【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エミッタの低閾値電界化、高電流密度化、大面積化、安定化、長寿命化、および、低価格化を実現可能とする素材を提供すること。
【解決手段】 ナノスケールのシリコン微細針状突起群が形成された基板であって、当該シリコン微細針状突起の先端には略球状の炭素系微粒子が形成されている電界電子放出用素材である。ここで、炭素系微粒子がダイヤモンドを主成分とする微粒子であることが好ましく、これは、メタンガスプラズマＣＶＤにより形成できる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い電界放出発光素子を提供する。
【解決手段】電界放出発光素子１は、ガラス基板２１上に形成された導電層２２と、前記導電層２２の上にあって、金属、金属錯体及び金属酸化物の少なくともいずれか一つを含有する金属含有物を担持又は内包するナノカーボン材料から形成されたエミッタ２３と、前記導電層２２の前記エミッタ２３の側に対向して、電子により発光可能な蛍光体１３を有する透明電極１２と、を備える。エミッタ２３は、金属２５を先端の開孔部に担持又は先端部に内包したカーボンナノチューブである。 （もっと読む）

【課題】中空陰極の円筒内側表面にのみ蒸着炭素膜を成膜する。
【解決手段】（ｉ）短辺上端を円弧状に成形した導電性の矩形板状体からなり、（ii）上記矩形板状体の長辺側面に沿って、（ii-1）長辺側面に開口し、かつ、（ii-2）一端を閉じた円筒の中空陰極部材、又は、一端を閉じた円筒の外側底部に接続用端子を備える中空陰極部材を、長辺側面に垂直に、密着状態で収容する部材収容孔が形成されている治具を用いて、中空陰極の円筒内側表面にのみ炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブをカーボンファイバーシート上に一様に生成することが可能なカーボンファイバーシート上のカーボンナノチューブの成長方法、および電界放出特性に優れたカーボンナノチューブエミッターを提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態では、カーボンファイバーシートを構成する繊維表面にＰｄを含む触媒金属を堆積して、その堆積させた触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多くの電子を放出させられる電界放出型カソード、およびこれを用いた電界放出型ランプを提供する。
【解決手段】電界放出型ランプは、カソード基板１１と、アノード基板２１とからなる。カソード基板１１とアノード基板２１とは、対面するように離間して配置されている。カソード基板１１の一方の面には、断面視台形の複数の凸条部が隣接して配置されている。各々の凸条部の側面は凸条部の頂点から末広がりの斜面になっている。カソード基板１１の斜面にはカソード電極が設置されており、カソード電極にはエミッタが形成されている。カソード基板１１の隣接する凸条部の中間点と、各凸条部の頂点とには、ゲート電極が設置されている。アノード基板２１には、蛍光体が塗布された透明電極が設置されている。アノード基板２１の透明電極を有する面とこの面とは反対側の面とは、カソード基板の凸条部が配置された方向に、略半円が波打った形状を有する。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも画面の高輝度化を図ることができる冷陰極電子源基板及び冷陰極ディスプレイを提供すること。
【解決手段】冷陰極ディスプレイ１０は、電子を電界放出する冷陰極電子源基板３０と、冷陰極電子源基板３０に対向配置されたアノード基板６０とを備え、冷陰極電子源基板３０は冷陰極素子２０を備え、冷陰極素子２０は、印加された電界に応じて電子を放出する冷陰極エミッタ２１と、冷陰極エミッタ２１が形成されたカソード電極２２と、冷陰極エミッタ２１から電子を引き出すゲート電極２３と、引き出された電子のビームを集束させるフォーカス電極２４とを備え、ゲート電極２３とフォーカス電極２４との間の距離に関し、冷陰極アレイ４０の中央部を端部よりも短くすることによって電子ビームの発散を大きくし、アノード電流を増加させる構成とした。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に第１絶縁膜１２を形成する工程と、第１絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール（１１）を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核２９を形成する工程と、ゲート電極１４表面上に第２絶縁膜５０を形成する酸化工程と、触媒微結晶核２９上にカーボンナノチューブ４を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に配置され,カソード電極１０と直交するゲート電極１４と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで形成されたホール（１１）からなる電界放出マトリックス電極構造をメッキ槽（３４）内に配置する工程と、カーボンナノチューブ４の成長の核となる触媒微結晶核２９を電着させる際、ホール（１１）内への触媒電着は、ホール底のカソード電極１０を陰極、ゲート電極１４を陽極として電着させる工程とを有するカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の導電性薄膜について、シート抵抗で１０Ｋ〜数百ＫΩ／□の高抵抗でかつ抵抗バラツキの少ない導電性薄膜を提供する。
【解決手段】金属又は合金からなる導電性薄膜４であって、該導電性薄膜４を構成する金属又は合金のバルクに対する密度の比が０．２以上０．５以下であり、該金属又は合金のバルクに対する抵抗率の比が１００倍以上１０００００倍以下の導電性薄膜とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、電子放出素子及び電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン系物質と、カーボン系物質の劣化防止物質とを有し、カーボン系物質の劣化防止物質と外部酸素との結合エネルギーが、カーボン系物質と外部酸素との結合エネルギーより大きい電子放出源、該電子放出源を具備した電子放出素子及び該電子放出源の製造方法であり、これにより、該電子放出源は、すぐれた電界放出効率及び長寿命を有することができる。 （もっと読む）

【課題】低電界で高放出電流密度が得られる電子放出膜を提供する。
【解決手段】金属と炭素とを含む電子放出膜を備える電子放出素子であって、金属を除いた電子放出膜の密度を、１．２ｇ／ｃｍ³以上１．８ｇ／ｃｍ³以下とし、電子放出膜中における水素含有量が電子放出膜を構成する全原子に対し１５原子％以上４０原子％以下とする。さらに、電子放出膜の表面から１０ｎｍまでの範囲における金属の濃度を、電子放出膜中に含まれる炭素原子数に対し０．１原子％以上４０原子％以下とする。 （もっと読む）

【課題】ＮｂＮ金属を使用しないで集束型ＦＥＣを製造する際の電極構造を提供すること。
【解決手段】ゲート電極５の上にエミッタ８から放出された電子を集束する集束電極７を第２の絶縁層６を介して一体に形成する。第２の絶縁層６にはコンタクトホ−ル６ａが設けられ、このコンタクトホールを介して切り離されたゲート電極層５ｂと集束電極層７が導通するように構成されている。前記切り離されたゲート電極を、集束電極引出部５ｂとすると、気密容器を形成する際に、シールガラス９と集束電極層７が直接接触しないような構造にでき、窒化工程において発生する種種の問題点を解消することができる。 （もっと読む）

【課題】低電圧で電子を放出することが可能で、動作が安定しており信頼性が高い電子源、この電子源の作製方法、および、この電子源を使用する冷陰極放電灯等の放電装置を提供する。
【解決手段】電子源１において、基板２と、基板２上に形成されたダイヤモンド結晶微粒子３の集合体と、ダイヤモンド結晶微粒子３の表面に形成された白金微粒子４と、を備え、さらに、電子源１を、冷陰極放電灯等の放電装置に使用すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、高輝度で狭エネルギー幅の電子放出素子および電子銃を実現することを目的とする。さらに、該電子放出素子および電子銃を搭載した、高輝度かつ高分解能の電子顕微鏡および電子線描画装置を実現することを目的とする。
【解決手段】
炭素を主成分とするチューブ状物質を用いた電子放出素子では、その閉構造領域の五員環近傍から電子が放出されると考えられる。五員環間隔を広げて、空間電子反発によるエネルギー分散効果を低減するためには太径のチューブが必要である。本発明では、キャップ構造の力学的歪みを低減することにより、安定な構造の太径チューブ構造を実現する。 （もっと読む）

【課題】均質な塗膜を形成することができ、その塗膜の熱処理中に繊維状炭素が消耗することなく、さらには、エミッタのエミッション特性に優れた電界電子放出素子を得ることができる繊維状炭素含有塗料、この繊維状炭素含有塗料を用いて形成した繊維状炭素膜およびその製造方法、この繊維状炭素膜を備えた電界電子放出素子および電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明の繊維状炭素含有塗料は、繊維状炭素と、有機溶媒と、有機高分子とを含有してなり、前記繊維状炭素の長さが２０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出層から放出された電子の軌道の収束性に優れ、しかも、製造が比較的容易なエッジ型の冷陰極電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出層１３と、絶縁層１４と、ゲート電極層１５とが、この順に支持体１０上に積層され、ゲート電極層１５から支持体１０の表面に達する開口部１６が設けられ、開口部１６は、ゲート電極層１５に設けられた第１開口部１５Ａと、絶縁層１４に設けられた第２開口部１４Ａと、電子放出層１３に設けられた第３開口部１３Ａとから成り、第１開口部１５Ａと第２開口部１４Ａと第３開口部１３Ａとは連通しており、電子が放出される第３開口部１３Ａの開口端部の厚さは先端部に向かって減少し、且つ、第３開口部１３Ａの開口端部の下縁は上縁よりも後退している。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な電子放出特性を示し、耐久性の点でも改善された電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧印加用の導電性基板８１と、導電性基板８１上に形成された金属膜８２と、金属膜８２上に電子放出部分として直接形成されたカーボンナノ構造体８３とを含み、加熱処理された電子源８及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】この発明の目的は、製造コストを低減することができ、しかも、電子デバイスに適用可能な十分な電子放出特性を有する電界放出素子を提供することにある。
【解決手段】電界放出素子１は、基板１１と、基板１１上に配置され銀フィラメント１３Ａからなるエミッタ１３と、エミッタ１３に対向するように配置されたアノード１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ及びカーバイド誘導炭素を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源及びその製造方法、並びに該電子放出源を採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素ナノチューブと、カーバイド化合物をハロゲン族元素含有ガスと熱化学反応させて、カーバイド化合物内の炭素以外の残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素と、を含む混成複合体、該混成複合体を含む電子放出源の製造方法、その方法によって製造された電子放出源及び電子放出源を採用した電子放出素子。これにより、炭素ナノチューブとカーバイド誘導炭素が混成複合化されることによって、多量の炭素ナノチューブの使用時に発生するスクリーン効果を防止できて、電子放出能力が優秀なだけでなく、均一性に優れて長寿命の電子放出源を提供できる。 （もっと読む）