【課題】粉末噴射コーティング法又は蒸着法が用いられる積層構造体の製造方法において、誘電体層の誘電特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、積層構造体を製造する方法であって、工程（ａ）、工程（ｂ）、及び工程（ｃ）を有している。製造される積層構造体は、金属製の基材１と、該基材１の表面上に形成された誘電体層とを備えている。工程（ａ）では、粉末噴射コーティング法又は蒸着法を用いて、基材１の表面上に、誘電体層となる成膜層６を形成する。工程（ｂ）では、成膜層６の表面に焼結助剤を付着させる。工程（ｃ）は、工程（ｂ）の後に実行される。工程（ｃ）では、成膜層６に対して熱処理を施すことにより、誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】形状等のバリエーション展開を容易にし、また、簡易なプロセスで製造することができるデバイス及びこのようなデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】１又は複数の線状素子１及びこの線状素子１を被覆する絶縁材２を備え、上記各線状素子１が、少なくとも表面が導電性を有する線状芯材５、この線状芯材５を被覆する１又は複数の機能性層４、及びこの機能性層４を被覆する導電層３を備えるデバイスである。上記機能性層がｐｎ接合若しくはｐｉｎ接合からなるシリコン層、又は有機系電子受容体及び有機系電子供与体からなる有機層であり、光電変換装置として用いられる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、ビスマス及び鉄を含む金属錯体混合物と、ポリエチレングリコールと、ターピネオールと、溶媒と、を含む。ポリエチレングリコールと、沸点の高いターピネオールとを含むことにより、鉄酸ビスマス系の圧電材料からなりクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。また、圧電特性の良好な圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高い誘電体、並びに、それを利用した、静電容量が大きいキャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】架橋構造を有する樹脂と、金属塩構造を持つ分子鎖を有する化合物である金属イオンと、を含んで構成される誘電体１０、及びそれを利用したキャパシタ型蓄電池である。架橋構造を有する樹脂はメタアクリル樹脂であり、重量平均分子量１０００当たり少なくとも１個の架橋性基を有し、該架橋性基の少なくとも一部は架橋反応により架橋構造となる。 （もっと読む）

【課題】チューナブルデバイスをアンテナ共用器に利用した無線機を提供する。
【解決手段】無線機２００は、送信部２１０と受信部２２０とを含む。ここで、送信部２１０および受信部２２０の構成は、それぞれ、高周波信号の送信および受信を行う部分であり、具体的には、周知な構成を有する。無線機２００は、さらに、送信部２１０とアンテナ２５０との間に設けられる第１のバンドリジェクトフィルタ２３０と、受信部２２０とアンテナ２５０との間に設けられる第２のバンドリジェクトフィルタ２４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの一対の導電体層間に設けられた誘電体層中の第１及び第２の内部電極を、前記一対の導電体層に振り分けるための絶縁キャップの絶縁性及び信頼性の向上を図る。
【解決手段】コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６間に誘電体層１８が設けられ、該誘電体層１８中に、前記導電体層１４，１６と略直交する方向に第１電極２０，第２電極２４が複数形成されている。第１電極端部２０Ｂと導電体層１６の間に絶縁キャップ２２を設けることで、第１電極２０は導電体層１４のみに導通し、第２電極端部２４Ａと導電体層１４の間に絶縁キャップ２６を設けることで、第２電極２０は導電体層１６のみに導通する。絶縁キャップ２２，２６は、誘電体層１８と導電体層１４，１６の間に設けた段差ないし隙間にＧｅを電解メッキにより埋め込み、次いで陽極酸化を行うことで得られるＧｅＯ_２が利用される。 （もっと読む）

【課題】高品質の金属化フィルムを低コストに製造し得る、小型且つ簡略な構造の金属化フィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】真空槽２６内に、巻出し機３８にてロール４２から巻き出された誘電体フィルム１２を巻き掛ける、冷却手段４６を内蔵した第一の回転ドラム４４を設置した。また、真空槽２６内の第一の回転ドラム４４の周囲に、第一の分割マスク部形成手段５２と第一の端部マスク部形成手段５４と第一の金属蒸着電極形成手段５６とを周方向に並べて設置した。それにより、第一の回転ドラム４４に巻き掛けられた誘電体フィルム１２に対して、分割マスク部及び端部マスク部と、複数の分割電極部及び複数のヒューズ部からなる分割パターンを有する金属蒸着電極とを、順次形成し得るように構成した。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、強度に優れた薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】第１の実施形態に係るキャパシタ型蓄電池には、導電性又は半導電性の第１粒子１２Ａが有機高分子中に埋め込まれた第１複合層１２と、第１導電膜又は第１半導体膜からなる第１基材１３と、が積層された第１積層基材１１を設ける。第１積層基材１１の第１基材１３上には第１絶縁層２１が設け、第１積層基材の第１複合層１２の第１複合層１２上には第２絶縁層２２が設ける。第１絶縁層２１上には、第１積層基材１１の長尺方向（図１では紙面の手前から奥に向かう方向）に延在する第１導電路３１が設け、第２絶縁層２２上には、第１積層基材の長尺方向に延在し、第１導電路３１と平行するように第２導電路３２が設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に設けられた穴の内部に導電体と誘電体を配置することにより、キャパシタを構成してなるキャパシタ構造体において、穴をより深くしたり、穴の平面形状を複雑な形状とすることなく、導電体間の対向面積を増加させて容量値の増大が実現できるようにする。
【解決手段】穴２０は、シリコン基板１０の一方の主面に開口する有底穴であり、穴２０の内部にはシリコン基板１０よりなる突起２１が設けられ、穴２０の底面は、突起２１による凹凸面とされており、穴２０の内部では、穴２０の底面および側面に、これらの面側から第１の導電体３１、誘電体４０、第２の導電体３２が順次積層されているとともに、第１の導電体３１および誘電体４０は、突起２１による凹凸面の形状を承継した層形状とされている。 （もっと読む）

【課題】環境への負荷が大きい物質を含まず、薄膜キャパシタ用途に適した誘電体薄膜を簡便な手法で作製することができ、また、保存安定性に優れ、塗膜性の良好な誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式：Ｃａ_(4-3x)Ｃｕ_3xＴｉ₄Ｏ₁₂（式中０．５≦ｘ≦１．１）で示される複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状誘電体薄膜形成用組成物であり、この複合金属酸化物を構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、一般式：Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、ｎが２〜６の整数。）で表される直鎖、或いは１本又は２本以上の側鎖を有するカルボン酸を主成分とする有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ基板中に内蔵できるキャパシタを、エアロゾルデポジション法を使って形成する。
【解決手段】金属よりなる第１の基体上に第１のセラミック膜を形成する工程と、金属よりなる第２の基体上に第２のセラミック膜を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック膜の一方の表面に銅よりなる第１の電極パタ―ンと第１のビアプラグパタ―ンとを、相互に離間して形成する工程と、前記第１および第２の基体を互いに押圧することにより、前記第１のセラミック膜と前記第２のセラミック膜とを、前記第１の基体と前記第２の基体とが押圧された状態で、前記第１の基体と前記第２の基体との間にパルス電圧を印加することにより、前記第１および第２のセラミック膜を、前記第１の電極パターンおよび前記第１のビアプラグパタ―ンを介して相互に接合する工程と、前記第２の基体を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】実装ミスを防止することのできる積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ１において、回路基板１００などに実装されない接続導体４の最外層２１は、端子電極３よりもはんだ濡れ性の低い膜によって形成されており、視覚的にもはんだ濡れ性の良い端子電極３と識別することが可能となる。従って、積層コンデンサ１を回路基板１００などに実装する際は、目視によって接続導体４と端子電極３との識別が可能となるため、実装ミスを防止することができる。また、接続導体４の最外層２１は、はんだ濡れ性が低いため、誤って接続導体４を回路基板１００に実装しようとした場合であっても、はんだ付けを行うことができない。更に、端子電極３のはんだ付けの際のはんだブリッジ不良による実装ミスも防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品内部の物理的性状を評価し、電子部品の特性解析に寄与することができる電子部品の特性評価方法を実現する。
【解決手段】誘電体セラミック２の両端に電極３ａ、３ｂが形成されたセラミックコンデンサに対し、表面が金属部７を有するプローブ４を、誘電体セラミック２の表面であって一方の電極３ｂ（陰極）の近傍所定位置に接触させ、異なる複数の電圧をプローブ４と電極３ｂとの間に印加して電流値を測定し、電流−電圧特性をファウラー・ノルドハイムの式にフィッテングさせ、ショットキー障壁高さφを推定し、さらに空乏層幅ｗ及び酸素欠陥濃度Ｎ_Ｄを算出し、これにより電子部品の特性評価を行う。 （もっと読む）

【課題】下部電極の抵抗値を減少させることができ、これにより、薄膜コンデンサの電気的な特性や機能を十分に高めることができる薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ１は、平面矩形状をなす基板２上に、下部電極３、誘電体膜４、上部電極５Ａ，５Ｂ、第３の電極６、保護層７、及び端子電極８が、順次積層されてなるものである。下部電極３は、基板２の外周よりも内側の領域上に形成され、誘電体膜４は、下部電極３の上面及び側壁面、及び、下部電極３の外方の基板２上面の一部を覆うように形成され、上部電極５Ａ，５Ｂは下部電極３に誘電体膜を介して対向して並置するように形成されている。また、誘電体膜４は、上部電極５Ａと上部電極５Ｂとの間の位置に開口部４１を有し、その位置に、下部電極３と電気的に接続する第３の電極６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜５００℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い５００〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】セラミック系絶縁層の形成方法によらず、基材として用いる金属層の構成材料を適宜選択可能であり、セラミック系絶縁層の製造プロセスにおいて当該基材の劣化や当該絶縁層の絶縁性の低下を防止して、生産歩留の向上を図ることのできるセラミック系絶縁層と金属層との積層体及び当該積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、セラミック系絶縁層３０と金属層１０との積層体１００において、当該金属層１０には、セラミック系絶縁層３０が設けられる側の面に、層厚が５ｎｍ〜１００ｎｍのケイ素化合物から成る保護層２０を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）