【課題】本発明は、外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、導電性金属粉末と、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、２０≦ａ≦６０、２０≦ｂ≦６０及び２≦ｃ≦２５を満足する式ａ（Ｃｕ、Ｎｉ）−ｂＺｒ−ｃ（Ａｌ、Ｓｎ）を含む伝導性非晶質金属粉末と、を含む外部電極用導電性ペースト、これを用いた積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。本発明によると、内部電極と外部電極との連結性低下及びガラスの励起によるメッキ不良を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品の具現が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成され、上記セラミック素体の第１面及び上記第１面と連結された第３面または第４面に露出し、上記第１面に露出した領域のうち一部が互いに重なる引出し部を有する第１及び第２内部電極と、上記セラミック素体の第１面及び上記第１面から延長されて上記第１面と連結された第３面または第４面に形成され、上記引出し部と夫々連結される第１及び第２外部電極と、上記セラミック素体の第１面、上記第１面と連結された第３面及び第４面に形成される絶縁層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度変化率の小さい誘電体磁器とそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする主結晶粒子９ａと酸化イッテルビウムの結晶粒子９ｂとを有するとともに、チタン１００モルに対してマグネシウムをＭｇＯ換算で０．５〜３．０モル含有してなり、Ｘ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの面指数（１１０）の回折強度に対する酸化イッテルビウムの面指数（２２２）の回折強度が０．５〜３．０％である。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐力を向上できるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサ１は、１対の内部電極７と、当該１対の内部電極７間に位置する誘電体５と、を有する。誘電体５は、粒径が１３０ｎｍ以下の複数の第１の無機粒子１５と、粒径が１６０ｎｍ以上の複数の第２の無機粒子１７と、を含む。第２の無機粒子１７同士は、複数の第１の無機粒子１５を互いに結合してなる三次元マトリクス構造を介して連結されている。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型化合物（ＡＢＯ_３）を含有し、化合物１００モルに対して、各酸化物換算で、ＲＡ_２Ｏ_３（ＲＡはＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．６〜２．５モル、ＲＢ_２Ｏ_３（ＲＢはＨｏおよび／またはＹ）を０．２〜１．０モル、ＲＣ_２Ｏ_３（ＲＣはＹｂおよび／またはＬｕ）を０．１〜１．０モル含有し、Ｍｇ酸化物を、Ｍｇ換算で０．８〜２．０モル、Ｓｉ化合物をＳｉ換算で１．２〜３．０モル含有し、ＲＡ_２Ｏ_３の含有量（α）、ＲＢ_２Ｏ_３の含有量（β）およびＲＣ_２Ｏ_３の含有量（γ）が、１．２≦α／β≦５．０、０．５≦β／γ≦１０．０である誘電体磁器組成物。該誘電体磁器組成物は、誘電体層厚みが５．０μｍ以下の電子部品に適用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】広範囲な温度領域（例えば、−５５〜３５０℃）において比誘電率の変化率（例えば、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）が小さく、３５０℃付近の高温領域に至るまでの諸特性に優れ、比誘電率が大きく、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】一般式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるニオブ酸化合物と、ＢａＴｉＯ３表されるチタン酸バリウムとを含有する誘電体磁器組成物中に、ニオブ酸化合物領域とチタン酸バリウム領域とがそれぞれコンポジット構造を形成し、 [（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_αＢａ_β]（Ｎｂ_αＴｉ_β）Ｏ_１２で表される固溶体の固溶体領域面積をＡ１、全体の領域面積をＡ２としたときに、Ａ１／Ａ２≦０．３５とする。 （もっと読む）

【課題】 メッキ液の浸入を防ぎ、信頼性の高いコンデンサを提供すること。
【解決手段】 複数の積層された誘電体層５、および該誘電体層５間の界面に沿って形成された複数の内部電極３を含み、該内部電極３の各端部が所定の端面に露出している積層体２と、所定の前記端面２ｅ、２ｆに露出した前記内部電極３を互いに接続するように、所定の前記端面２ｅ、２ｆに設けられた外部電極４とを備え、前記内部電極３と前記誘電体層５との間に、所定の前記端面２ｅ、２ｆに開口する隙間６が設けられており、該隙間６にガラス７が設けられているコンデンサ１である。 （もっと読む）

【課題】特性のばらつきが少なく、小型で高容量の電子部品を、低コストで製造することが可能な積層型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】グリーンシートに所定パターンで電極ペースト膜を形成する工程と、グリーンシートを積層して積層体４ａを準備する工程と、積層体を、支持基板３６の粘着層３４に付着する工程と、積層方向と直交する第１方向に沿って、支持基板は切断せずに積層体を切断して端子電極接続面１５ａ，１５ｂを形成し、積層方向および第１方向と直交する第２方向に沿って、積層体および支持基板を切断してギャップ面１６を形成し、支持基板と一体化された棒状体３８を得る工程と、ギャップ面が同一平面に配置されるように複数の棒状体３８を並べ、ギャップ面１６に、セラミックペースト４２を塗布する工程と、粘着層の粘着力を弱め、積層体２ａと支持基板３６とを分離する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部電極層用導電性ペースト組成物及びそれを含む積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明による内部電極層用導電性ペースト組成物は金属粉末１００モルと、セラミック粉末０．５〜４．０モルと、シリカ（ＳｉＯ_２）粉末０．０３〜０．１モルと、を含むことができる。本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、内部電極の焼成収縮温度を高め、内部電極の連結性を向上させることができる。また、誘電体層の緻密度を向上させ、耐電圧特性、信頼性及び誘電特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】内部電極の露出部にめっき膜を析出させるにあたって、より確実なめっき成長を実現するため、いずれの内部電極も存在しない外層部にダミー導体を形成したとき、積層セラミック電子部品の信頼性、たとえばＢＤＶが低下することがあった。
【解決手段】高さ方向に沿って２枚以上の外層ダミー導体７を所定間隔で連続的に配置することにより、複数の外層ダミー群３１を形成する。外層ダミー群３１内における外層ダミー導体７同士の間隔をｄ、外層ダミー群３１同士の間隔をｇ、としたとき、ｇがｄより大きくなるようにする。これによって、めっき析出ポイントを確保しつつ、外層ダミー群３１同士の間隔を遠ざけることにより、外層ダミー導体７による内部電極３，４の押圧を緩和することができ、局所的に内部電極間距離が短くなることを防止でき、ＢＤＶの低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】セラミックコンデンサを利用することで、ＡＣラインのノイズ吸収フィルタ等を構成する複数のコンデンサと抵抗との異なる種類の電子部品を一体化することができ、耐熱性が良好で、サイズの小型化、コストの低廉化、実装スペースの省スペース化を実現することができるコンデンサモジュールを提供する。
【解決手段】セラミック基板１２内に形成され、一端が第１入出力端子１４ａに接続された２つの第１Ｘコンデンサ電極１６ａと、セラミック基板１２内に形成され、一端が第２入出力端子１４ｂに接続され、且つ、それぞれ第１Ｘコンデンサ電極１６ａに対向する２つの第２Ｘコンデンサ電極１６ｂと、セラミック基板１２の上面１２ｕに形成され、第１入出力端子１４ａと第２入出力端子１４ｂ間に接続された１つの抵抗体１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いペロブスカイト型複合酸化物粒子を得ることのできるペロブスカイト型複合酸化物の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかるペロブスカイト型複合酸化物の製造方法では、一般式ＡＢＯ₃（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒのうちの少なくとも１つを含み、Ｂは少なくともＴｉを含む）で表されるペロブスカイト型複合酸化物の製造方法であり、少なくとも酸化チタン粉末を含んだ原料液を密封容器の内部で加熱し、前記加熱された原料液にＡサイト成分を構成する元素の水酸化物を加えて反応させる反応工程を含む。したがって、結晶性の高いペロブスカイト型複合酸化物粒子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部電極における下地電極の厚みが薄い場合でも、湿中負荷試験における不良を少なくできる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５と内部電極層７とが交互に積層されたコンデンサ本体１と、該コンデンサ本体１の前記内部電極層７が露出した端面１ａおよび該端面１ａに隣接する側面１ｂに設けられた下地電極３および該下地電極３上に設けられた被覆電極とを含む外部電極とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記下地電極３は、銅を主成分とし、かつ亜鉛を含み、緻密度が９６％以上であり、前記下地電極３の前記コンデンサ本体１の前記端面１ａ側における厚みが２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の高密度実装を可能とする電子部品及び電子部品の製造方法を低コストで提供すること。
【解決手段】電子部品１は、素体２、外部電極３，４、及び絶縁層２０，２１を備えている。素体２は、互いに対向する一対の端面２ａ，２ｂと、一対の端面２ａ，２ｂを連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面２ｃ，２ｄと、一対の主面２ｃ，２ｄを連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面２ｅ，２ｆと、を有している。外部電極３，４は、素体２の端面２ａ，２ｂ側に形成され、端面２ａ，２ｂに隣接する主面２ｃ，２ｄ及び側面２ｅ，２ｆの一部を覆う。少なくとも外部電極３，４における側面２ｅ，２ｆ側に位置する電極部分３ｅ，３ｆ，４ｅ，４ｆの表面が、絶縁層２０，２１で覆われている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ素体に対する端子電極の固着強度を高めた積層電子部品を提供すること。
【解決手段】積層コンデンサ１は、複数の誘電体層４が積層されたコンデンサ素体３と、コンデンサ素体３内に配置された内部電極１０，２０と、コンデンサ素体３の外表面に配置され且つ内部電極１０，２０それぞれに接続された端子電極５，７と、誘電体層４の積層方向に対して交差する面方向に広がり、当該面方向に沿って端子電極５，７に接続されたアンカー電極４０，４２とを備えている。この積層コンデンサ１では、アンカー電極４０，４２が、誘電体層４を構成するセラミック粉を含んでおり、コンデンサ素体３内に埋め込まれるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積層セラミックコンデンサの回路基板の実装構造に関する
【解決手段】本発明の積層セラミックコンデンサの回路基板の実装構造は、内部電極が形成された誘電体層が積層され、前記内部電極に並列接続される外部電極端子が両端部に形成された積層セラミックコンデンサの回路基板の実装構造において、前記積層セラミックコンデンサの内部電極と回路基板が水平状態になるように配置されて前記外部電極端子と回路基板のランドが導電材により接合され、前記外部電極端子の面積Ａ_ＭＬＣＣに対する前記導電材の接合面積Ａ_{ＳＯＬＤＥＲ}の割合は１．４未満で構成されることにより、振動騒音を著しく減少させることができる作用効果が発揮されることができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の低下を抑制し且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設されたセラミックからなる部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、前記外部電極２０は、部品本体の外面に形成された第１の電極層２１と、第１の電極層２１の外面に物理的蒸着法又は化学的蒸着法で形成されてなり且つ部品本体１０内への水素の拡散を防止する保護層２２と、保護層２２の外面に電解メッキで形成された１層以上の第２の電極層２３，２４とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れる温度補償型の静電容量素子を提供する。
【解決手段】 静電容量素子１０は、基板２０と、基板２０の上に位置する第１コンデンサ３０と、基板２０の上に位置して第１コンデンサ３０と電気的に並列接続されている第２コンデンサ４０とを有し、第１コンデンサ３０は、第１下部電極３１と第１誘電体３２と第１上部電極３３とで構成され、第２コンデンサ４０は、基板２０側から順に第１下部電極３１と異なる材料からなる第１層４１ｘと、第１下部電極３１と同じ材料からなる第２層４１ｙとが積層されてなる第２下部電極４１と、第１誘電体３２と同じ組成の材料からなる第２誘電体４２と、第２上部電極４３とで構成され、温度が上昇する際の第１コンデンサ３０の静電容量の変化量と第２コンデンサ４０の静電容量の変化量とで変化の正負が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な特性を示す誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３ で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を主成分として含有し、化合物１００モルに対して、各元素換算で、Ｍｇの酸化物を０．６〜２．０モル、Ｍｎおよび／またはＣｒの酸化物を０．０１０〜０．６モル、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる１つ以上の酸化物を０．０１０〜０．２モル、Ｒ１の酸化物（Ｒ１はＹ、Ｙｂ、ＥｒおよびＨｏから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｒ２の酸化物（Ｒ２はＤｙ、ＧｄおよびＴｂから選ばれる１つ以上）を０．１０〜１．０モル、Ｂａの酸化物および／またはＣａの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、からなる成分を０．２〜１．５モル、副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）