【課題】従来の電界放出型素子より、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向端部に電界を集中させて電子を放出させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線分光分析等に使用される電子線源であって、経時劣化が少なく再現性に優れた、高輝度かつ安定な電子線源を提供する。
【解決手段】炭素系材料からなる電子線源であって、電子線源の表面となる前記炭素系材料の表面を終端する水素の被覆割合が３３％以下である電子線源。また、前記電子線源表面の炭素の内殻電子状態を、Ｘ線光電子分光で測定した場合の主ピークに対するサブピークの積算強度比が０．１以上とされた電子線源。更に、前記炭素系材料が、ダイヤモンド、非晶質炭素、カーボンナノチューブであって、シリコン、モリブテン、タングステンから選択される少なくとも１種以上の材料からなる基材上に形成されてなる電子線源。 （もっと読む）

【課題】効率的に電界を集中させて電子を放出し、低い駆動電圧で高いエミッション電流密度を実現するフィールドエミッション装置等を提供する。
【解決手段】フィールドエミッション装置１０１は、導電体からなるカソード層１０２と、カソード層上に配置される絶縁層１０３と、絶縁層１０３上に配置され、スリット１０６を設けた導電体からなるゲート層１０４と、エミッタ１０５と、を備え、絶縁層１０３は、当該スリット１０６から、カソード層１０２において当該スリット１０６に対向する対向領域１０８に至る空隙が設けられ、エミッタ１０５は、当該対向領域１０８上に配置された複数の、典型的には単層乃至３層の細いカーボンナノチューブが絡み合った棘状の突端を有する構造体からなる。 （もっと読む）

【課題】 高電子放出量、高電流密度の電子放出素子および電子放出装置を提供する。
【解決手段】 電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 （もっと読む）

【課題】望ましい電界放出特性、最適な分布間隔及び／又は単独性を有するマイクロサイズの磁性ワイヤの起立型アセンブリを提供する。
【解決手段】電界効果型電子放出装置が提供される。当該電界効果型電子放出装置は、基板と、当該基板に埋め込まれ、少なくとも一部が当該基板から露出しており、当該基板から垂直に延びる、磁性材料を含む複数のワイヤとを具備する。当該複数のワイヤの平均間隔は３０μｍ未満であり、間隔／高さ比の平均は１〜３であり、平均アスペクト比は３よりも大きい。また、電子放出装置の製造方法、このような電界効果型電子放出装置を有する電界効果型ディスプレイ、このような電界効果型電子放出装置を有する照明装置、及びこのような電界効果型電子放出装置を有する、液晶ディスプレイ用バックライト装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出表示装置に関する。
【解決手段】本発明の電界放出表示装置は透明基板、絶縁基板、複数の支持体、複数の行電極、複数の列電極及び複数のピクセルユニットを含む。前記透明基板と絶縁基板は、前記支持体に支持され、分離して設置され、前記複数の行電極及び前記複数の列電極が前記絶縁基板上で交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つのピクセルユニットが設置され、前記ピクセルユニットが、陽極電極、陰極電極、陰極放出体及び蛍光体層を含み、前記陽極電極と前記陰極電極が分離して設置され、該陰極電極が行電極に電気的に接続され、該陽極電極が列電極に電気的に接続され、前記陰極放出体が前記陰極電極に電気的に接続され、前記陽極電極と分離して設置され、前記蛍光体層が前記陽極電極の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ針及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ針は第一端及び第二端を含む。前記第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。本発明のカーボンナノチューブ針の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源に関し、特にカーボンナノチューブを利用した電界放出型電子源に関するものである。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、基板と、第一端及び第二端を含むカーボンナノチューブ針と、を含む。前記カーボンナノチューブ針の第一端は前記基板に電気接続されている。前記カーボンナノチューブ針の第二端において、一つのカーボンナノチューブが他のカーボンナノチューブより外部へ延伸している。前記カーボンナノチューブ針の第二端は円錐形に近似し、複数のカーボンナノチューブを含む。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体１は、酸化シリコン粒子２と酸化シリコン粒子２の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維３とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、くびれ構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそのナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長したくびれ構造を有するナノ炭素材料３から成るナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、パラジウム担持基体をオクタノール中で６５０℃以上９５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】面発光型蛍光発光装置では、十分な電子放出効率が得られない状況にあった。
【解決手段】金属材料によって形成された電極より仕事関数の小さな材料によって電子放出層を有する陰極電極が得られる。電子放出層と電極との間に、電子放出層よりも抵抗率の小さい薄膜を介在させることにより、電子放出効率を更に改善できる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出源、それを適用した電子装置及び電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板と別途に製造されたカソードを備え、カソードには、接着層によって固定された針状電子放出物質、例えば、カーボンナノチューブ層が設けられる電子放出源である。カーボンナノチューブ層は、懸濁液フィルタリング法を利用して形成され、後続する電子放出物質層の表面処理によって電子放出密度が上昇する。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
（もっと読む）

【課題】電子放出源形成用水系組成物及びこれを利用した電子放出源を提供する。
【解決手段】カーボン系化合物、ケイ酸化合物及び水を含む電子放出源形成用水系組成物である。これにより、電子放出源形成用水系組成物で所望のパターンを鮮明に形成させ、該組成物で製造した電子放出源は、残留炭素がほとんどないので、エミッションの性能及び寿命が向上する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 大電流・高収束電子ビームを発生させるために望ましい先端形状である球面を制御性よく形成することができるダイヤモンド電子源の製造方法とダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】 本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層を酸水溶液によって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。該工程Ａ及び該工程Ｂをダイヤモンド電子源の製造工程で実施することによって、先端がダイヤモンド表面である球面形状となる結果、大電流・高収束電子ビームを発生させるために最適なダイヤモンド電子源となり、角電流密度や輝度といった電子源性能で従来電子源を凌駕することができる。 （もっと読む）

【課題】性能の高いＣｕ_２Ｏ円錐状突起からなる電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放出型電子源として、Ｃｕ_２Ｏ円錐状突起体を用いる。この円錐状突起体は、突起体先端の曲率半径ρが１５〜２００ｎｍ、開き角θが５〜６０degであることが望ましく、突起体先端の曲率半径ρが２０〜７０ｎｍ、開き角θが１０〜３０degであることがさらに望ましい。また、円錐状突起の長さｌと曲率半径ρの比ｌ／ρ＞１５が望ましい。また、本発明の電界放出型電子源の製造方法は、予備酸化したＣｕワイヤのチップ先端に低真空下で垂直方向からＡｒイオンを照射して、チップの先端にＣｕ_２Ｏ円錐状突起を形成することを特徴とするものである。この発明において、Ｃｕワイヤとして予め機械研磨または電解研磨が施されたものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。また、本発明は、前記電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）