【課題】タングステン単結晶線を用いたナノチップ電界放射電子源を提供すること。
【解決手段】タングステンの単結晶線の先端部分を集束イオンビームによってナノチップの径が５０ｎｍ以下になるように切削加工して、タングステンの単結晶線と一体的にナノチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも安定していて高輝度を実現可能な電界放射電子源及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】陰極部材の先端に細線部材を備え、該細線部材の先端から電子が放射されるように形成した電界放射電子源において、細線部材を陰極部材の先端部分を切削加工して陰極部材と一体的に成形する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属化合物等を含む電子放出膜を金属配線のアルカリ腐食をさせずに形成する。
【解決手段】ＦＥＤ表示装置は表面に電子放出膜１３を有する電子源と電子源に信号等を供給する金属配線１７、１８等から構成されている。金属配線表面１８にリンとの反応皮膜や吸着皮膜による防食膜２１を形成した後、電子放出膜１３にアルカリ金属等を被覆、添加する。リンの添加量をアルカリ金属との塩の化学当量より少なくする。このような構成とすることによって金属配線がアルカリ金属等によって腐蝕されることなく、電子源の電子放出効率を向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】
エネルギー幅の狭い電子放出素子を提供する。また、当該電子放出素子を用いて高輝度・高分解能の電子顕微鏡および電子線描画装置を提供する。
【解決手段】
先端部に閉構造領域を有するカーボンナノチューブであって、閉構造領域に存在する五員環の距離が３０ｎｍ以上のものを用いて電子線放出素子とすることを特徴とする。また、先端部に閉構造領域を有するカーボンナノチューブであって、閉構造領域に存在する五員環を頂点とする頂角を７０°以上のものを用いて電子線放出素子とすることを特徴とする。また、各電子線放出素子を用いて電子銃，電子顕微鏡及び電子線描画装置とすることを特徴とする。
【効果】
本発明により、高輝度かつ高分解能の電子顕微鏡および電子線描画装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、分散成長したＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源及びその作製方法の提供。
【解決手段】トリガ電極３３と触媒金属で少なくとも先端部が構成されたカソード電極３２とが、絶縁碍子３４を挟んで隣接して配置され、カソード電極３２とトリガ電極３３との周りに同軸状にアノード電極３１が配置されている同軸型真空アーク蒸着源３を備えている同軸型真空アーク蒸着装置２を用い、トリガ電極３３とアノード電極３１との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極３２とアノード電極３１との間にアーク放電を断続的に誘起させることにより基板上に形成された触媒金属からなる触媒粒子を用いて成長させたＣＮＦ又はＧＮＦを有する電子放出源。 （もっと読む）

【課題】誘電体層の成膜性を向上しつつ、より良好な特性を実現する誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 誘電体デバイスの製造方法において、以下の工程を有する。（１）混合工程Ｓ２１：母材の粉末と、当該母材の焼結のための添加剤の粉末と、を混合する。（２）混合物熱処理工程Ｓ２２：前記混合工程を経た、前記母材と前記添加剤との混合物を、熱処理する。（３）成膜層形成工程Ｓ２４：前記混合物熱処理工程を経て得られた前記原料粉末を噴射することで成膜層を形成する。（４）成膜層熱処理工程Ｓ２５：前記成膜層形成工程を経て形成された前記成膜層を熱処理することで前記誘電体層を得る。 （もっと読む）

【課題】平板ディスプレイパネル及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】相互対向するように離隔されて配されている第１及び第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在され、基板間の空間を多数の表示セルに区画する隔壁と、表示セル空間と対面して配され、外部電界によって誘電分極されるように強誘電性物質からなる強誘電体層と、強誘電体層を介して相互反対極性の電界を順次に印加し、強誘電体層に分極反転を誘導し、表示セル空間に電子ビームを放出させる第１電極及び第３電極と、電子ビームによって励起されるように、表示セル内部空間に充填される励起ガスと、表示セル内に塗布された蛍光体層と、を備える平板ディスプレイパネルである。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や特殊な操作を必要とすることなく、電子放出能の高い薄膜型電子放出材料を形成するための組成物、前記薄膜型電子放出材料、その製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）有機高分子バインダーと、有機溶媒と、導電材と、気相成長法で作製された平均繊維径５〜１８０ｎｍのカーボンナノチューブ等を含む薄膜型電子放出材料の形成用組成物、（２）有機高分子マトリックス又は有機高分子の炭化物マトリックスと、導電材と、前記カーボンナノチューブ等の凝集体とを含む薄膜型電子放出材料、（３）前記組成物を導電性基板上に塗布したのち、加熱処理し、又はさらに焼成処理することにより、前記薄膜型電子放出材料を製造する方法、（４）前記薄膜型電子放出材料を用いて作製されてなる電界放出型素子、及び（５）前記電界放出型素子を搭載してなる電界放出型ディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広くプロセス適性に優れたコイン積層状ナノ炭素材料複合体と製造方法並びにそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】コイン積層状ナノ炭素材料複合体１は、ダイヤモンド粒子２とダイヤモンド粒子の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したらせん構造を有するナノ炭素材料３とからなる。コイン積層状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してコイン積層構造を有するナノ炭素材料を形成したコイン積層状ナノ炭素材料複合体とを含み、コイン積層状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子とすることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、表面積が大きくかつ平坦性の高い新規な粒子状ナノ炭素材料及びその製造方法と、結晶性が高く、表面積が大きくかつ平坦性の高い粒子状ナノ炭素材料を有する粒子状ナノ炭素材料複合体と、粒子状ナノ炭素材料を用いて高信頼性の電子デバイスを提供する。
【解決手段】粒子状ナノ炭素材料１２が、少なくともグラファイト成分を含む炭素から成り、粒子状の構造を持つ。有機液体中で基体１１を７５０℃以上９５０℃以下の範囲で加熱することで、グラファイト成分を含む炭素から成りかつ粒子状の構造を持つ粒子状ナノ炭素材料が基体上に合成する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたらせん状ナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】らせん状ナノ炭素材料複合体１は、ダイヤモンド粒子２と、ダイヤモンド粒子の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したらせん構造を有するナノ炭素材料３と、からなる。らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体と基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料を形成してなるらせん状ナノ炭素材料複合体とを含み、らせん状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 電子顕微鏡などの電子線機器に用いられる電子放射点として、微細加工プロセスにおいてレジスト塗布が困難なサイズの柱状ダイヤモンド単結晶の片端に、一ヶ所の先鋭部を形成したダイヤモンド電子源及びその方法を提供する。
【解決手段】 柱状ダイヤモンド単結晶１０片端を研磨して滑らかな平面１１を形成し、滑らかな平面１１上にセラミック層１２を形成する。このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。得られたセラミックマスクを用いてドライエッチングにより、柱状ダイヤモンド単結晶１０の片端に一ヶ所の先鋭部を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子放出能およびその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】ナノカーボンエミッタ１は、基体２と基体２上に設けた導電層３と導電層３上に設けたナノ炭素材料複合体４とで構成され、ナノ炭素材料複合体４が、導電性粒子５に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６が形成されてなる。導電層３は接着性を有する。 （もっと読む）

【課題】少量の触媒金属（例えば、コバルトおよびモリブデン）を含む、単一壁のカーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）およびセラミック支持体（例えば、シリカ）の複合体を提供すること
【解決手段】本発明は、少量の触媒金属（例えば、コバルトおよびモリブデン）を含む、単一壁のカーボンナノチューブ（ＳＷＮＴ）およびセラミック支持体（例えば、シリカ）の複合体を提供する。上記金属およびセラミック支持体を含む粒子は、単一壁のカーボンナノチューブの生成のために触媒として使用される。沈降シリカおよびヒュームドシリカの使用は、上記セラミック（例えば、シリカ）および上記単一壁のカーボンナノチューブの両方の特性を相乗的に向上し得る、ナノチューブ−セラミック複合体をもたらした。ポリマーへのこれらの複合体の添加は、それらの特性を向上し得る。 （もっと読む）

【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極及びこれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】電界放出型電極１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたバリア層１２と、電界放出膜１３を備える。電界放出膜１３は、グラフェンシートからなるカーボンナノウォールＣＮＷ３１と、微結晶ダイヤモンド膜３２と、カーボンナノウォールＣＮＷ３１から成長し微結晶ダイヤモンド膜３２から突出するように形成されたスティック３３とから構成されるを含む。電界放出型電極１０は、バリア層１２が形成されるため、優れた電子放出特性を有する電子放出膜１３を備える。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブで構成した３次元構造の長寿命電界放出エミッターを提供する。
【解決手段】広い面が互いに対向して対をなすように配置されている少なくとも二つの電極板と、電極板のそれぞれの両面に形成された炭素ナノチューブと、電極板のそれぞれの一側面が接触された状態で垂直に固定される基板と、基板から離間した状態で並列状に配列され、基板に対向する蛍光体を有するアノード電極と、アノード電極と電極板との間に直流電圧を印加する直流電源と、対をなす電極板のうちのいずれか他の一つに周期的に異なる大きさの電圧を有するパルス波を印加することによって、これらが交互にカソード電極とゲートの役割をなすようにするパルス波供給機とを具備する。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】薄膜電子源からの電子放出のエミッション効率を向上して高輝度化を実現した画像表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。上部電極２３の膜厚を５〜１０ｎｍの範囲とする。電圧ＯＦＦの状態では伝導帯２４、価電子帯２５のエネルギー順位は（ａ）の状態にある。下部電極１１と上部電極２３の間に電圧を印加したときには、（ｂ）に示したように、上部電極２３に電子で占有されるエネルギー準位が生成し、電子はシリコンの上部電極２３にトンネルする。 （もっと読む）