【課題】高容量であり且つリーク特性が良好である誘電体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体素子１０は、基板１２と、１２基板上に積層された誘電体膜１８と、を備え、誘電体膜１８は、柱状結晶からなる第１の誘電体層１４と第２の誘電体層１６とが、基板表面に対して垂直な方向に積層されたものであり、それぞれの誘電体層に含まれる柱状結晶は、積層界面において互いに不連続である。この誘電体素子１０では、柱状結晶が積層界面において不連続であるため、柱状結晶の結晶粒界におけるリーク電流の発生が抑制され、誘電体素子１０のリーク特性が向上する。また、誘電体膜１８に含まれる複数層の誘電体層はいずれも柱状結晶からなることから、容量の低下が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｎｄを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の低減と絶縁耐圧の向上の両特性をバランスよく改善することができる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｐ（燐）を含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜電子部品の性能の低下を防ぐことの可能な薄膜電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜電子部品は、基材１０と、基材１０の一方の主面上に形成されると共に第１の開口部１４ａにより第１の主要部２１と第１のアイランド部２０とに分離された第１の導電層１４と、第１の主要部２１上を覆うと共に第１の開口部１４ａを充填する誘電体層１６と、誘電体層１６の少なくとも一部を覆うと共に第１の導電層１４の第１のアイランド部２０と接する第２の導電層２３と、第１の導電層１４の第１のアイランド部２０と第２の導電層２３とが接触する領域において第１のアイランド部２０と第２の導電層２３とを貫通する第１の開口５０と、基材１０を貫通して第１の開口５０に連通する第１の貫通孔５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低周波数帯域のキャパシタンスを小さくせず、容量性部品の使用周波数の上限を高周波帯域に広げた広帯域容量素子を提供する。
【解決手段】電極板１０１の上に、組成の異なる誘電体板１１１、１１２が形成され、その上に電極板１０２が形成される。誘電体板１１１、１１２の内少なくとも一方は、対象周波数帯域において、分極の特異点を有する。例えば、誘電体１１１を炭化珪素ＳｉＣ、誘電体１１２を酸化アルミニウムＡｌ_２Ｏ_３で形成し、誘電体１１１は、２４６ＭＨｚにおいて分極の特異点を有する。即ち、２４６ＭＨｚを境に誘電率が大きく変化する。 （もっと読む）

非常に大きい層数を有する大容量コンデンサを生成する方法。導電および絶縁材料の相互層構造は、真空または不活性ガスチャンバを壊すことなくイオン堆積によって堆積される。平面基板のために、層堆積は、基板の両面上に、そして複数の基板上に、同時に進行してよい。連続堆積は、丸い基板のために用いられてよい。デバイスの内側層は、容量の改良のために原子近接効果を生み出すために、酸化アルミニウムのための約８０〜１４０のオングストロームの、そしてアルミニウムのための約４０〜７０のオングストロームの範囲の顕微鏡的な厚みを有してよい。欠陥は、自己回復作用によって、そして、隔離アイランドの作成によって、適応されてよい。 （もっと読む）

【課題】キャパシタよりもエネルギー密度を大きくし、バッテリーよりも充電／放電を速くし、かつ／またはバッテリーよりも寿命をずっと長くしたエネルギー貯蔵装置を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの量子閉じ込め系（ＱＣＳ）を有するソリッドステート・エネルギー貯蔵装置を提供する。ここで、ＱＣＳ（１０２）は、量子ドット（ＱＤ）、量子井戸またはナノ細線を含み得る。本発明は、少なくとも１つのＱＣＳが組み込まれた少なくとも１つの誘電材料（１０４）層と、少なくとも１つの誘電材料層の上面に配置された第１導電電極（１０６）及び下面に配置された第２導電電極（１０８）とをさらに含み、両電極は、少なくとも１つのＱＣＳに電荷を移動させるように配置されており、両電極間に電圧を与えるように電気回路が配置されたとき、該電圧により、移動した電荷が少なくとも１つのＱＣＳから電気回路へ放電されるようにした。 （もっと読む）

【課題】金属箔の酸化を防止しながら、絶縁抵抗を充分高くできる誘電体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜素子の製造方法は、金属箔１１上に形成された誘電体薄膜１２を、真空雰囲気又は還元雰囲気の下で４００〜１２００℃に加熱する焼成工程Ｓ３と、焼成工程Ｓ３の後に、還元雰囲気でアニール処理を行う還元アニール工程Ｓ４と、を備える。これにより、金属箔の酸化を防止しながら、リーク電流を低減でき、絶縁抵抗を充分高くできる。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭキャパシタの製造工程時においてポリマーや導電性残留物の発生を最小化し、これにより、上部電極と下部電極との間または隣り合う導電層（配線）との短絡を防止し、リーク電流を改善させることができるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、下部電極と、前記下部電極の一部を覆うように前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記上部電極上に形成されたハードマスクパターンと、前記ハードマスクパターン、前記上部電極、及び前記誘電体膜の側壁にスペーサ状に形成された分離膜と、を備えるキャパシタを提供する。 （もっと読む）

【課題】緻密で広範囲で均一であると共に、クラックや剥離の発生しにくいナノ粒子薄膜の製造方法、ナノ粒子薄膜、及びそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ粒子１５を分散媒中に分散させ、ナノ粒子分散液１１を調製する工程Ａと、導電性の基材１２の表面を、分散液１１中におけるナノ粒子１５の表面電荷と逆の電荷を有する高分子電解質の被膜１４で被覆する工程Ｂと、高分子電解質の被膜１４で被覆された基材１２及び対電極１３を分散液１１中に浸漬し、電気泳動堆積法により高分子電解質の被膜１４で被覆された基材１２上にナノ粒子１５を堆積させる工程Ｃとを有することを特徴とするナノ粒子薄膜の形成方法、この方法により製造されたナノ粒子薄膜１０、及びこれを用いた電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】簡易且つ安価な製造工程によって形成可能な大容量小型キャパシタ用の構造体、キャパシタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の下地上に形成され、第１の誘電体膜によって表面全体が覆われた複数の第１の導体粒子を含み、前記複数の第１の導体粒子が前記第１の誘電体膜によって互いに隔離された第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層に積層され、前記第１の誘電体層より誘電体が占める体積の割合が高い第２の誘電体層とを含むこと。 （もっと読む）

【課題】フィルム上に金属膜が形成された金属化フィルムを捲回してなるフィルムコンデンサにおいて、基材上にコーティング組成物を塗布してフィルムを形成するコーティング法の製造コストを低減できるような構成を得る。
【解決手段】金属箔（19c）上にコーティング組成物を塗布してなる絶縁フィルム（19a）の表面上に、幅方向端部にマージン部（21）が設けられるように金属膜（19b）を形成してなる両面電極フィルム（19）と、金属化フィルム（20）とを、該両面電極フィルム（19）において上記マージン部（21）が設けられた幅方向端部で金属箔（19c）を上記引出電極（14）の一方に電気的に接続するとともに、該両面電極フィルム（19）の金属膜（19b）を上記引出電極（15）の他方に電気的に接続するように、重ね合わせて捲回する。 （もっと読む）

【課題】第一配線と第二電極との間に水平方向の位置ずれが発生した場合であっても、製造における容量の精度及び安定性を向上させることが可能な薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】矩形状の第一電極２と、第一電極２と第二電極４との間に介装された誘電体層と、第一電極２よりも面積が大きい矩形状の第二電極４を順次積層した薄膜コンデンサ１であって、直線状の第一配線８及び対向配線１０を備え、第一配線８及び対向配線１０の一端を、それぞれ、薄膜コンデンサ１の平面視において、互いに対向させて第一電極２に接続し、第一配線８の幅と対向配線１０の幅を同一とし、第一配線８の長さ方向と対向配線１０の長さ方向を同一とし、第一配線８及び対向配線１０の他端を、薄膜コンデンサ１の平面視において、第二電極４から突出させる。 （もっと読む）

本明細書に記載される実施形態は、一般に、電気化学電池またはキャパシタ用の電極構造に関し、特に、寿命がより長く、製造コストがより低く、プロセス性能が改良された、信頼性が高く費用対効果が高い電気化学電池またはキャパシタ用の３Ｄ電極ナノ構造を製造するための装置および方法に関する。
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集積回路（「ＩＣ」）のキャパシタ（１００）は、ＩＣの層に形成され、キャパシタの第１のノードに電気的に接続され、かつ第１のノードの一部分を形成する第１の複数の導電性交差部（１０２，１０４）と、ＩＣの金属層に形成された第２の複数の導電性交差部（１０８，１１０）とを有する。第２の複数の導電性交差部の導電性交差部は、キャパシタの第２のノードに電気的に接続され、かつ第２のノードの一部分を形成し、第１のノードに容量結合する。
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【課題】現時点で使用可能な「スーパー・コンデンサ」は異なる物理原理で動作している。これらのスーパー・コンデンサは低電圧でしか動作せず、機械的な衝撃に敏感であり、ある高い抵抗を示し、数桁低いエネルギー密度及び出力密度を有する。
【解決手段】電気絶縁マトリックス材料又は中間層に埋め込まれ、複合箔又は固定された平らなベースに塗布されたナノメートル・サイズの粒子又は層の形態で化学的に高双極子性の結晶からなる材料から、クアンタム・バッテリ（スーパー・コンデンサ）を製造することができる方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。
【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に（１１１）エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、（１１１）エピタキシャル成長した（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３またはＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３｛０＜ｘ＜１｝からなる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いキャパシタンス密度を達成可能なコンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】バルクコンデンサは、金属箔から形成された第１電極と、金属箔上に形成された半導体の多孔質セラミック本体と、多孔質セラミック本体の上に例えば酸化処理により形成された誘電体層と、多孔質セラミック本体の気孔に充填されて第２電極を形成する導電性媒質を有する。コンデンサには、カプセル化用の各種の層や電気的終端を形成してもよい。バルクコンデンサの製造方法では、金属箔から形成された第１電極の上に半導体の多孔質セラミック本体を形成し、酸化処理して誘電体層を形成し、多孔質セラミック本体に導電性媒質を充填して第２電極を形成する。金属箔と多孔質セラミック本体の間に半導体のセラミック薄膜層を形成してもよい。 （もっと読む）