【課題】部品全体の機械的強度を向上させることができ、これにより、生産性及び信頼性を十分に高めることが可能なトレンチ型コンデンサを提供する。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３、誘電体層４、上部電極５、保護層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３はトレンチ部Ｒｔ及び台座部Ｄから構成され、トレンチ部Ｒｔには複数のトレンチＴが画成されている。台座部Ｄは、トレンチ部Ｒｔの周囲に設けられており、その高さがトレンチＴの底壁よりも高く形成されている。また、トレンチＴの内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように薄膜状の誘電体層４が、さらにそれを覆うように上部電極５が形成され、台座部Ｄの上方に設けられたビア導体Ｖａ，Ｖｂを介して、パッド電極７ａ，７ｂが、それぞれ下部電極３及び上部電極５に接続されている。 （もっと読む）

【課題】内部電極に相対的に膜厚の厚い部分を設けた構造において、電気的特性のばらつきを小さくすることが可能とされている積層セラミック電子部品を得る。
【解決手段】第１の内部電極５と第２の内部電極６とがセラミック層を介して重なり合うように配置されており、第１，第２の内部電極５，６が、第１，第２の有効部５ａ，６ａと、第１，第２の接続部５ｂ，６ｂと、第１，第２の接続部５ｂ，６ｂよりも膜厚が厚く、かつセラミック素体２の外表面に引き出されている第１，第２の引き出し部５ｃ，６ｃとを有し、第１，第２の外部電極３，４が形成されているセラミック素体の側面から第１，第２の引き出し部５ｃ，６ｃの内側端縁までの距離をそれぞれＬ_１，Ｌ_２とし、側面２ｃ，２ｄと、第２の内部電極の先端または第１の内部電極の先端との間との距離をＧ_２またはＧ_１としたときに、Ｇ_２＞Ｌ_１かつＧ_１＞Ｌ_２とされている、積層セラミック電子部品１。 （もっと読む）

【課題】配線基板に埋め込み実装したときに層間絶縁樹脂との密着性を高め、実装信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】キャパシタ１０は、誘電体層１１を挟んで一方の面に下部電極（第１の導体膜１４）が形成され、他方の面に上部電極（第２の導体膜１５）が形成された構造を有する。第１の導体膜１４は、誘電体層１１に接する側のニッケル（Ｎｉ）層１２とこのＮｉ層上に形成された銅（Ｃｕ）層１３とからなる。第２の導体膜１５は、単一のＣｕ層からなり、又は、誘電体層１１に接する側のＮｉ層とこのＮｉ層上に形成されたＣｕ層とからなる。好適には、Ｃｕ層１３，１５の表面が粗化されている。さらに、両面を絶縁樹脂層１６，１７で被覆した構造のキャパシタ１０ａとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】等価直列抵抗ＥＳＲ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を低減することができるコンデンサを提供する。
【解決手段】コンデンサは、（ａ）一対の電極層１５，１７と、（ｂ）一対の電極層１５，１７の間に配置された誘電体層１６と、（ｃ）一対の電極層１５，１７にそれぞれ接続された一対の引き出し電極３０ｓ，３２；３０ｔ，３４とを備える。一方の電極層１５は、電極層１５，１７及び誘電体層１６が積層された方向から透視したとき、（ｉ）一対の電極層１５，１７が誘電体層１６を介して対向する容量発生部に重なる中心部１５ｐと、（ii）中心部から外側に延在し、かつ中心部を全周に渡って連続的に取り囲む外周部１５ｑとを有する。一方の引き出し電極３０ｓは、一方の電極層１５の外周部１５ｓに１箇所で接続され、当該接続面は中心部１５ｐを全周に渡って連続的に取り囲む。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ安価な製造工程によって形成可能な大容量小型キャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体によって表面全体が覆われた導体粒子を、ガスと共に噴射して加速する加速工程と、加速された前記導体粒子を基板に衝突させ、前記表面全体が誘電体に覆われたままの状態で前記導体粒子を基板に固着させる固着工程と、固着した前記導体粒子で形成される堆積膜を電極で挟む電極形成工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が１００ｎｍ以下のＡＢＯ₃ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム（Ｓｃ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流特性の劣化などの特性劣化を低減することができる薄膜キャパシタを提案するとともに、そのような薄膜キャパシタを製造する方法を提案する。
【解決手段】 絶縁性基板２の上に第一の絶縁性水素バリア層３が形成され、その上にキャパシタ部４が形成されており、下部電極４ａの一部及び上部電極４ｃの一部を除いたキャパシタ部４全体及び第一の絶縁性水素バリア層３が第二の絶縁性水素バリア層５で覆われており、下部電極４ａの一部及び上部電極４ｃの一部が導電性水素バリア層７で覆われており、第一の絶縁性水素バリア層３は、キャパシタ部が形成されていない部分の厚さｔ２が、キャパシタ部が形成されている部分の厚さｔ１よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の結晶化のための熱処理による下部電極の酸化、及び熱処理による誘電特性の劣化等の問題を解消することができる薄膜キャパシタ材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の工程（１）〜（３）を含むことを特徴とする。
工程（１）：１０〜５００μｍの厚さからなり、表面抵抗値が０．１〜１Ω、及び最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）が１００〜７００ｎｍであるニッケル箔を準備する。
工程（２）：前記ニッケル箔の表面上に、次の（イ）〜（ハ）の手順を２〜５回繰り返し膜形成した後、これをカーボン製容器内に挿入して、非酸化性雰囲気下に７００〜８００℃の温度で加熱し、所望の厚さの誘電体膜を形成する。
（イ）誘電体の前駆体溶液を塗布する。
（ロ）次いで、大気下に３００〜３５０℃の温度で加熱する。
（ハ）続いて、大気下に４５０〜５００℃の温度で加熱する。
工程（３）：前記誘電体膜の表面上に、第１導電材を成膜する。 （もっと読む）

【課題】外部から熱が印加されても変形し難いトレンチ型コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３（第１電極）、誘電体層４、上部電極５（第２電極）、絶縁層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３には、トレンチＴが複数形成されており、その内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように、薄膜状の誘電体層４が形成されている。また、上部電極５は、トレンチＴの内部空間を充填するように、誘電体層４上に厚膜状に形成されている。このように、下部電極３の凹部であるトレンチＴ内に、凸状の上部電極５が嵌合するように構成されているので、構造強度が高められ、これにより、熱応力が印加されても、トレンチ型コンデンサ１の変形や破壊を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長による誘電体薄膜の成膜を、低コストかつ簡易な方法で行うことができるとともに、高い誘電率を有する誘電体薄膜が形成された薄膜電子部品を低コストで得る。
【解決手段】 粒成長の臨界粒径以下の粒子径を有するペロブスカイト型誘電体粒子を溶媒中に分散させてスラリーを形成し、一軸配向性を有する基板表面に前記スラリーを塗布し、前記スラリーを塗布した前記基板を熱処理する。下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上形成された上部電極と、を有する薄膜電子部品において、前記誘電体薄膜を上記の方法によって形成する。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

本発明は、並列又は直列に接続されたコンデンサを有する監視及び／又は識別デバイスと、このようなデバイスを作製及び使用する方法とに関する。一方のコンデンサが相対的に厚いコンデンサ誘電体を用いて製造され、他方が相対的に薄いコンデンサ誘電体を用いて製造される、並列に接続されたコンデンサを有するデバイスでは、高精度の静電容量と、監視タグ機能停止を容易にするための低い絶縁破壊電圧との両方を実現することができる。直列に接続されたコンデンサを有するデバイスにより、小さいコンデンサの横方向の大きさが増すことになる。これにより、解像能力が相対的に限定されることがある技法を用いてそのコンデンサを製造することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体薄膜として誘電率が高い強誘電体を用いても、電圧依存性を抑制した薄膜キャパシタを得ることができる手段を提案する。
【解決手段】 下部電極と上部電極との間に誘電体薄膜が形成された薄膜キャパシタにおいて、厚さｄ１の前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に、互いに間隔ｐ１で並んでいる複数の貫通孔を有する絶縁体薄膜が形成されており、前記貫通孔には前記上部電極を構成する金属が充填されており、前記上部電極と前記誘電体薄膜は前記貫通孔中の金属を通じて接しており、前記誘電体薄膜の厚さｄ１と前記貫通孔の間隔ｐ１の関係が２．５≦ｐ１／ｄ１≦７．５で表される薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】大きな容量の電気エネルギーを蓄積する装置を提供する。
【解決手段】電気エネルギーを蓄積する装置は、水平方向の複数の磁気ダイポールを有する第１の磁性セクション２１２と、鉛直方向の複数の磁気ダイポールを有する第２の磁性セクション２１４と、を有する第１の磁性層２１０と、水平方向の複数の磁気ダイポールを有する第３の磁性セクション２２２と、鉛直方向の複数の磁気ダイポールを有する第４の磁性セクション２２４と、を有する第２の磁性層２２０と、第１の磁性層２１０と第２の磁性層２２０との間に配置された誘電体層２３０とを備える。誘電体層２３０により電気エネルギーを蓄積し、第１の磁性層２１０および第２の磁性層２２０により電流リークの発生を防ぎ、第２の磁性セクション２１４および第４の磁性セクション２２４中の鉛直磁気ダイポールにより、容量を増大させる。 （もっと読む）

【課題】１対の電極膜の両方が銅等から構成され、それら電極膜の間にセラミックス誘電体材料から構成された誘電体膜が設けられた誘電体素子において、誘電体膜の誘電率の更なる向上を図ること。
【解決手段】セラミックス誘電体材料及び／又はその前駆体を含み金属箔３０上に形成された膜を加熱して、セラミックス誘電体材料から構成された誘電体膜２０を形成する工程と、誘電体膜２０の金属膜３０とは反対側の面上に、銅、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛又はこれらを含む合金から構成された第１の電極膜１１を形成する工程と、金属膜３０を除去する工程と、誘電体膜２０の第１の電極膜１１とは反対側の面上に、銅、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛又はこれらを含む合金から構成された第２の電極膜１２を形成する工程と、をこの順に備える、誘電体素子１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板上に搭載された半導体LSIチップからの電磁波の漏洩を抑止し、シグナルインテグリティ（信号品質）と電力利用効率、ならびに回路設計効率を向上させ、、結果的にディジタル機器ならびにマルチメディア機器の高性能化と低コスト化を実現する。
【解決手段】 １枚の高誘電率高損失セラミック薄膜を絶縁体とし該薄膜を挟む２枚の金属薄膜を導体とするストリップ線路で構成され、1GHzにおいて0.5Ω以下の特性インピーダンスを有するとともに50Ωの線路に挿入したときに1GHzにおいて40dB以上の挿入損失を有する回路構成部品を形成し、該回路構成部品を半導体素子または半導体チップとともにプリント回路基板上に搭載し、前記半導体素子または半導体チップに直流電源を供給するプリント回路基板のライン側配線とグランド側配線を有する電源分配回路中の、あらかじめ途中で切断されたライン側配線を該回路構成部品によって再接続する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性を改善し、２枚の樹脂基板の間に埋め込んだ際に強度及び信頼性を高めることが可能な電子部品及び電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体素子１ａにおいて、側面２Ｅの表面粗さＲａが１５ｎｍ以上と粗面化されている。これにより、ガラスエポキシ樹脂基板１０と絶縁性機材３０との接触面積が大きくなり、樹脂基板との密着性を改善し、２枚の樹脂基板の間に埋め込んだ際に強度及び信頼性を高めることが可能となる。誘電体素子１ａにおいて、側面２Ｅの表面粗さＲａが５０００ｎｍ以下であるため、誘電体素子１ａ，１ｂをガラスエポキシ樹脂基板１０と絶縁性機材３０との間に埋め込む際に、誘電体素子１ａ，１ｂの表面と樹脂との間に気泡が生じることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制すること。
【解決手段】基板と、誘電体膜と、一対の電極と、を備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる複数の凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサ。凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。区画７のうち少なくとも一部がｘ軸方向に沿って延びた部分７１を有し、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の延びた部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ容量のばらつきが十分に小さいキャパシタ部を備える電子部品を提供すること。
【解決手段】キャパシタ部を備える電子部品。キャパシタ部が、基板上に形成された第１電極層と、第１電極層上に形成された誘電体膜４と、誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面に接し、開口６ａを形成している絶縁層６と、開口６ａ内で誘電体膜４及び絶縁層６に接する第２電極層５とを有する。誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 （もっと読む）