積層セラミック電子部品及びその製造方法
【課題】本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品の具現が可能となる。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品の具現が可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の小型化傾向に伴い、積層セラミック電子部品の小型化及び大容量化も求められている。
【０００３】
これにより、誘電体層と内部電極の薄膜化及び多層化が多様な方法で試みられており、近年では、誘電体層の厚さが薄くなり且つ積層数が増加する積層セラミック電子部品が製造されている。
【０００４】
また、内部電極の薄膜化のために微細な金属粉末を用いて内部電極を形成したセラミック電子部品が製造されている。
【０００５】
この場合、内部電極の表面粗度が次第に小さくなる長所はあるが、これにより、誘電体層と内部電極との接着力が低下する問題がある。
【０００６】
これは、積層セラミック電子部品の製造において、誘電体層と内部電極との剥離による信頼性低下の問題をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する。
【０００９】
上記誘電体層の平均厚さは、ｔｄ≦１．５μｍを満足することができる。
【００１０】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における誘電体層の平均厚さであることができる。
【００１１】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における内部電極の平均厚さであることができる。
【００１２】
上記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００１３】
また、上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００１４】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層と、当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を有するセラミック本体を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する。
【００１５】
上記誘電体層の平均厚さｔｄ及び上記内部電極の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００１６】
上記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足することができる。
【００１７】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さであることができる。
【００１８】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さであることができる。
【００１９】
上記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００２０】
また、上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００２１】
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、当該内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と、を含む。
【００２２】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００２３】
上記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図である。
【図３】図２の内部電極及び誘電体層の厚さを示す拡大図である。
【図４】図３の内部電極の中心線平均粗さＲａを示す概略図である。
【図５】図３の内部電極の十点平均粗さＲｚを示す概略図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一符号で表示される要素は、同一の要素である。
【００２７】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図であり、図３は、図２の内部電極及び誘電体層の厚さを示す拡大図である。
【００２９】
図１から図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、当該セラミック本体１０内で当該誘電体層１を介して対向配置される第１及び第２の内部電極２１、２２と、を含み、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄ、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００３０】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を積層セラミックキャパシタとして説明するが、これに制限されるものではない。
【００３１】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１を形成する原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
【００３２】
上記誘電体層１の材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のパウダーに、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤等が添加されたものを用いることができる。
【００３３】
上記誘電体層１の形成に用いられるセラミック粉末の平均粒径は、特に制限されず、本発明の目的達成のために、例えば、４００ｎｍ以下に調節されることができる。
【００３４】
上記第１及び第２の内部電極２１、２２の材料としては、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム−銀（Ｐｄ−Ａｇ）合金等の貴金属材料及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）を用いることができるが、これに制限されるものではない。これらの材料のうち一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて上記第１及び第２の内部電極２１、２２を形成することができる。
【００３５】
外部電極３は、静電容量の形成のために、上記セラミック本体１０の外側に形成され、上記第１及び第２の内部電極２１、２２と電気的に連結されることができる。
【００３６】
上記外部電極３は、内部電極と同じ材質の導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等で形成されることができるが、これに制限されるものでない。
【００３７】
上記外部電極３は、上記金属粉末にガラスフリットを添加して製造された導電性ペーストを塗布し焼成することにより形成されることができる。
【００３８】
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであることができる。
【００３９】
本発明の一実施形態において、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さは、図２に示されるように上記セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンすることにより測定されることができる。
【００４０】
例えば、図２に示されるように上記セラミック本体１０の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージから取り出された任意の内部電極に対し、長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定することにより、その平均値を求めることができる。
【００４１】
上記等間隔の３０箇所は、上記第１及び第２の内部電極２１、２２が重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。
【００４２】
なお、このような平均値の測定を１０個以上の内部電極に拡張して行うと、内部電極の平均厚さをより一般化することができる。
【００４３】
また、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄとすると、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００４４】
本発明の一実施形態において、上記誘電体層１の平均厚さは、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の間に配置される誘電体層１の平均厚さを意味することができる。
【００４５】
上記誘電体層１の平均厚さは、図２に示されるように上記セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡でイメージスキャンすることにより測定されることができる。
【００４６】
例えば、図２に示されるように上記セラミック本体１０の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージから取り出された任意の誘電体層に対し、長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定することにより、その平均値を求めることができる。
【００４７】
上記等間隔の３０箇所は、上記第１及び第２の内部電極２１、２２が重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。
【００４８】
上記誘電体層１の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍを満足することができる。
【００４９】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１の平均厚さｔｄと上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとが（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足するように調節することにより、耐電圧特性が向上することができる。
【００５０】
一方、上記誘電体層１の平均厚さｔｄと上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの関係式（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅが２．５を超える場合は、上記誘電体層１の厚さが厚いため、耐電圧特性に問題がない。
【００５１】
図４は、図３の内部電極の中心線平均粗さＲａを示す概略図であり、図５は、図３の内部電極の十点平均粗さＲｚを示す概略図である。
【００５２】
図４及び図５を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００５３】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａは、表面に粗度が形成された内部電極の粗さを算出した値で、上記粗度の仮想中心線を基準に平均値を求めて算出された内部電極の粗さを意味することができる。
【００５４】
以下、上記内部電極の中心線平均粗さＲａを算出する方法について、図４を参照して具体的に説明する。まず、上記内部電極の一表面に形成されている粗度に対し、仮想中心線を引くことができる。
【００５５】
次に、上記粗度の仮想中心線を基準にそれぞれの距離（例えば、ｒ１、ｒ２、ｒ３・・・ｒ１３）を測定した後、下記式１からそれぞれの距離の平均値を求めて上記内部電極の中心線平均粗さＲａを算出することができる。
【００５６】
【数１】
【００５７】
上記十点平均粗さＲｚは、上記粗度の仮想中心線を基準に当該仮想中心線の上方にある５個の最高点及び当該仮想中心線の下方にある５個の最低点のそれぞれの距離の平均値を求めて算出された値を意味することができる。
【００５８】
以下、上記十点平均粗さＲｚを算出する方法について、図５を参照して具体的に説明する。まず、上記内部電極の一表面に形成されている粗度に対し、仮想中心線を引くことができる。
【００５９】
次に、上記粗度の仮想中心線を基準に当該仮想中心線の上方にある５個の最高点（ｒ１＋ｒ２＋ｒ３＋ｒ４＋ｒ５）及び当該仮想中心線の下方にある５個の最低点（ｒ６＋ｒ７＋ｒ８＋ｒ９＋ｒ１０）のそれぞれの距離を測定した後、下記式２からそれぞれの距離の平均値を求めて上記十点平均粗さＲｚを算出することができる。
【００６０】
【数２】
【００６１】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａを５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍの範囲に調節することにより、耐電圧特性に優れ誘電体層と内部電極との接着力が向上し信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６２】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）不良が生じることがあり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが３０ｎｍを超える場合は、薄膜の誘電体層１を介して第１及び第２の内部電極２１、２２の層間間隔が狭くなって耐電圧特性が低下することがある。
【００６３】
また、上記十点平均粗さＲｚを１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２の範囲に調節することにより、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力がより向上した積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６４】
上記十点平均粗さＲｚが１５０ｎｍ未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記十点平均粗さＲｚがｔｄ／２を超える場合は、第１及び第２の内部電極２１、２２間のショート不良等が生じ耐電圧特性が低下することがある。
【００６５】
また、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａを８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０の範囲内に調節することにより、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力がより向上した積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６６】
内部電極を形成するために粒径が小さい微細な金属粉末を用いる場合、上記内部電極の中心線平均粗さＲａを減らして内部電極の薄層化が可能となる。
【００６７】
しかしながら、粒径が小さい微細な金属粉末のみを用いる場合、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが小さくなりすぎるため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがある。
【００６８】
したがって、粒径が小さい微細な金属粉末に粒径が相対的に大きい金属粉末を適宜混合して上記十点平均粗さＲｚを適宜高めると、誘電体層と内部電極との接着力を向上させることができる。
【００６９】
このように、上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａを適宜調節すると、内部電極の薄層化が可能となり、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力をより向上させることができる。
【００７０】
即ち、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａを８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０の範囲内に調節することにより、内部電極の薄層化が可能となり、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力をより向上させることができる。
【００７１】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａが８未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａが２０を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００７２】
したがって、本発明の一実施形態によると、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するように調節することにより、誘電体層と内部電極との接着力が強化され耐電圧特性が向上し信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００７３】
上記のように内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａを上記範囲内に調節するために、本発明の一実施形態によると、上記第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含むことができる。
【００７４】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００７５】
即ち、内部電極の薄層化を図ると共に耐電圧特性を向上させるために、上記Ｒａ、Ｒｚ及びＲｚ／Ｒａを一定範囲内に調節する上で、上記第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる金属粉末としては、異種サイズの粉末を混合したものを用いることができる。
【００７６】
上記異種サイズの粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００７７】
上記第１の粒子の粒径が上記第２の粒子の粒径の１．５倍未満の場合は、粒径の差が小さいため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記第１の粒子の粒径が上記第２の粒子の粒径の２．５倍を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００７８】
上記金属粉末の粒径は、特に制限されず、例えば、第１の粒子の粒径は３００ｎｍ以下であり、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子の粒径は２００ｎｍ以下であることができる。このように異なるサイズを有する第１の粒子と第２の粒子とを混合して上記金属粉末として用いることができる。
【００７９】
上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００８０】
上記第１の粒子の添加量が９重量部未満の場合は、粒径が大きい粒子の添加量が少ないため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記第１の粒子の添加量が２０重量部を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００８１】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１と、当該誘電体層１を介して対向配置される第１及び第２の内部電極２１、２２と、を有するセラミック本体１０を含み、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄ、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００８２】
上記誘電体層１の平均厚さｔｄ及び上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００８３】
上記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足することができる。
【００８４】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さであることができる。
【００８５】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さであることができる。
【００８６】
なお、このような平均値の測定を１０個以上の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをより一般化することができる。
【００８７】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重なる説明は省略する。
【００８８】
図６は、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【００８９】
図６を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、当該内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と、を含むことができる。
【００９０】
以下、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を詳細に説明する。
【００９１】
まず、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造することができる。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末とバインダーと溶剤とを混合して形成されたスラリーをドクターブレード法により数μｍの厚さを有するシート状にすることにより製造されることができる。
【００９２】
その後、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて、上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成することができる。
【００９３】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００９４】
次に、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより、内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し、上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成することができる。
【００９５】
上記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００９６】
本実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重なる説明は省略する。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、これに制限されるものではない。
【００９８】
本実施例は、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの平均厚さを有する第１及び第２の内部電極２１、２２が適用された積層セラミックキャパシタに対し、当該第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる異種サイズの金属粒子間の混合比、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ、その比Ｒｚ／Ｒａ及び誘電体層の平均厚さｔｄによる信頼性向上の有無を試験したものである。
【００９９】
本実施例による積層セラミックキャパシタは、下記のような段階により製作された。
【０１００】
まず、平均粒径が０．１μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のパウダーを含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム上に塗布し乾燥することにより製造された複数のセラミックグリーンシートで誘電体層１を形成した。
【０１０１】
その後、ニッケル粒子の平均サイズがそれぞれ０．３μｍと０．２μｍの第１の粒子と第２の粒子とを４：１〜１０：１の重量比で混合した内部電極用導電性ペーストを製造した。
【０１０２】
次に、上記セラミックグリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法により塗布して内部電極を形成した後、１９０〜２５０層積層して積層体を製造した。
【０１０３】
次いで、上記積層体を圧着し切断して０６０３規格サイズのチップを製造し、当該チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気下で１０５０〜１２００℃の温度で焼成した。
【０１０４】
次いで、外部電極形成工程、メッキ工程等を経て積層セラミックキャパシタを製作した。
【０１０５】
上記積層セラミックキャパシタの試料の断面を観察した結果、内部電極の平均厚さは０．１０〜０．５０μｍであり、誘電体層の平均厚さは０．１０〜０．８０μｍであった。
【０１０６】
下記表１は、誘電体層１の平均厚さｔｄ、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅ、及び誘電体層１の平均厚さｔｄと第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの和と第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの比による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を比較したものである。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
上記表１中、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）は、１．０Ｖ／ｓeｃの速度でＤＣ電圧を印加しながら評価したもので、６０Ｖの絶縁破壊電圧を基準に絶縁破壊が起こる場合をＯ、絶縁破壊が起こらない場合をＸで表示した。
【０１０９】
上記表１を参照すると、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する場合、絶縁破壊が起こるため、信頼性試験において問題が生じる可能性があることが分かる。
【０１１０】
これに対し、上記数値範囲が２．５を超える試料１、８、１２及び２３の場合、誘電体層の厚さが厚いことから、絶縁破壊が起こらないため、耐電圧特性に問題がないことが分かる。
【０１１１】
しかしながら、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足しても、後述する本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品によると、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａを調節することにより、耐電圧特性を向上させることができることが分かる。
【０１１２】
下記表２は、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが異なる場合、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａによる剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）発生の有無を比較したものである。
【０１１３】
【表２】
【０１１４】
上記表２を参照すると、試料１は、内部電極の平均厚さｔｅが０．５μｍのもので、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる場合に剥離が発生するため、信頼性試験において問題が生じる可能性があることが見られる。
【０１１５】
これに対し、試料２〜３は、内部電極の平均厚さｔｅが０．５μｍを超えるもので、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる場合にも剥離が発生しないため、信頼性試験において問題が生じないことが分かる。
【０１１６】
したがって、後述する本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品によると、内部電極の平均厚さが０．５μｍ未満の場合に剥離不良の減少及び信頼性向上の効果があることが分かる。
【０１１７】
下記表３は、第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる異種サイズの金属粒子間の混合比、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅ、誘電体層１の平均厚さｔｄ、誘電体層１の平均厚さｔｄと第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの和と第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの比、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａによる絶縁破壊の有無及び剥離発生の有無を比較したものである。
【０１１８】
【表３】
【０１１９】
上記表３から分かるように、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる比較例１〜１０の場合、最大電圧が６０Ｖの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を基準に絶縁破壊が起こり剥離も発生するため、信頼性に問題があることが分かる。
【０１２０】
これに対し、本発明の数値範囲を満足する実施例１〜１３の場合、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足しても、絶縁破壊が起こらず剥離も発生しないため、耐電圧特性及び信頼性に優れた積層セラミックキャパシタの具現が可能となることが分かる。
【０１２１】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１２２】
１ 誘電体層
２１、２２ 第１及び第２の内部電極
３ 外部電極
１０ セラミック本体
ｔｄ 誘電体層の平均厚さ
ｔｅ 内部電極の平均厚さ
Ｒａ 内部電極の中心線平均粗さ
Ｒｚ 内部電極の十点平均粗さ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の小型化傾向に伴い、積層セラミック電子部品の小型化及び大容量化も求められている。
【０００３】
これにより、誘電体層と内部電極の薄膜化及び多層化が多様な方法で試みられており、近年では、誘電体層の厚さが薄くなり且つ積層数が増加する積層セラミック電子部品が製造されている。
【０００４】
また、内部電極の薄膜化のために微細な金属粉末を用いて内部電極を形成したセラミック電子部品が製造されている。
【０００５】
この場合、内部電極の表面粗度が次第に小さくなる長所はあるが、これにより、誘電体層と内部電極との接着力が低下する問題がある。
【０００６】
これは、積層セラミック電子部品の製造において、誘電体層と内部電極との剥離による信頼性低下の問題をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する。
【０００９】
上記誘電体層の平均厚さは、ｔｄ≦１．５μｍを満足することができる。
【００１０】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における誘電体層の平均厚さであることができる。
【００１１】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における内部電極の平均厚さであることができる。
【００１２】
上記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００１３】
また、上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００１４】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層と、当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を有するセラミック本体を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する。
【００１５】
上記誘電体層の平均厚さｔｄ及び上記内部電極の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００１６】
上記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足することができる。
【００１７】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さであることができる。
【００１８】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さであることができる。
【００１９】
上記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００２０】
また、上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００２１】
本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、当該内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と、を含む。
【００２２】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００２３】
上記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図である。
【図３】図２の内部電極及び誘電体層の厚さを示す拡大図である。
【図４】図３の内部電極の中心線平均粗さＲａを示す概略図である。
【図５】図３の内部電極の十点平均粗さＲｚを示す概略図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施形態は、多様な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、当業界における通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面上において同一符号で表示される要素は、同一の要素である。
【００２７】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図であり、図２は、図１のＢ−Ｂ'線に沿う断面図であり、図３は、図２の内部電極及び誘電体層の厚さを示す拡大図である。
【００２９】
図１から図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、当該セラミック本体１０内で当該誘電体層１を介して対向配置される第１及び第２の内部電極２１、２２と、を含み、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄ、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００３０】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を積層セラミックキャパシタとして説明するが、これに制限されるものではない。
【００３１】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１を形成する原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
【００３２】
上記誘電体層１の材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のパウダーに、本発明の目的に応じて多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤等が添加されたものを用いることができる。
【００３３】
上記誘電体層１の形成に用いられるセラミック粉末の平均粒径は、特に制限されず、本発明の目的達成のために、例えば、４００ｎｍ以下に調節されることができる。
【００３４】
上記第１及び第２の内部電極２１、２２の材料としては、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム−銀（Ｐｄ−Ａｇ）合金等の貴金属材料及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）を用いることができるが、これに制限されるものではない。これらの材料のうち一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて上記第１及び第２の内部電極２１、２２を形成することができる。
【００３５】
外部電極３は、静電容量の形成のために、上記セラミック本体１０の外側に形成され、上記第１及び第２の内部電極２１、２２と電気的に連結されることができる。
【００３６】
上記外部電極３は、内部電極と同じ材質の導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等で形成されることができるが、これに制限されるものでない。
【００３７】
上記外部電極３は、上記金属粉末にガラスフリットを添加して製造された導電性ペーストを塗布し焼成することにより形成されることができる。
【００３８】
図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであることができる。
【００３９】
本発明の一実施形態において、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さは、図２に示されるように上記セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンすることにより測定されることができる。
【００４０】
例えば、図２に示されるように上記セラミック本体１０の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージから取り出された任意の内部電極に対し、長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定することにより、その平均値を求めることができる。
【００４１】
上記等間隔の３０箇所は、上記第１及び第２の内部電極２１、２２が重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。
【００４２】
なお、このような平均値の測定を１０個以上の内部電極に拡張して行うと、内部電極の平均厚さをより一般化することができる。
【００４３】
また、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄとすると、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００４４】
本発明の一実施形態において、上記誘電体層１の平均厚さは、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の間に配置される誘電体層１の平均厚さを意味することができる。
【００４５】
上記誘電体層１の平均厚さは、図２に示されるように上記セラミック本体１０の長さ方向の断面を走査電子顕微鏡でイメージスキャンすることにより測定されることができる。
【００４６】
例えば、図２に示されるように上記セラミック本体１０の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージから取り出された任意の誘電体層に対し、長さ方向に等間隔の３０箇所の厚さを測定することにより、その平均値を求めることができる。
【００４７】
上記等間隔の３０箇所は、上記第１及び第２の内部電極２１、２２が重なる領域を意味する容量形成部で測定されることができる。
【００４８】
上記誘電体層１の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍを満足することができる。
【００４９】
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１の平均厚さｔｄと上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとが（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足するように調節することにより、耐電圧特性が向上することができる。
【００５０】
一方、上記誘電体層１の平均厚さｔｄと上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの関係式（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅが２．５を超える場合は、上記誘電体層１の厚さが厚いため、耐電圧特性に問題がない。
【００５１】
図４は、図３の内部電極の中心線平均粗さＲａを示す概略図であり、図５は、図３の内部電極の十点平均粗さＲｚを示す概略図である。
【００５２】
図４及び図５を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００５３】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａは、表面に粗度が形成された内部電極の粗さを算出した値で、上記粗度の仮想中心線を基準に平均値を求めて算出された内部電極の粗さを意味することができる。
【００５４】
以下、上記内部電極の中心線平均粗さＲａを算出する方法について、図４を参照して具体的に説明する。まず、上記内部電極の一表面に形成されている粗度に対し、仮想中心線を引くことができる。
【００５５】
次に、上記粗度の仮想中心線を基準にそれぞれの距離（例えば、ｒ１、ｒ２、ｒ３・・・ｒ１３）を測定した後、下記式１からそれぞれの距離の平均値を求めて上記内部電極の中心線平均粗さＲａを算出することができる。
【００５６】
【数１】
【００５７】
上記十点平均粗さＲｚは、上記粗度の仮想中心線を基準に当該仮想中心線の上方にある５個の最高点及び当該仮想中心線の下方にある５個の最低点のそれぞれの距離の平均値を求めて算出された値を意味することができる。
【００５８】
以下、上記十点平均粗さＲｚを算出する方法について、図５を参照して具体的に説明する。まず、上記内部電極の一表面に形成されている粗度に対し、仮想中心線を引くことができる。
【００５９】
次に、上記粗度の仮想中心線を基準に当該仮想中心線の上方にある５個の最高点（ｒ１＋ｒ２＋ｒ３＋ｒ４＋ｒ５）及び当該仮想中心線の下方にある５個の最低点（ｒ６＋ｒ７＋ｒ８＋ｒ９＋ｒ１０）のそれぞれの距離を測定した後、下記式２からそれぞれの距離の平均値を求めて上記十点平均粗さＲｚを算出することができる。
【００６０】
【数２】
【００６１】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａを５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍの範囲に調節することにより、耐電圧特性に優れ誘電体層と内部電極との接着力が向上し信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６２】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）不良が生じることがあり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが３０ｎｍを超える場合は、薄膜の誘電体層１を介して第１及び第２の内部電極２１、２２の層間間隔が狭くなって耐電圧特性が低下することがある。
【００６３】
また、上記十点平均粗さＲｚを１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２の範囲に調節することにより、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力がより向上した積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６４】
上記十点平均粗さＲｚが１５０ｎｍ未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記十点平均粗さＲｚがｔｄ／２を超える場合は、第１及び第２の内部電極２１、２２間のショート不良等が生じ耐電圧特性が低下することがある。
【００６５】
また、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａを８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０の範囲内に調節することにより、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力がより向上した積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６６】
内部電極を形成するために粒径が小さい微細な金属粉末を用いる場合、上記内部電極の中心線平均粗さＲａを減らして内部電極の薄層化が可能となる。
【００６７】
しかしながら、粒径が小さい微細な金属粉末のみを用いる場合、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが小さくなりすぎるため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがある。
【００６８】
したがって、粒径が小さい微細な金属粉末に粒径が相対的に大きい金属粉末を適宜混合して上記十点平均粗さＲｚを適宜高めると、誘電体層と内部電極との接着力を向上させることができる。
【００６９】
このように、上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａを適宜調節すると、内部電極の薄層化が可能となり、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力をより向上させることができる。
【００７０】
即ち、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａを８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０の範囲内に調節することにより、内部電極の薄層化が可能となり、耐電圧特性及び誘電体層と内部電極との接着力をより向上させることができる。
【００７１】
上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａが８未満の場合は、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚとの比Ｒｚ／Ｒａが２０を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００７２】
したがって、本発明の一実施形態によると、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するように調節することにより、誘電体層と内部電極との接着力が強化され耐電圧特性が向上し信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品を具現することができる。
【００７３】
上記のように内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａを上記範囲内に調節するために、本発明の一実施形態によると、上記第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含むことができる。
【００７４】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００７５】
即ち、内部電極の薄層化を図ると共に耐電圧特性を向上させるために、上記Ｒａ、Ｒｚ及びＲｚ／Ｒａを一定範囲内に調節する上で、上記第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる金属粉末としては、異種サイズの粉末を混合したものを用いることができる。
【００７６】
上記異種サイズの粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含み、上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００７７】
上記第１の粒子の粒径が上記第２の粒子の粒径の１．５倍未満の場合は、粒径の差が小さいため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記第１の粒子の粒径が上記第２の粒子の粒径の２．５倍を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００７８】
上記金属粉末の粒径は、特に制限されず、例えば、第１の粒子の粒径は３００ｎｍ以下であり、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子の粒径は２００ｎｍ以下であることができる。このように異なるサイズを有する第１の粒子と第２の粒子とを混合して上記金属粉末として用いることができる。
【００７９】
上記第１の粒子の添加量は、上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部であることができる。
【００８０】
上記第１の粒子の添加量が９重量部未満の場合は、粒径が大きい粒子の添加量が少ないため、誘電体層と内部電極との接着力が低下して剥離不良が生じることがあり、上記第１の粒子の添加量が２０重量部を超える場合は、耐電圧特性が低下することがある。
【００８１】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１と、当該誘電体層１を介して対向配置される第１及び第２の内部電極２１、２２と、を有するセラミック本体１０を含み、上記誘電体層１の平均厚さをｔｄ、上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足することができる。
【００８２】
上記誘電体層１の平均厚さｔｄ及び上記第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００８３】
上記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足することができる。
【００８４】
上記内部電極の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さであることができる。
【００８５】
上記誘電体層の平均厚さは、上記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さであることができる。
【００８６】
なお、このような平均値の測定を１０個以上の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをより一般化することができる。
【００８７】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重なる説明は省略する。
【００８８】
図６は、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【００８９】
図６を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、当該内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と、を含むことができる。
【００９０】
以下、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を詳細に説明する。
【００９１】
まず、誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造することができる。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末とバインダーと溶剤とを混合して形成されたスラリーをドクターブレード法により数μｍの厚さを有するシート状にすることにより製造されることができる。
【００９２】
その後、第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み上記第１の粒子の添加量が上記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて、上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成することができる。
【００９３】
上記第１の粒子の粒径は、上記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍であることができる。
【００９４】
次に、上記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより、内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、上記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し、上記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成することができる。
【００９５】
上記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足することができる。
【００９６】
本実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品と重なる説明は省略する。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、これに制限されるものではない。
【００９８】
本実施例は、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍの平均厚さを有する第１及び第２の内部電極２１、２２が適用された積層セラミックキャパシタに対し、当該第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる異種サイズの金属粒子間の混合比、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ、その比Ｒｚ／Ｒａ及び誘電体層の平均厚さｔｄによる信頼性向上の有無を試験したものである。
【００９９】
本実施例による積層セラミックキャパシタは、下記のような段階により製作された。
【０１００】
まず、平均粒径が０．１μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等のパウダーを含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム上に塗布し乾燥することにより製造された複数のセラミックグリーンシートで誘電体層１を形成した。
【０１０１】
その後、ニッケル粒子の平均サイズがそれぞれ０．３μｍと０．２μｍの第１の粒子と第２の粒子とを４：１〜１０：１の重量比で混合した内部電極用導電性ペーストを製造した。
【０１０２】
次に、上記セラミックグリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷工法により塗布して内部電極を形成した後、１９０〜２５０層積層して積層体を製造した。
【０１０３】
次いで、上記積層体を圧着し切断して０６０３規格サイズのチップを製造し、当該チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気下で１０５０〜１２００℃の温度で焼成した。
【０１０４】
次いで、外部電極形成工程、メッキ工程等を経て積層セラミックキャパシタを製作した。
【０１０５】
上記積層セラミックキャパシタの試料の断面を観察した結果、内部電極の平均厚さは０．１０〜０．５０μｍであり、誘電体層の平均厚さは０．１０〜０．８０μｍであった。
【０１０６】
下記表１は、誘電体層１の平均厚さｔｄ、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅ、及び誘電体層１の平均厚さｔｄと第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの和と第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの比による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を比較したものである。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
上記表１中、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）は、１．０Ｖ／ｓeｃの速度でＤＣ電圧を印加しながら評価したもので、６０Ｖの絶縁破壊電圧を基準に絶縁破壊が起こる場合をＯ、絶縁破壊が起こらない場合をＸで表示した。
【０１０９】
上記表１を参照すると、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する場合、絶縁破壊が起こるため、信頼性試験において問題が生じる可能性があることが分かる。
【０１１０】
これに対し、上記数値範囲が２．５を超える試料１、８、１２及び２３の場合、誘電体層の厚さが厚いことから、絶縁破壊が起こらないため、耐電圧特性に問題がないことが分かる。
【０１１１】
しかしながら、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足しても、後述する本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品によると、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａを調節することにより、耐電圧特性を向上させることができることが分かる。
【０１１２】
下記表２は、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅが異なる場合、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａによる剥離（Ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）発生の有無を比較したものである。
【０１１３】
【表２】
【０１１４】
上記表２を参照すると、試料１は、内部電極の平均厚さｔｅが０．５μｍのもので、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる場合に剥離が発生するため、信頼性試験において問題が生じる可能性があることが見られる。
【０１１５】
これに対し、試料２〜３は、内部電極の平均厚さｔｅが０．５μｍを超えるもので、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる場合にも剥離が発生しないため、信頼性試験において問題が生じないことが分かる。
【０１１６】
したがって、後述する本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品によると、内部電極の平均厚さが０．５μｍ未満の場合に剥離不良の減少及び信頼性向上の効果があることが分かる。
【０１１７】
下記表３は、第１及び第２の内部電極２１、２２に用いられる異種サイズの金属粒子間の混合比、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅ、誘電体層１の平均厚さｔｄ、誘電体層１の平均厚さｔｄと第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの和と第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅとの比、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａによる絶縁破壊の有無及び剥離発生の有無を比較したものである。
【０１１８】
【表３】
【０１１９】
上記表３から分かるように、内部電極の中心線平均粗さＲａ、十点平均粗さＲｚ及びその比Ｒｚ／Ｒａが本発明の数値範囲を外れる比較例１〜１０の場合、最大電圧が６０Ｖの絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を基準に絶縁破壊が起こり剥離も発生するため、信頼性に問題があることが分かる。
【０１２０】
これに対し、本発明の数値範囲を満足する実施例１〜１３の場合、第１及び第２の内部電極２１、２２の平均厚さｔｅと誘電体層１の平均厚さｔｄとの関係が（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足しても、絶縁破壊が起こらず剥離も発生しないため、耐電圧特性及び信頼性に優れた積層セラミックキャパシタの具現が可能となることが分かる。
【０１２１】
本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当該技術分野における通常の知識を有する者による多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【０１２２】
１ 誘電体層
２１、２２ 第１及び第２の内部電極
３ 外部電極
１０ セラミック本体
ｔｄ 誘電体層の平均厚さ
ｔｅ 内部電極の平均厚さ
Ｒａ 内部電極の中心線平均粗さ
Ｒｚ 内部電極の十点平均粗さ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と
を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、前記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍを満足する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
誘電体層と、当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を有するセラミック本体を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、前記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する、積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層の平均厚さｔｄ及び前記内部電極の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足する、請求項３または４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記誘電体層の平均厚さｔｄは、前記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さである、請求項１から５の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記内部電極の平均厚さは、前記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さである、請求項１から６の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含む、請求項１から７の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記第１の粒子の粒径は、前記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第１の粒子の添加量は、前記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である、請求項８または９に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、
第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み前記第１の粒子の添加量が前記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて、前記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、
前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより、内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、前記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し、前記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の粒子の粒径は、前記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍である、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記誘電体の層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する、請求項１１または１２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と
を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、前記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記誘電体層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍを満足する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
誘電体層と、当該誘電体層を介して対向配置される第１及び第２の内部電極と、を有するセラミック本体を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄ、前記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、ｔｄ≦１．５μｍ及び０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、前記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する、積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層の平均厚さｔｄ及び前記内部電極の平均厚さｔｅは、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する、請求項３に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記十点平均粗さＲｚは、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２を満足する、請求項３または４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記誘電体層の平均厚さｔｄは、前記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の誘電体層の平均厚さである、請求項１から５の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記内部電極の平均厚さは、前記セラミック本体の幅（Ｗ）方向の中央部に沿う長さ及び厚さ（Ｌ−Ｔ）方向の断面における中央部の内部電極の平均厚さである、請求項１から６の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記内部電極に用いられる金属粉末は、第１の粒子と、当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子と、を含む、請求項１から７の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記第１の粒子の粒径は、前記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍である、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記第１の粒子の添加量は、前記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である、請求項８または９に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
誘電体を含むセラミックグリーンシートを製造する段階と、
第１の粒子と当該第１の粒子より粒径が小さい第２の粒子とを有する金属粉末を含み前記第１の粒子の添加量が前記金属粉末１００重量部に対して９〜２０重量部である金属ペーストを用いて、前記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、
前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し焼結することにより、内部電極の平均厚さｔｅが０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、前記内部電極の中心線平均粗さＲａが５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍを満足し、前記内部電極の中心線平均粗さＲａに対する十点平均粗さＲｚの比Ｒｚ／Ｒａが８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足するセラミック本体を形成する段階と
を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の粒子の粒径は、前記第２の粒子の粒径の１．５〜２．５倍である、請求項１１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記誘電体の層の平均厚さｔｄは、ｔｄ≦１．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足する、請求項１１または１２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−５８７１８（Ｐ２０１３−５８７１８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２８２１０７（Ｐ２０１１−２８２１０７）
【出願日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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