複合体をもたらした。ポリマーへのこれらの複合体の添加は、それらの特性を向上し得る。これらの特性としては、熱伝導率、熱安定性（分解耐性）、導電率、結晶化動力学の改変、強度、弾性率、破壊靭性、および他の機械的特性が挙げられる。他のナノチューブ−セラミック複合体は、ＡＬ_２Ｏ_３、ＭｇＯおよびＺｒＯ_２に基づいて生成され得、これは例えば、多くの多様な適用に適している。
（もっと読む）