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Fターム[5E082FG03]の内容

Fターム[5E082FG03]に分類される特許

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【課題】層数が増加したときにも接続の信頼性が低下することのない積層型薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供。
【解決手段】基板11上に一方のグループに属する電極12Aと誘電体層13と他方のグループに属する電極12Bとが交互に複数積層された積層型薄膜キャパシタ10であって、対向領域OAの一端側には、一方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第1の接続部を有するとともに、対向領域の他端側には、他方のグループに属する複数の電極が互いに重ねられた第2の接続部を有し、第1の接続部及び第2の接続部にのみさらに、前記対向領域との段差を緩和する厚み調整用の導体層がそれぞれ重ねられている。これにより、前記接続部と前記対向領域との段差が緩和され、接続の信頼性を低下させることなく積層数を増加させることができる。 (もっと読む)


【課題】
高い誘電率を保ちつつ、高容量であり、均一で所望の絶縁性を有する誘電体薄膜を得ることが可能な複合誘電体用液状組成物および誘電体ならびに複合誘電体液状組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】
無機誘電体とフッ素化芳香族ポリマーを含有する複合誘電体用液状組成物であって、液状組成物中の無機誘電体の平均粒子径Dmが700nm以下である。また、該複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体、及び、該複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板。 (もっと読む)


【課題】所望の静電容量を確保し易いキャパシタ及びその製造方法並びにキャパシタユニットを提供する。
【解決手段】第1の電極層9と、第1の電極層9の表面上に積層された導電性の第1の凸部14aと、第1の凸部14aの表面及び第1の電極層9の表面に成膜された第1の誘電体層6と、第1の誘電体層6を介して第1の凸部14a及び第1の電極層9に重なるように設けられた第2の電極層7と、を備えるキャパシタ1Aを製造可能な構成を有している。 (もっと読む)


【課題】緻密な構造と高誘電率を有する誘電体薄膜を得るとともに、それを利用した高寿命の電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ10は、基板12上に、下部電極14,誘電体薄膜16,上部電極26を積層した構造となっている。前記誘電体薄膜16では、アクセプタ元素のコーティング層20によってコア18の表面が被覆されたABO構造の第1の粒子22間の空隙に、ドナー元素を含有するABO構造であって、前記第1の粒子22よりも粒径が小さい第2の粒子24が充填された緻密な構造となっている。このような第1の粒子22と第2の粒子24を用いることにより、低温でも緻密な構造で誘電率が高い誘電体薄膜16が得られる。また、ドナー・アクセプタ設計を行って酸素欠陥の生成と移動を抑制するため、誘電率及び信頼性(ないし寿命)が高い薄膜コンデンサ10が得られる。 (もっと読む)


【課題】 薄膜キャパシタの基板と実装基板との線膨張係数の違いによってバンプに働く鉛直方向の応力が導体に集中しない構造を有する薄膜キャパシタを提供するとともに、その製造方法を提供する
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された第1の導体層と、該第1の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に前記第1の導体層と電気的に絶縁されて形成された第2の導体層と、を有するキャパシタ部と、前記第1の導体層に電気的に接続するとともに前記キャパシタ部の上面に引き出さるように形成された第1の導体パッドと、前記第2の導体層に電気的に接続するとともに前記キャパシタ部の上面に引き出されるように形成された第2の導体パッドと、前記第1および第2の導体パッド上それぞれに形成された第1および第2のバンプと、を備え、前記第1および前記第2の導体パッドは前記基板に接合されている。 (もっと読む)


【課題】引出電極と薄膜電極層の接続部及びその近傍への応力の集中を抑制することが可能で、信頼性の高い薄膜電子部品を提供する。
【解決手段】薄膜電極層1(1a,1b)と、薄膜電極層上に配設された、所定の位置に貫通孔16a(16b)が配設された絶縁層4と、導電性を有する材料からなり、貫通孔の底部となる薄膜電極層の露出部に配設された緩衝層であって、外周面5xが傾斜して裾広がりのテーパ形状を有する緩衝層5(5a,5b)と、絶縁層の上面から、貫通孔の内周面を経て緩衝層にまで達し、緩衝層を介して薄膜電極層と電気的に接続する引出電極6(6a,6b)とを備えた構成とし、引出電極を裾広がりのテーパ形状を有する緩衝層を介して薄膜電極層に接続することによって、引出電極と絶縁層の境界部にかかる応力を抑制する。
緩衝層5(5a,5b)の外周面の傾斜角度を30°以下、より好ましくは、15°以下とする。 (もっと読む)


【課題】誘電体の高温成膜に耐える基板で、かつ誘電体が一軸配向及び面内配向し、圧縮応力がかかった膜とし、高誘電率化、低漏れ電流化を可能とするコンデンサを提供すること。
【解決手段】結晶の方位が所定方向に配向した金属基板と、前記金属基板上に設けられ、前記金属基板を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる下部電極と、前記下部電極上に設けられ、前記下部電極を構成する材料に比べて格子定数の大きい材料からなる誘電体と、前記誘電体上に設けられた上部電極と、を備えるコンデンサである。 (もっと読む)


【課題】 サーミスタ、抵抗及びコンデンサをそれぞれ薄膜で構成して1チップ化することにより、薄くて小型の高速熱応答性のある薄型複合素子を得る。
【解決手段】 薄型複合素子10は絶縁基板11上に薄膜サーミスタ12と薄膜抵抗16と薄膜コンデンサ21とが互いに離間して形成される。薄膜サーミスタ上に相対向する一対の櫛型電極13,14が形成され、薄膜コンデンサが下部電極17と誘電体層18と上部電極19を有する。基板上に一方の櫛型電極14と薄膜抵抗の一端と上部電極19の一端とを接続層22で互いに電気的に接続する。基板上に、他方の櫛型電極13に電気的に接続する第1引出電極23が、薄膜抵抗の他端に電気的に接続する第2引出電極24がそれぞれ形成される。下部電極、第1及び第2引出電極における引出線を接続するためのパッド部17c,23c,24cを除いた基板上のすべての素子が保護膜26で被覆される。 (もっと読む)


【課題】基板の平坦化を具現することができ、基板におけるCuの電極機能を維持しながら、チタニアナノシートとの接着力を向上することができ、パターニングされた基板上に所望の形状、層数、及び厚さを有するチタニアナノシートを具現することができる、キャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるキャパシタは、基板と、基板の一面に形成される高分子層と、高分子層に選択的に形成される回路パターンと、回路パターンに対応するチタニアナノシートを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【目的】 導電膜と誘電膜との間の結合を強くして導電膜と誘電膜との剥離が生じることを防止することができる積層型コンデンサを提供する。
【構成】 導電膜形成用のターゲットをスパッタして基板上に第1導電膜を形成する工程と、前記スパッタの継続中に、後の誘電膜の形成に使用する反応性ガスと同種の反応性ガスを前記基板の近傍に導入し、前記第1導電膜上に第1化合物膜を形成する工程と、誘電膜形成用のターゲットをスパッタし、前記第1化合物膜上に誘電膜を形成する工程と、前記各ターゲットをスパッタしながら、反応性ガスを前記基板の近傍に導入し、前記誘電膜の上に第2化合物膜を形成する工程と、前記スパッタを継続したまま、前記反応性ガスの導入を停止し、前記第2化合物膜上に第2導電膜を形成する工程を含むものである。 (もっと読む)


【課題】従来のように高い温度で処理することなく、高容量で、かつ容量温度係数が所望の範囲に調整されたキャパシタを形成することが可能な薄膜複合材料、薄膜複合材料の製造法、並びにこの薄膜複合材料を用いた電子部品用材料、電子部品用材料の製造法、電子部品、及び電子部品の製造法を提供することを目的とする。
【解決手段】銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Cr、Ni、AuおよびAgから選ばれる一種以上の金属を含む金属薄膜層、ならびに前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてBaおよび/またはSrと、Tiとを含むアモルファス複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料、薄膜複合材料の製造法、並びにこの薄膜複合材料を用いた電子部品用材料、電子部品用材料の製造法、電子部品、及び電子部品の製造法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ESLの増大を招くことなく、積層型薄膜コンデンサの小型化・大面積化を図る。
【解決手段】 Si基板1a上のSiO絶縁膜2aにはマイクロレンズアレイ2Aが形成されており、その上に、下部Pt電極4a,下部BST膜5a,中間Pt電極6a,上部BST膜7a,上部Pt電極8aが順に成膜され、コンデンサが形成される。その上には、SiO絶縁膜13aを介して各電極に接続する給電部21aが形成される。電極層や誘電体層は、いずれもSiO絶縁膜2aのマイクロレンズアレイ形状とほぼ類似したものになり、占有面積を変えることなくコンデンサ容量が増加する。同一の容量という条件であれば、占有面積が低減され、ELSの増加も抑制できる。このESL抑制効果は、単層型薄膜コンデンサよりも積層型薄膜コンデンサのほうが大きい。 (もっと読む)


【課題】 凹部形状を維持可能な凹パターン形成方法、及び優れた性能を有するトレンチ型コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 凹部D内にCuからなる埋め込み部10を形成し、その基板上に材料3を堆積し、堆積された材料3と共に凹部Dを研磨した後、埋め込み部10を選択的に溶解する。研磨によって、凹部Dの開口端面位置と同等の高さを有する凹部周辺領域30が形成されるが、Cuからなる埋め込み部10によって、凹部D内が埋まっているので、堆積材料が凹部D内に侵入してくることがない。Cuを除去した後においても、凹部形状が維持され、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】薄膜キャパシタ、特に、部品内蔵基板用電解コンデンサの電極箔として用いるのに好適な、静電容量密度が大きく、かつ、低インピーダンスである薄膜キャパシタを低コストに提供する。
【解決手段】絶縁性基板1の上に導電性材料からなる下部電極2を形成し、該下部電極2の上にバルブ金属の緻密層3を形成し、該緻密層3の上に、バルブ金属と、該バルブ金属と相溶しない異相成分とが粒径1nm〜1μmの範囲で均一に分布した複合金属薄膜4を形成し、熱処理を行うことにより、該複合金属薄膜の前記バルブ金属および前記異相成分を粒成長させ、前記異相成分を粒度調整後の複合金属薄膜5から選択的に溶解除去して、前記バルブ金属の多孔質層6を形成する。 (もっと読む)


【課題】高い静電容量を維持しつつ、静電容量の均一性を向上させることができるコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上のトレンチを形成すべき部位に下地金属層11を形成し、その部位上にクーポン金属層13を形成し、そのクーポン金属層13の間に電極金属層14をめっきにより埋め込み、クーポン金属層13及び電極金属層14の表面を研磨してクーポン金属層13を露呈させ、クーポン金属層13を除去してそのパターンに相当するトレンチ14aを形成し、そのトレンチ14a内に誘電体膜16及び電極金属層14を順次積層し、薄膜コンデンサ1を得る。 (もっと読む)


【課題】高い静電容量を維持しつつ、静電容量の均一性を向上させることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】薄膜コンデンサ1は、基板の上全面に、トレンチパターンが形成されるトレンチ形成用層100を兼ねる下部電極、それを被覆するように設けられた誘電体膜16、及び上部電極17が順次積層されたものである。このトレンチパターンは、第1パターンP1と第2パターンP2とが別体に併設された構成を有しており、第1パターンP1は、複数の凸部101が所定間隔で立設されたものであり、第2パターンP2は、複数の凹部102が所定間隔で設けられたものであり、各凸部101の外壁、及び、各凹部102の内壁によりトレンチが画成されている。 (もっと読む)


【課題】 凹部形状が維持された凹パターン形成方法、及び優れた性能を有するトレンチ型コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 材料3によって、凹部Dの開口端面位置と同等の高さを有する凹部周辺領域30が形成されるが、予め、ドライフィルムレジストDFによって、凹部Dに蓋がされているので、堆積材料が凹部D内に侵入してくることがない。したがって、ドライフィルムレジストDFを除去した後においても、凹部Dの形状が維持されており、優れた性能のトレンチ型コンデンサを製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構造で効率的に共振器間の結合容量を可変にすることができ、かつ集積化に適したチューナブルフィルタを提供する。
【解決手段】チューナブルフィルタ10は、2以上の共振器12a、12bと、前記共振器12a、12bと同一基板上に形成され、互いに隣接する共振器12a、12bの間に設けられる可変容量結合部Aを配置し、可変容量結合部Aに直流バイアスを印加することにより、容量を変化させ共振器12a、12b間の結合を変えてチューナブルフィルタ10の帯域周波数を制御する。 (もっと読む)


【課題】安定生産が可能で、使用時に実装用端子から誘電体層への水素原子の拡散を抑制することが可能な誘電体キャパシタを提供。
【解決手段】基板11上に一方の電極12と誘電体層13と他方の電極14とがこの順に積層され、他方の電極上を被覆する第1の絶縁層15には他方の電極の上面14Tの一部を露出する第1の開口部15bが形成され、第1の絶縁層上を被覆する第2の絶縁層16には他方の電極の上面の一部を露出する第2の開口部16bが形成され、第2の開口部の開口寸法が第1の開口部の開口寸法よりも大きく形成され、凹部Hの表面が導電性水素バリア層17で被覆されている。このため、誘電体層への水素原子の拡散をより確実に抑制でき、リーク電流特性や誘電特性等の誘電体キャパシタの特性の劣化を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い薄膜部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板1上で樹脂層9,9Aに対しては露出し、その側面から外部に突出している。すなわち、樹脂層9,9Aによって端子電極本体8は被覆されていない。なお、電子素子は絶縁層9,9Aによって保護されており、端子電極本体8と電子素子とは電気的に接続されているので、端子電極本体8に電気信号を加えると、電子素子に電気信号を伝達することができる。端子電極本体8と、端子電極本体8と樹脂層9との境界Aは被覆層10によって被覆されている。 (もっと読む)


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