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Fターム[5E034DC01]の内容

Fターム[5E034DC01]に分類される特許

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【課題】内部電極を備えることなく、ESD耐量を良好に維持しつつ、静電容量にばらつきが生じるのを抑制することが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】チップバリスタ1は、複数の端子電極5と、バリスタ部7と、複数の導電部9と、を備えている。バリスタ部7は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、電圧非直線特性を発現する。複数の導電部9は、バリスタ部7を挟んで配置され、バリスタ部7に接続される主面9aと主面9aに対向する主面9bとをそれぞれ有する。複数の端子電極5は、複数の導電部9の主面9bに接続される。 (もっと読む)


【課題】内部電極を備えることなく、ESD耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能なチップバリスタを提供すること。
【解決手段】素体3は、バリスタ部7と、一対の端面の対向方向に直交する方向にバリスタ部7を挟んで位置される支持部9と、を有している。バリスタ部7は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、端子電極に接続されるように一対の端面間にわたって延び、電圧非直線特性を発現する。支持部9は、ZnOを主成分とする焼結体からなり、端子電極に接続されるように一対の端面間にわたって延びている。バリスタ部7は、アルカリ金属、Ag、及びCuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が存在する第一領域8aと、一対の端面間にわたって延びる且つアルカリ金属、Ag、及びCuからなる群より選ばれる元素が存在しない第二領域8bと、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】サーミスタの機械的な強度を向上し、且つ、サーミスタの反りの発生を防止することで、製品の信頼性を向上させることが可能なサーミスタ、を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜サーミスタ1は、基板2と、基板2上に配置されたサーミスタ膜5とを備え、基板2は、該基板2の最大厚さΔT3よりも薄い肉薄部分TH1を有し、サーミスタ膜5は、凹部52が形成されたもの、又はサーミスタ膜5の一部が除去されて孔部52が形成されたものである。これにより、薄膜サーミスタ1の素子としての強度が向上し、膜の応力によって発生する薄膜サーミスタ1の反りを防止する。 (もっと読む)


【課題】 複合ポリマー回路保護デバイスを製造する方法であって、ポリマーアセンブリを供給した後、個々のデバイスへ更に分割する方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも1つの導電性表面を有し、それぞれ層状ポリマー素子を有する第1及び第2のラミネート(7、8)を供給すること、1つのラミネートの少なくとも1つの導電性表面にパターン形成を施すこと、少なくとも1つのラミネートの少なくとも1つの導電性表面がスタックの外側導電性表面(3)を形成して、ラミネートを所望する構成にてスタック(1)に取り付けること、並びに第1のラミネートの導電性表面と、第2のラミネートの導電性表面との間に複数の電気的接続(31、51)を形成することによってアセンブリを形成する。層状ポリマー素子は、PTC導電性ポリマー組成物であってよく、本発明の方法によって形成される個々のデバイスはPTC特性を示す。 (もっと読む)


【課題】薄膜からなる接続パッド部が剥がれて、接続不良を起こしてしまうような不具合を防止する。
【解決手段】接続パッド部が、セラミックス基板の一部を露出させ、引き出し線固定領域となるように形成されているので、接続パッド部およびセラミックス基板上の引き出し線固定領域の双方に引き出し線が取り付けられ、引き出し線から応力が加わった場合でも、その応力が主にセラミックス基板上の引き出し線固定領域によって受け止めることができ、引き出し線の引っ張り強度を向上させることが出来る。 (もっと読む)


【課題】内部電極と外部電極との接合強度を高めると共に、緻密な外部電極を得るセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体の内部に設けられる内部電極と、セラミック素体の端面に設けられ、内部電極と導通する一対の外部電極とを有し、内部電極は、少なくともPdを含むと共に、外部電極は、金属成分としてAgおよびPdを含むと共に、ガラス成分として結晶化ガラスとを含み、セラミック素体の端面に、外部電極に含まれる金属成分を形成するための金属粉末と外部電極に含まれるガラス成分を形成するためのガラス粉末とを含む導電性ペーストを塗布して形成され、金属成分の割合aと、結晶化ガラスおよび空隙の割合bとが、内部電極との接合部分における断面の面積比で、下記式(1)、(2)を満たす。
86%≦a≦97%・・・(1)
3%≦b≦14%・・・(2) (もっと読む)


【課題】内部電極と外部電極との接合強度を高めると共に、緻密な外部電極を得るセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、前記セラミック素体の内部に設けられ、少なくともPdを含む内部電極と、前記セラミック素体の端面に設けられ、金属成分として少なくともCuとAgとを含むと共に、ガラス成分として結晶化ガラスを一種類以上含み、前記内部電極と導通する一対の外部電極とを有し、前記外部電極は、軟化点Tsが焼付温度よりも高い結晶化ガラスを50%以上含有する。 (もっと読む)


【課題】高抵抗化するのを回避し、信頼性に優れた半導体セラミックを得ることができる半導体セラミックの製造方法、半導体セラミック、及びPTCサーミスタを実現する。
【解決手段】Ba化合物、Ti化合物、希土類化合物、更にはCa化合物又は/及びSr化合物を混合して熱処理し、BaTiO系組成物からなる第1の熱処理粉を作製する。また、アルカリ金属M(例えば、Na、Li)を含有したアルカリ金属化合物、Bi化合物、Ba化合物、及びTi化合物を混合して熱処理し、一般式(M,Bi)1-xBaTiO(ただし、xは0.025≦x≦0.15)で表わされる第2の熱処理粉を作製する。そして、第1の熱処理粉と第2の熱処理粉とを混合して成形加工し、成形体を作製し、焼成し、半導体セラミックを製造する。部品素体1は、この半導体セラミックで形成されている。 (もっと読む)


【課題】製造コストが低く、優れたPTC特性と高い信頼性を有するセラミック積層PTCサーミスタを提供すること。
【解決手段】複数のセラミック層12と、隣接するセラミック層12の間に内部電極14と、を備えるセラミック素体10、及び、セラミック素体10の端面10a,10bに外部電極30、を備えるセラミック積層PTCサーミスタ100であって、セラミック素体10の表面10c,10dの上にガラス層20を有し、ガラス層20は、亜鉛及びビスマスから選ばれる少なくとも一種の元素の酸化物を主成分として含有し、ガラス層におけるアルカリ酸化物の含有量が0.8質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】機械的耐久性に優れているセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品1は、第1の補強層17aをさらに備えている。第1の補強層17aは、第1の外層部10Bに、長さ方向L及び幅方向Wに沿って形成されている。第1の補強層17aの一部分は、厚み方向Tにおいて第1及び第2の外部電極13,14の第1の部分13a、14aと対向している。第1の補強層17aは、第1及び第2の端面10e、10fのいずれにも露出していない。第1の主面10aのうちの第1または第2の外部電極13,14の第1の部分13a、14aが設けられている部分において、第1の補強層17aと対向していない部分は、第1の補強層17aと対向している部分よりも厚み方向の中央寄りに位置している。 (もっと読む)


【課題】ピンホールを生じること無くガラス層を形成することができるセラミック積層電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るセラミック積層電子部品の製造方法は、主としてセラミックスからなる焼結した素体の表面にガラス粉体層を形成する工程と、焼成炉内において所定の焼成温度でガラス粉体層を焼成する焼成工程とを有し、焼成工程においては、所定の焼成温度における焼成炉内の圧力を、室温における焼成炉内の圧力の2.2倍以上にして、ガラス粉体層を焼成する。 (もっと読む)


【課題】素体の還元によるPTC特性の変動を抑制することができる積層型セラミックPTC素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る積層型セラミックPTC素子1は、主としてセラミックスからなる多孔質の素体2と、素体2の表層に形成された無機コーティング層5とを有し、素体の内部の空隙部に酸化性ガスが封入されているものである。 (もっと読む)


【課題】素体の反りを抑制し、寸法精度のよいチップバリスタを提供すること。
【解決手段】チップバリスタ1は、互いに対向する主面11a,11bを有するバリスタ素体11と、バリスタ素体11内に配置され、一部が互いに対向する内部電極13,15と、主面11aの両端側に配置された外装電極17,19と、外装電極17,19を連結するように配置された抵抗体21と、抵抗体21が配置された主面11aを覆うように配置されたガラス層23と、主面11bを覆うように配置されたガラス層25と、ガラス層23,25よりも薄い層であって、素体3全体を覆うように配置された絶縁層5と、素体3の一端を覆うように配置され、内部電極13と外装電極17とに接続される外部電極7と、素体3の他端を覆うように配置され、内部電極15と外装電極19とに接続される外部電極9とを備える。 (もっと読む)


【課題】焼結密度が高く結晶粒径の小さな電圧非直線抵抗体の製造方法及びV1mA/tが高くてV−I特性や静電容量等の電気的な特性が良好な電圧非直線抵抗避雷素子を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化亜鉛(ZnO)粉末とコバルト(Co)化合物粉末とアンチモン(Sb)化合物粉末とを混合し、この混合物を950℃から1350℃の加熱温度で反応させて粒成長抑制剤となるZn7−xCoSb12(0≦x≦7)を含む酸化物を作製し、微粉化して予め準備する。この粒成長抑制剤を含む酸化物の粉末は添加物として、主成分の酸化亜鉛(ZnO)粉末と化合物の形の周知の添加物粉末に混合し、この上記混合物を金型にて加圧成形してから、成形体を焼結して電圧非直線抵抗体の製造する。電圧非直線抵抗体は、側面に高絶縁層を施し、上下面に電極を設けて電圧非直線抵抗体形避雷素子を構成する。 (もっと読む)


【課題】凹凸がある表面にも均一に高抵抗層を塗布することが可能で、かつ生産性の良いチップ型バリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】チップ型バリスタは、半導体である酸化亜鉛を主成分とするバリスタ素体表面5a〜5dと、少なくとも1対の電極層とを有し、その端部には導電性の外部電極4が、前記バリスタ素体よりも外側に盛り上がって形成されている。このように凹凸のあるチップ型バリスタ表面において、バリスタ素体表面の一部又は全部に、紫外線硬化樹脂等の高抵抗層を、少なくとも前記電極層の層間距離と同じ幅Dを持つ、帯状の範囲に均一に塗布することが可能な、インクジェット方式による高抵抗層6の形成手段を提供するものである。 (もっと読む)


【解決手段】電気デバイス(1)は2つの電極(7、9)と、電極を隔て、ポリマーおよび導電性フィラーの混合物を含んで成る導電性ポリマー層(5)とを含む。熱硬化性ポリマー成分を含む酸素バリア材料が、層状電極と接触してない導電性ポリマー層の露出面に存在する。酸素バリア材料はポリアミン−ポリエポキシド材料であってよい。
【効果】酸素バリア材料により、許容可能なバリア特性を広範な湿度レベルに亘って提供し得る。 (もっと読む)


【課題】第1及び第2の内部電極間の短絡が生じ難いセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品1は、直方体状のセラミック素体10を備えている。セラミック素体10は、第1及び第2の内部電極11,12が設けられている中央部10Aと、第1及び第2の内部電極11,12が設けられていない第1及び第2の端部10B,10Cとを有する。セラミック電子部品1は、セラミック素体10の厚み寸法をT、第1の端部10Bの幅方向に沿った寸法をW1、第2の端部10Cの幅方向に沿った寸法をW2としたときに、下記式(1)及び(2)を満たす。
W1>T ……… (1)
W2>T ……… (2) (もっと読む)


【課題】 抵抗値特性が安定して高精度化を図ることができると共に、絶縁膜コートによる残留応力と加工プロセスでのダメージとを抑制可能な表面実装型電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面実装されるチップ状の電子部品であって、導電性を有するセラミックス材料で直方体形状に形成された素体2と、該素体2の両端面に形成された一対の端子電極3と、素体2の外周面を覆って電着法によって形成された絶縁性樹脂膜4と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】CV積が低く、結晶粒子の粒成長が抑制され、しかも種々の特性のバラツキを小さくすることができる電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供する。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛100モルに対して、副成分として、Coの酸化物をCo換算で0.05原子%超30原子%未満、Srの酸化物をSr換算で0.05原子%超20原子%未満、Rの酸化物(Rは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群から選ばれる少なくとも1つ)を、R換算で0.01原子%超20原子%未満、Siの酸化物をSi換算で0.01原子%超10原子%未満、ジルコン酸カルシウムをCaZrO換算で0.01原子%超10原子%未満、含有することを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】CV積が低く、種々の特性のバラツキを小さくすることができ、しかも結晶粒子の粒成長が抑制された電圧非直線性抵抗体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として酸化亜鉛を含有し、酸化亜鉛100モルに対して、副成分として、Coの酸化物をCo換算で0.05原子%超30原子%未満、Srの酸化物をSr換算で0.05原子%超20原子%未満、Rの酸化物(Rは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群から選ばれる少なくとも1つ)を、R換算で0.01原子%超20原子%未満、Siの酸化物をSi換算で0.01原子%超10原子%未満、含有し、Al、GaおよびInを含有しないことを特徴とする電圧非直線性抵抗体磁器組成物。 (もっと読む)


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