【課題】電子部品における電極層にバリが発生することを防止する。
【解決手段】本発明に係る電子部品の製造方法では、形成工程において、誘電体層１３と誘電体層１３を挟んで対向する第１の電極層１５と第２の電極層１７とを有する積層体１０を形成する。そして、第１及び第２のエッチング工程において、積層体１０を複数の電子部品に分割するための分割線Ｌに沿った分割パターン１６，１８のエッチングを第１の電極層１５と第２の電極層１７とに行う。これにより、第１及び第２の電極層１５，１７の分割線Ｌ上の部分が除去されるので、電子部品の第１の電極層５と第２の電極層７とにバリが発生するのを防止して、積層体１０を複数の電子部品に容易に分割することができる。 （もっと読む）

【課題】 隣り合うコンデンサ素子の間に配置される接着剤の量を減らすことができ、しかも、樹脂封止部材の成型圧を高めることができる固体電解コンデンサを提供する。
【解決手段】 固体電解コンデンサ１では、隣り合うコンデンサ素子２の間に配置された絶縁性接着剤４１が、樹脂封止部材５に臨むコンデンサ素子２の外縁部分に沿って延在している。そのため、隣り合うコンデンサ素子２の間への樹脂封止部材５の進入が絶縁性接着剤４１によって防止される。 （もっと読む）

【課題】 不純物元素、好ましくはアルミニウム元素を低減したチタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 （Ａ）バリウムアルコキシドとチタンアルコキシドの混合溶液を調製する工程
（Ｂ）（Ａ）工程で得られた溶液に、アミノアルコールを添加する工程、
（Ｃ）（Ｂ）工程で得られた溶液を濾過して、不溶物を除去する工程及び
（Ｄ）（Ｃ）工程で得られた溶液に、カルボン酸を加える工程
を含み、不純物として含まれるアルミニウム元素の比率がバリウム元素の０．００５ｍｏｌ％未満である、チタン酸バリウム前駆体溶液の製造方法及びチタン酸バリウム薄膜の製造方法、この製造方法により得られたチタン酸バリウム薄膜並びにチタン酸バリウム薄膜を用いた電子部品。 （もっと読む）

【課題】 支持基板上に薄膜キャパシタを配置する構成では、薄膜キャパシタの電極に接続され、かつ機械的支持力を得るのに十分な厚さを有する支持基板を貫通する導電プラグを配置しなければならない。
【解決手段】 支持基板の表面に、第１の凹部及び第２の凹部が形成されている。第１の凹部の内面に導電膜が形成されている。第１の電極膜、誘電体膜、及び第２の電極膜が積層されたキャパシタ膜が、第２の電極膜が支持基板側になる向きで支持基板の第１の表面及び導電膜上に配置されている。キャパシタ膜の一部は、第２の凹部の側面に沿い、第２の電極膜が導電膜に接触する。キャパシタ膜の上に被覆膜が配置される。第１の導電部材が、第１の凹部の位置において、被覆膜の上面から支持基板の背面まで達し、凹部の内面に形成された導電膜に接触する。第２の導電部材が、第２の凹部の位置において、被覆膜の上面から支持基板の背面まで達し、第１の電極膜に接触する。 （もっと読む）

【課題】卑金属膜及び該卑金属膜上に形成された誘電体膜を有する誘電体素子の製造において、卑金属膜の損傷、及び卑金属膜表面への不要物の付着を抑制しながら、誘電体膜を適度なエッチングレート且つ良好なコントラストでエッチングすることを可能にする方法を提供すること。
【解決手段】卑金属膜１上に形成されたＴｉ及びＢａを有する酸化物を含む誘電体膜３をエッチング液に接触させることにより、誘電体膜３の一部を除去する工程を備える誘電体素子の製造方法。エッチング液は、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を０．０１〜３．０ｍｏｌ／Ｌと、塩酸、硝酸、燐酸及び酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸を０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌとを含有する水溶液である。 （もっと読む）

金属箔上で誘電体を作る方法が開示され、本方法から得られる金属箔上の誘電体を含んだ大面積コンデンサを作る方法が開示されている。誘電体の前駆体層及びベースメタル箔は、還元性ガスも含む湿潤雰囲気中で、３５０〜６５０℃の範囲内の予備焼成温度において予備焼成される。予備焼成された誘電体の前駆体層及びベースメタル箔はその後、誘電体を生成するために約１０^-6気圧未満の酸素分圧を有する雰囲気中で、７００〜１２００℃の範囲内の焼成温度において焼成される。本開示方法に従って作られるコンデンサの面積は１０ｍｍ²を超え得る。そしてプリント配線板内に埋め込まれ得る複数の個々のコンデンサユニットを作製するために細分され得る。誘電体は、典型的には結晶質のチタン酸バリウム、又は結晶質のチタン酸バリウム・ストロンチウムを含む。
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【課題】本発明は電気伝導度を大きく改善させた金属キャパシタ及びその製法に関する。
【解決手段】本発明の金属キャパシタは一面に多数個の溝が形成された金属部材と、金属部材に形成される金属酸化膜１２と、多数個の溝が露出されるように金属酸化膜に形成される絶縁膜１４と、多数個の溝が埋まるように金属酸化膜に形成される埋立て電極部材１３を具備する。金属キャパシタの製造方法は金属部材の一側面をマスキング後、ＤＣ食刻、ＡＣ食刻、湿式食刻のうちいずれかで金属部材の一面に多数個の溝が配列されるように形成する食刻過程と、金属部材の溝形成面に陽極酸化方法で金属酸化膜を形成する化成過程と、金属酸化膜にＣＶＤ方法で絶縁膜を形成する過程と、金属部材に形成された多数個の溝が埋まるように埋立て電極部材を形成する過程と、金属部材や埋立て電極部材に多数個の第１の外部電極２１を連結する電極形成過程とからなる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ面積が増大することを効果的に抑制するとともに、キャパシタ容量値を調整することのできるキャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明の第１の態様にかかるキャパシタ１は、基板１０１上に形成された下部電極１０２と、下部電極１０２上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３を介して下部電極１０２と対向配置され、下部電極１０２上に電極開口部１０６を有する上部電極１０４と、電極開口部１０６内に設けられた第２絶縁膜１０５と、を備え、電極開口部１０６の側面となる部分の上部電極１０４は、電極開口部１０６の底面と重複する部分の下部電極１０２よりも面積が大きいものである。 （もっと読む）

【課題】多くの電極あるいは電極の組合せの内のいずれにも簡単に接近できる、改良された膜キャパシタ構造を提供する。
【解決手段】多層膜キャパシタ構造が、モノリシック基板１２上の下部電極層１６、下部電極１６上に敷かれている膜電極１８ａ，２０ａ，２２ａ及び誘電体材料１８ｂ，２０ｂ，２２ｂの対からなる中間層、及び中間層対の上に敷かれている膜電極２４ａ及び膜誘電体２４ｂの対からなる上部層を有する。この構造は、デバイスの全周縁にわたって、それぞれの電極層がその上の層の周縁の外側まで側方に広がる、メサ形状を有することが望ましい。従って、電極をいかなる組合せでも接続でき、いかなる所望の回路接続もできるように、各電極層はその突き出している縁にビアを通して接続できる上部表面を有する。 （もっと読む）

【課題】実装に際して誘電体膜における亀裂の発生を抑制できる電子部品を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられるキャパシタ部１１を備え、キャパシタ部１１が、基板１上に設けられる電極部２と、電極部２上に設けられる誘電体膜３と、誘電体膜３上に開口部４ａを有する絶縁膜４と、絶縁膜４の開口部４ａの内壁面及び誘電体膜３の表面に接触する電極部５とを備え、基板１の厚さ方向に沿った断面で、絶縁膜４における開口部４ａの内壁面と第２電極部５の境界線２２が、誘電体膜３と絶縁膜４と第２電極部５との交点近傍で誘電体膜３側に向かって凸となるように湾曲している電子部品１００。 （もっと読む）

【課題】高い静電容量を維持しつつ、電極の応力を緩和することにより、信頼性の高い優れた薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜コンデンサ１は、トレンチ３ａが少なくとも一方面に形成された基体と、その基体の少なくとも一方面上に形成された、下部電極、誘電体膜及び上部電極６を含む積層膜とを有しており、上部電極６及び／又は下部電極に、開口部６ａが形成されたものである。また、誘電体膜には、パッド電極と下部電極との接続部位に開口部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の雰囲気でコンデンサを容易に製造することができる方法の提供。
【解決手段】導電体層形成ステップと誘電体層形成ステップとを含むコンデンサ製造方法であって、誘電体層を形成する誘電体層形成ステップは、原料液２００を静電爆発させることにより誘電体材料をナノファイバとし、透過孔を備えるマスク手段を用い、前記透過孔を通過したナノファイバを所定の位置に堆積させる堆積ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】高静電容量密度、低損失正接、高絶縁破壊電圧、及びその他の好ましい電気的および物理的特性を有する薄膜誘電体の製造方法を提供すること。
【解決手段】熱処理し磨いた金属箔上に、柱状粒子および高誘電率を有する堆積させた薄膜誘電体を形成し、スパッターし、低酸素分圧下でアニールすることにより、高静電容量密度の薄膜誘電体を得る。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が大きくリーク電流が小さな酸化ニオブ薄膜および／または酸化タンタル薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】下部電極上に、一般式（１）
Ｍ^１（ＮＲ^１）（ＯＲ^２）_３ （１）
（式中、Ｍ^１はタンタル原子又はニオブ原子を示し、Ｒ^１はイソプロピル基又はｔｅｒｔ−ブチル基を示し、Ｒ^２はｔｅｒｔ−ブチル基を示す。）で表されるイミド錯体を原料として、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によって薄膜を形成させ、当該薄膜上に上部電極を形成させ、高誘電体薄膜コンデンサとする。 （もっと読む）

キャパシタに使用するための高誘電率誘電体材料を作製するための方法を提供する。向上した性質を有する有機非伝導性媒体内のいくつかの高誘電率材料、およびそれを作製するための方法を開示する。いくつかの特定の誘電体材料の薄膜を形成するための一般的な方法を開示し、有機ポリマー、シェラック、シリコーンオイル、および／またはゼイン製剤の使用は、低伝導率誘電体被覆を生成するために利用される。加えて、弱い還元剤を利用して、塩または酸化物マトリクスとしての特定の遷移金属塩の形成のための方法が低温で行われる。さらに、そのようなデバイスの製造収率およびユーティリティ性能を向上させるために、長期蓄積キャパシタからの漏洩電流を回収および再生するための動作の回路構造および関連方法を提供する。
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【課題】大容量化および高耐電圧化を図るのに適したコンデンサ、電子部品、およびコンデンサの製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のトレンチ１１を有する基材１を備えるコンデンサＡ１であって、基材１は、少なくとも複数のトレンチ１１を規定する部分が、絶縁材料からなり、複数のトレンチ１１のうち互いに隣り合うトレンチ１１の一方に収容された陽極２と、隣り合うトレンチ１１の他方に収容された陰極３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電気機器・電子機器などの電子回路に用いられるシートキャパシタにおいて、誘電体と対向電極との密着性を向上させて、耐電圧・静電容量を安定させる。
【解決手段】表面積を拡大させたエッチドアルミニウム箔１と、該エッチドアルミニウム箔の表面に、アクリル系ポリマーを電着形成してなるアクリル系ポリマー誘電体と、前記アクリル系ポリマー誘電体上にスパッタリング法またはイオンプレーティング法により形成した対向電極とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら、容量密度の向上，電極金属及び誘電体材料の選択性の向上，製造プロセスの簡略化を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、複数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の外側の第１電極２０及び内側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２８により構成されている。誘電体１８は、金属の陽極酸化により得られた酸化物基材の構造体の空隙に電極材料を充填したのち、前記構造体を除去し、その空隙に高誘電率材料を充填することにより形成される。容量を規定する面積を増大させるとともに、高誘電率材料を使用することにより、コンデンサ１０の高容量化が可能となる。また、電極材料及び誘電体材料の選択性が増すとともに、製造プロセスの簡略化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】小型でありながら、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，ＥＳＬの低減を図ることができるコンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ素子１２は、所定の厚みを有する誘電体１４と、その表面１４Ａに形成された一対の略櫛型の表面電極１６，２０と、一端が前記表面電極１６，２０に接続し、他端が誘電体１４の厚み方向へ延長した複数の略柱状の内部電極１８，２２により構成される。誘電体１４に孔を形成した後に、該孔に電極材料を充填するため、製造プロセスが簡略化する。また、内部電極１８，２２が高アスペクト比を有しているため、容量を規定する面積を増大させてコンデンサ１０の高容量化を図ることができる。更に、前記表面電極の櫛歯状部１６Ａ，２０Ａを交互に配置しているため、同一面の直近で電流方向が逆向きになり、磁界相殺の効果が大きく、ＥＳＬが大幅に低減される。 （もっと読む）