【課題】非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。
【解決手段】第１基板５と、第１基板５上に形成された酸化膜４と第１電極層３と、第１電極層３上に形成された誘電体層２と、を有する誘電体構造体１において、第１基板５と第１電極層３との間に、第１基板５上の少なくとも一部を覆うように形成されたＴｉ等による結合層６を有する。形成後の誘電体内の残留応力に応じて、界面の機械特性を最適化することで、誘電体層２および電極層３が、形成過程では、耐熱性基板から剥離せず、転移過程において、剥離するような界面の剥離特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴなどの強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなり、複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が、ｎ−オクタン酸基がその酸素原子を介して金属元素と結合している化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、長時間放置後も充放電効率の高い薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】本発明のキャパシタ型蓄電池は、導電膜又は半導体膜からなる第１基材と、複数個の導電粒子又は半導体粒子を含む第１粒子層と、絶縁膜と、をこの順に積層する第１積層型基材を備える。そして、前記絶縁膜の上に、互いに平行して形成された第１導電路及び第２導電路を有する。前記導電粒子若しくは半導体粒子又はこれら粒子が複数個集合した粒子集合体の最大幅は１０μｍ以下であり、粒子又は粒子集合体の間には隙間又は絶縁物が存在し、粒子間又は粒子集合体間の距離が３０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高容量でインピーダンス及びインダクタンスが小さく信頼性の高いキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔上に、エアロゾルデポジション法により、チタン酸バリウム系セラミックス材料の誘電体膜を形成し、誘電体膜に、金属箔に接続された第１のビア導体及び第２のビア導体を埋め込み、誘電体膜上に、第１のビア導体に接続された第１の電極パターンを形成し、金属箔をパターニングし、第２のビア導体に接続された第２の電極パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】超高容量の具現が可能でありながらも強度が高い積層セラミックスキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による積層セラミックスキャパシタの製造方法は、基礎誘電体層を形成する段階；前記基礎誘電体層の上面に内部誘電体層及び内部電極層を交互に蒸着した単位セラミックスキャパシタを形成する段階；及び前記単位セラミックスキャパシタを２層以上で積層する段階；を含む。 （もっと読む）

【課題】 高い容量を備える電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、トレンチ３０の内部に樹脂充填材５２が充填されているため、トレンチ３０の側壁で生じる応力を可撓性の有る樹脂充填材５２で吸収することができ、凹部（トレンチ）を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、トレンチ３０の側壁へクラックが入ることが無い。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、長時間放置後も充放電効率の高い薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】本発明のキャパシタ型蓄電池は、複数個の第１導電粒子又は第１半導体粒子が互いに接触して形成してなる第１粒子層と、絶縁膜と、をこの順に積層し、更に前記絶縁膜の上に、互いに平行して形成された第１導電路及び第２導電路を有する。そして、前記複数個の第１導電粒子又は第１半導体粒子は、平面面積による粒度分布において平面面積の大きい側から累積１５％を除いたものであり、且つ最大幅が１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、基体上に複合酸化物膜形成用塗布剤を塗布する塗布工程と、この基体上の塗膜にマイクロ波を照射して焼成する焼成工程とを含み、複合酸化物膜形成用塗布剤が、β−ジケトンを配位するチタン化合物と、β−ジケトンを配位するＡサイトの金属元素を含む化合物との溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層をより一層薄層化・多層化した場合であっても、誘電特性、絶縁性、温度特性、高温負荷特性等の諸特性が良好で、かつ耐熱衝撃性が良好な積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサは、一般式ＡＢＯ_３で表されるチタン酸バリウム系化合物を主成分とする誘電体セラミック層６ａ〜６ｇと、Ｎｉを主成分とする内部電極２ａ〜２ｈとが交互に積層されている。そして、少なくともＭｇ及びＬｉを含有した結晶性酸化物が、内部電極２ａ〜２ｈ及び誘電体セラミック層６ａ〜６ｇのうちの少なくともいずれか一方に存在している。前記結晶性酸化物は、大部分が内部電極２ａ〜２ｈ中のＮｉに接しているのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】積層型電子部品の両端部の電極形成面に端子電極を形成するにあたって、端子形成面と電極材料の薄膜との接合強度低下、及び電極材料の回り込みを抑制すること。
【解決手段】内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を傾斜させる。そして、この状態で、ターゲットを用いて第１端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０３）。その後、積層型電子部品を反転させる（ステップＳ１０５）。そして、第１端子形成面と対向する第２端子形成面をターゲットの照射面に対して傾斜させるとともに、第２端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットを用いて第２端子形成面に乾式成膜する（ステップＳ１０７）。 （もっと読む）

【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、表面に凹溝１７が形成された基体１８からなる蒸着用ボート１３であって、凹溝１７は、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９と、この供給用凹溝１９と連通し、蒸着材料を蒸発させる蒸発用凹溝２０とで構成され、供給用凹溝１９は蒸発用凹溝２０よりも幅が狭く、表面に供給用凹溝１９が形成された領域の基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝１９近傍の温度を下げ、供給用凹溝１９近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化し、均一に粗膜層７を形成できる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの比誘電率を低下させることなく漏洩電流を効率的に減少させたキャパシタを提供すること。
【解決手段】下部電極層と、誘電体層と、上部電極層が順次積層された多層薄膜積層構造を持つキャパシタにおいて、前記下部電極層の主材料をＴｉＮまたはＺｒＮとし、前記下部電極層には酸素を含有せしめ、前記下部電極層中に含まれる酸素濃度の範囲を適切な値とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制しつつ、コンデンサの大容量化を実現する技術を提供する。
【解決手段】本発明のコンデンサ用電極体は、陽極用基材５と、陽極用基材５上に設けられたＮｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔｅ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、ＰｔおよびＡｕ並びにこれらを含む合金および珪素物のいずれかからなる多孔質層６とを備え、多孔質層６の表面にはＴｉＯ_２膜３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で大容量のコンデンサを製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明のコンデンサ用電極体の製造方法は、第１金属粒子８および第２金属粒子１８を含む複合体５を陽極用基材４上に形成する第１の工程と、複合体５から第２金属粒子１８を除去して陽極体２を形成するとともに、陽極体２の表面に誘電体層１１を形成する第２の工程とを含み、第１の工程において、第１金属粒子８として弁作用金属およびその合金の少なくとも一方を用い、第２金属粒子１８として電解質溶液中において陽極として電圧を印加した場合に金属イオンが溶出しアノード溶解が起こる金属を用い、第２の工程において、電解質溶液中において陽極として複合体５に電圧を印加することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本明細書では一般に、複合誘電材料の設計、製造、および使用のための技術について述べられる。実施形態は非限定的に方法、装置、およびシステムを含む。他の実施形態も開示され特許請求され得る。本明細書で述べるいくつか技術は、エネルギー蓄積デバイスに用いるように誘電材料の薄い層をコンフォーマルに形成するための誘電体粒子の電気泳動堆積を含む。例示のエネルギー蓄積デバイスは、一部の場合に電池、ウルトラキャパシタ、および他の同様なデバイスの動作を置き換えるおよび／または補助するために用いることができるコンデンサデバイスを含む。
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【課題】基板内形成のための加熱制限があってもキャパシタ誘電体膜において高い比誘電率を得る。
【解決手段】基板内部の基板樹脂層３にキャパシタ１０を埋め込んで形成する。その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】内部でのクラックや剥離の発生が抑制された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ１００では、Ｎｉを主成分とする内部電極３，５，７，９が積層方向に貫通する貫通孔Ｈを有すると共に、この貫通孔Ｈの少なくとも一部の面積が０．１９〜７．０μｍ^２であって、且つ主面に対する貫通孔Ｈの面積の割合が０．０５〜５％の範囲である内部電極３，５，７，９の主面全体の面積に対する貫通孔Ｈの面積が上記の範囲であることによって、内部電極３，５，７，９と誘電体層２，４，６，８，１０との界面での剥離やクラックの発生が抑制され、この結果、歩留まりが向上される。 （もっと読む）

【課題】 内部電極層と接続電極との電気的接続の安定性を向上させることが可能な薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された二つ以上の誘電体層１２と、誘電体層１２の間に積層され、積層方向から見て誘電体層から突出する突出部１３ａを有する内部電極層１３と、突出部１３ａに含まれる内部電極層の表面の少なくとも一部及び端面を介して内部電極層１３と電気的に接続する接続電極１４と、を備え、内部電極層１３の突出部１３ａの誘電体層に対する突出量Ｌと内部電極層１３の厚さｔとの比Ｌ／ｔが０．５〜１２０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 端子電極の密着層と誘電体層とが直接接触することによる電気特性の劣化を防ぎ、信頼性を高めることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された誘電体層１２と、誘電体層１２上に積層された上部電極層１３と、密着層１７ａ、シード層１７ｂ及びめっき層１７ｃを有する端子電極１７と、上部電極層１３と端子電極１７との間に設けられ、上部電極層１３と端子電極１７とを絶縁する配線用樹脂層１４と、配線用樹脂層１４を貫通するよう設けられ、密着層１７ａに接しており、上部電極層１３と端子電極１７とを電気的に接続する配線層１５と、を備え、配線層１５の組成が端子電極１７の密着層１７ａと異なるものであり、配線層１５の誘電体層１２に対する還元力が、密着層１７ａのものより小さい。 （もっと読む）