【課題】性能の高いＣｕ_２Ｏ円錐状突起からなる電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源として、Ｃｕ_２Ｏ円錐状突起体を用いる。この円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが１５〜２００ｎｍ、開き角θが５〜６０degであることが望ましく、突起体先端の曲率半径ρが２０〜７０ｎｍ、開き角θが１０〜３０degであることがさらに望ましい。また、円錐状突起の長さｌと曲率半径ρの比ｌ／ρ＞１５が望ましい。また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したＣｕワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からＡｒイオンを照射して、チップの先端にＣｕ_２Ｏ円錐状突起を形成することを特徴とするものである。この発明において、Ｃｕワイヤとして予め機械研磨または電解研磨が施されたものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電力消費を低く抑えることができる一方で要求される輝度レベルでの発光に必要な電子放出を機械的、電気的に安定して行うことを可能とする炭素膜を提供すること。
【解決手段】基板上に曲線状に繋がる壁４を電子放出点の配置間隔を制約する壁として網目状に成膜し、この網目状の壁４に囲まれた領域内に先端が電子放出点となるカーボンナノチューブ８を上記網目状の壁４の高さよりも高く成膜し、このカーボンナノチューブ８にその膜下部から膜中途に至りまとわる形態で広がるように壁状の膜１０を成膜した構成。 （もっと読む）

【課題】均一な電子ビームを放出でき、製造プロセスが容易な電子放出素子、該電子放出素子の製造方法、該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第１の層１０３を成膜する工程と、第１の層１０３上に、炭素を主成分とする第２の層１０４を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さな印加電圧で大きな放出電流を得ることができる電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】 電界放射型電子源１は、電界が印加されることにより電子を放出するものであり、冷陰極２の尖端に芳香族化合物の分子３ａからなる蒸着膜３が形成されている。蒸着膜３を構成する前記芳香族化合物は、例えば、ベンゼン、フタロシアニン、フラバントロン、トリ−８−ハイドロキノリンアルミニウム、コロネン、ペンタセンからなる群から選択される１種の化合物である。冷陰極２は、例えばタングステン、チタン、タンタル、六ホウ化ランタンからなる群から選択される１種の材料を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放射型電子源１０（図１（ｆ））は、シリコン基板（半導体基板）１と、シリコン基板１の一表面側に形成された強電界ドリフト部３と、シリコン基板１の他表面側に形成された下部電極２と、強電界ドリフト部３上に形成された表面電極４とを備えている。強電界ドリフト部３は、シリコン基板１の上記一表面側をエッチングすることによりナノメータオーダの所定間隔で形成された複数の突起部３１と、各突起部３１の表面に沿って形成された多数のナノメータオーダのシリコン微結晶（半導体微結晶）３３と、各シリコン微結晶３３それぞれの表面に形成され当該シリコン微結晶３３の結晶粒径よりも小さな膜厚のシリコン酸化膜（絶縁膜）３４とを有し、表面にシリコン酸化膜３４が形成されたシリコン微結晶３３が各突起部３１の表面に沿って連なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】電子放出に適した形状の立方晶窒化ホウ素を含む膜の提供。
【解決手段】高い結晶性と充分な膜厚、密着性と、さらに表面に高密度微細突起を持つ立方晶窒化ホウ素を含む膜を用いた、電子放出に優れた膜と電界電子放出体。特にホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法を用いて作成した立方晶窒化ホウを含む膜。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体材料層の厚み方向に連なって形成された複数のナノ構造部を有し且つ半導体材料層の面内においてナノ構造部が周期的に形成された周期的ナノ構造体を所望のナノ構造部の周期で容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板（半導体材料層）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列されたサイト３１を形成してから、シリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することでナノ構造部３２が周期的に配列された周期的ナノ構造体１０を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源２０を得る。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なって形成され且つ半導体基板の面内において半導体微結晶が周期的に形成された周期的ナノ構造体を容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列された複数の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 （もっと読む）

本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出を安定して得られる電子放出素子、電子源、及び電子線装置を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡２０に用いられている電子源１０Ａでは、仕事関数が３．０ｅｖ以下であるダイヤモンドを陰極部４２に用いることで、陰極部４２から真空中に電子が容易に電界放出可能となる。また、電子放出部４８の先端５２が、炭化チタンからなる導電層４４により覆われているので、電子放出部４８の先端５２における電圧降下が抑制され、電位が一定に保たれる。したがって、電子源１０Ａでは、十分な量の電子放出を安定して得ることができる。導電層４４は、厚さ２０ｎｍ以下に抑えられており、導電層４４自体に起因する陰極部４２の仕事関数の増加は回避されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上で一方向に沿って相互離隔されて位置する第１電極と、一方向に沿って第１電極の間に位置する第２電極と、第１電極及び第２電極と電気的に絶縁されるように配され、一方向と交差する方向に延設される第３電極と、第１電極及び第２電極の側面にそれぞれ形成される第１電子放出部及び第２電子放出部と、を備える電子放出素子である。隣接する前記第１電子放出部と前記第２電子放出部との間には、ギャップが形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、長期間安定な電子放出特性を発揮可能な電子放出素子を提供することにある。また、電子放出素子の耐久性を向上させる。
【解決手段】
上記課題を解決する本願発明の特徴点は、電極に接続するワイヤ部分、該ワイヤ部分に接続する針部分、該針部分に接続されたナノチューブ部分を有する電子放出素子であって、該ワイヤ部分、該針部分、さらには該ワイヤ部分と該針部分との接合剤、該針部分と該ナノチューブ部分との接合剤に炭素を主成分とする材料を用いることにある。また、他の本願発明の特徴点は、ワイヤ部分，針部分を有する電子放出素子で、針部分は先鋭化されており、ワイヤ部分と針部分が炭素で一体に形成されていることにある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、導電性基板と電子放出部とを含む。前記電子放出部は少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤを含み、該カーボンナノチューブワイヤは第一端及び該第一端と相対する第二端を含み、該第一端は前記導電性基板に電気的に接続され、該第二端は前記導電性基板から外に延び、複数の電界放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と；前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と；前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階；とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極への電圧の印加時間及び形態に対応するようにアノード電極にAC電圧を印加することにより、ゲート電極に電圧が印加されない遊休時間の間にアノード電極に不要な電圧が印加されるのを防止して駆動電力を減少させるとともに、アノード電極に印加される不要な高電圧により電子が放出されるのを防止して発光効率を増大させ、かつアノード電極に不要な高電圧が印加される時間を短縮させて寿命を延ばす。
【解決手段】 本発明は、所定間隔だけ離隔して対向するように配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上に形成された少なくとも一つのカソード電極と、前記カソード電極から離隔した位置で、絶縁体により前記背面基板から絶縁されるように形成された少なくとも一つのゲート電極と、前記カソード電極の上面に形成されたエミッタと、前記背面基板に面するように前記前面基板上に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に塗布された蛍光体層と、前記アノード電極にAC電圧を印加する第１電圧印加手段と、前記ゲート電極にAC電圧を印加する第２電圧印加手段とを有し、前記アノード電極と前記ゲート電極に印加されるAC電圧は同期化されている。
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