【課題】 セラミック焼結体からなる絶縁基板の貫通孔内に配置された貫通導体の端面と、この端面を被覆しているめっき層との接合の信頼性が高い配線基板を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔２を有する絶縁基板１と、貫通孔２内に配置された貫通導体３と、絶縁基板１の上面に露出した貫通導体３の端面を被覆するとともに、外周部の少なくとも一部が貫通導体３の端面よりも外側に延出するように被着されためっき層４と、絶縁基板１の上面に順次積層された、めっき層４と電気的に接続された配線導体５および樹脂絶縁層６を備える配線基板である。めっき層４の延出部分の変形により熱応力等を吸収して、めっき層４と貫通導体３の端面との間の剥離を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、印刷回路基板及びそのビアホールの充填方法に関する。
【解決手段】本発明は、ベース基板に形成すべきビアホールを所定の個数に分割する分割段階と、分割されたビアホールの一部を一次加工して第１分割ビアを形成する第１ビア形成段階と、形成された第１分割ビアを金属で充填する第１充填段階と、分割された残りのビアホールを二次加工して第２分割ビアを形成する第２ビア形成段階と、形成された第２分割ビアを金属で充填して前記ビアホールを充填する第２充填段階と、を含む印刷回路基板のビアホールの充填方法であり、ディンプルが発生することなく、ビアホールを充填することができる長所がある。 （もっと読む）

【課題】配線密度を向上させることのできる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、第１配線層３３と、第１配線層３３の上に形成された第１絶縁層３６と、第１絶縁層３６の上に形成された第２配線層３８と、第２配線層３８の上に形成された第２絶縁層３９と、絶縁層３６，３９の厚み方向に貫通して充填され、第１配線層３３のランドＬ１に接続されるビア４０とを有している。第２配線層３８は、ビア４０の径よりも小さい径の接続部３８Ａによってビア４０と接続されている。また、ビア４０は、その上面がパッド５として第２絶縁層３９から露出されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、狭ピッチの配線層を信頼性よく形成すること。
【解決手段】第１配線層２０の上に、絶縁樹脂層３０を介してニッケル・銅合金層４２が形成された積層体を形成する工程と、ニッケル・銅合金層４２及び絶縁樹脂層３０に、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨ内をデスミア処理する工程と、ニッケル・銅合金層４２の上及びビアホールＶＨの内面にシード層４４を形成する工程と、ビアホールＶＨを含む部分に開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２を形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層４６を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層４６をマスクにしてシード層４４及びニッケル・銅合金層４２をエッチングして第２配線層４０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化することができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線基板の製造方法では、準備工程において、厚さが１００μｍ以下であるシート状のコア絶縁材１３が準備され、穴あけ工程において、コア絶縁材１３に対してレーザ穴加工が施されてコア主面１４及びコア裏面１５にて開口するスルーホール用穴１６が形成される。導体形成工程において、無電解銅めっき後に電解銅めっきを施すことにより、コア絶縁材１３のスルーホール用穴１６内全体が充填されてなるスルーホール導体１７が形成されるとともに、コア絶縁材１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上に導体層１９が形成される。 （もっと読む）

【課題】加工精度の高い基板ユニットを得ること。
【解決手段】基板ユニット１は、複数の層２１〜２４が積層され、異なる層２１、２２に配置された配線パターン４１、４２にそれぞれ接触する凹部２１ａ、２２ａを有し、凹部２１ａ、２２ａ内に凹部２１ａ、２２ａより深さが浅く、それぞれ同じ層に達する深さの凹部５１ａ、５２ａを有するビア５１、５２が設けられたプリント配線板２と、凹部５１ａ、５２ａの側部に電気的に接続されたコネクタピン３２を有するプレスフィットコネクタ３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】層間導通に用いるビアホールの底面における接続信頼性を向上させる。
【解決手段】プリント配線板は、可撓性を有する第１の絶縁層２１ａと、第１の絶縁層２１ａの第１の主表面に配置されたシード層２２ａと、シード層２２ａの上に配置された第１の導体回路２３ａと、第１の絶縁層２１ａを貫通するビアホールの中に埋め込まれ、且つビアホールの底面に表出したシード層２２ａと第１の導体回路２３ａとの間に形成された第１の合金層２８ａに接触する層間導通部２４ａとを備える。層間導通部２４ａと第１の合金層２８ａとの親和性は、層間導通部２４ａとシード層２２ａとの親和性よりも高い。第１の合金層２８ａのうち層間導通部２４ａに接触する部分には、第１の合金層２８ａと層間導通部２４ａとの合金からなる第２の合金層２７ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】絶縁層２１と、絶縁層２１の一方の面側に第一金属層１１と、他方の面側には第二金属層１２および支持部材１３とがこの順に積層されてなる支持部材付き金属層７とが設けられた積層板１０を用意し、第一金属層１１を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより絶縁層２１に第二金属層１２の表面に達する貫通孔を形成する工程と、無電解めっきにより第一金属層１１表面および貫通孔１９表面にめっきを形成する工程と、支持部材１３を第二金属層１２から剥離する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 製造ラインにおける搬送性や安定した加工性を阻害することのないような機械的強度や耐久性を確保しつつ、さらなる薄型化を達成することを可能としたチップ型素子実装パッケージ用プリント配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 このチップ型素子実装パッケージ用プリント配線板は、チップ型素子であるチップ型コンデンサ素子１０が実装されるように設定されており、絶縁性フィルム基材１と、前記絶縁性フィルム基材１の片面に設けられたチップ型素子接続用端子パターン２（２−１、２−２）と、前記絶縁性フィルム基材１の片面とは反対側の面に設けられた外部接続用端子パターン３（３−１、３−２）と、前記絶縁性フィルム基材１を貫通して前記チップ型素子接続用端子パターン２と前記外部接続用端子パターン３とを電気的に接続するように設けられた両面接続用ビア４（４−１、４−２）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】層間導通に用いるビアホールの底面における接続信頼性を向上させる。
【解決手段】プリント配線板は、可撓性を有する第１の絶縁層２１ａと、第１の絶縁層２１ａの第１の主表面に配置されたシード層２２ａと、シード層２２ａの上に配置された第１の導体回路２３ａと、第１の絶縁層２１ａ及びシード層２２ａを貫通するビアホールの中に埋め込まれ、且つビアホールの底面に表出した第１の導体回路２３ａに接触する層間導通部２４ａとを備える。層間導通部２４ａと第１の導体回路２３ａとの親和性は、層間導通部２４ａとシード層２２ａとの親和性よりも高い。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層が液晶ポリマーで形成されたフレキシブル配線板側面電極の信頼性を向上させる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体層を貫通する導電性バンプにより、第１の導電性金属層と第２の導電性金属層を電気的に接続した両面配線素板を形成する工程と、導電性バンプの少なくとも一部が露出するよう両面配線素板を厚さ方向に貫通する貫通溝を形成する工程と、少なくとも貫通溝の内壁面に露出した導電性バンプ上にメッキにより側面電極を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程及び製造コストを増大させることなく製造することができる、放熱特性に優れたフレキシブルプリント配線板、該フレキシブルプリント配線板を備える電子機器及び前記フレキシブルプリント配線板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】発熱性の電子部品２０を実装するためのフレキシブルプリント配線板１０であって、基材１１の表裏の両面に設けられた導電層１２の一部に、凹凸パターンによる放熱領域Ｒを設けてあるフレキシブルプリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】ビア界面の接続面積が大きくなるため、接続信頼性を損なわずに従来よりもビアの小径化が可能となり、プリント配線板やビルドアップ配線基板の高密度化が可能となることが求められていた。
【解決手段】絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層プリント配線板を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスクを用いたレーザ加工法によるスルーホールは、スルーホール形成領域の絶縁層の溶解、気化、分解の効率が低く、スルーホールの加工精度は±25μm程度が限度である。
【解決手段】AlN基板１１の上部にレーザ光吸収金属層１２及びスルーホールTH1、TH2に対応する領域が除去されたレーザ光反射金属層１３−１、１３−２、１３−３を設け、AlN基板１１の下部にレーザ光吸収金属層１２’−１、１２’−２を設ける。レーザ光L1、L2はレーザ光反射金属層によって反射されるが、スルーホールに対応する領域のレーザ光吸収金属層によりAlN基板に集中かつ効率よく吸収され、AlN基板と共に、レーザ光吸収金属層も溶解、気化、分解する。これにより、径が下面に向う程小さくなるテーパ状スルーホールが形成される。同時に、スルーホール内のAlN基板の表面からNが脱離してAl露出層１１ａが内壁に形成される。 （もっと読む）

【課題】スルーホールピッチが狭くスルーホール体積が大きいＳＩＰ製品群において、回路パターン部分とスルーホール部分の充填される銅メッキ層のメッキ厚さの偏差を減少させる。
【解決手段】ＣＣＬ（ＣＯＰＰＥＲ ＣＬＡＤ ＬＡＭＩＮＡＴＩＯＮ）１０にスルーホールを加工する段階と、スルーホールにシードメッキ層２０を形成する段階と、ＣＣＬ１０とシードメッキ層２０上にレジスト４０を塗布する段階と、シードメッキ層２０上にレジスト４０を露光及び現像させる段階と、シードメッキ層２０上に一次メッキ層５０を形成する段階と、一次メッキ層５０上に銅メッキ層６０を形成する段階と、一次メッキ層５０上に残存しているレジスト４０とシードメッキ層２０を除去して回路パターン６１を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の欠陥やクラックの発生を低減させて、基板の接続不良を低減させ、かつ基板の機械的強度を向上させるスルーホール構造を有するプリント配線板を提供すること。
【解決手段】絶縁性樹脂基材に設けた貫通孔内にめっき充填してなるスルーホールを有するプリント配線板において、絶縁性樹脂基材の表面および裏面から露出する各スルーホールの重心軸の位置を互いにずらして配置させる。 （もっと読む）

【課題】ビアホール加工性に優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること
【解決手段】絶縁層２１と、絶縁層２１の少なくとも一方の面側に厚さが２.０μｍより大きく、１２μｍ以下である金属層１１とが積層された積層板を用意する工程と、 金属層１１を選択的に除去した後、選択的に除去した部分にレーザを照射することにより絶縁層２１に貫通孔１９を形成する工程と、金属層１１をエッチングにより所望の厚みを除去する工程と、金属層１１および貫通孔１９内壁面に導体層１５を形成する工程と、を含むことを特徴とする回路基板１の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】セミアディティブ法により両面フレキシブルプリント基板に形成される差動伝送回路において、回路厚を一定にすると共に優れた差動インピーダンス特性及び耐ノイズ性を確保する。
【解決手段】差動信号伝送回路は、両面フレキシブルプリント基板１００のベースフィルム１と、ベースフィルム１の両面に形成されたシード層２と、シード層２を介して、ベースフィルム１の一方の面側に形成された接地（ＧＮＤ）線３からなるＧＮＤパターン及び一対の信号線４からなる信号伝送パターンと、他方の面側に形成されたベタパターン状のＧＮＤパターン５とから構成される。差動信号伝送回路は、ＧＮＤ線３と信号線４との間の距離Ｄと信号線４間の距離Ｓとの関係がＳ＞Ｄとなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 （もっと読む）

【課題】積層された２層の絶縁層に上面側と下面側とから金属箔から成る導体層を挟んで相対向して形成されたビアホール内に充填されたビア導体とこれらに接続される前記導体層との間にクラックが生じることを有効に防止でき、ビア導体を介した導体層同士の電気的接続信頼性が高い薄型で高密度配線の配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔から成る導体層２ａを挟んで上下に積層された２層の絶縁層１ａ，１ｂに、上面側と下面側とから導体層２ａを挟んで相対向するようにビアホール３ａ，３ｂが形成されているとともに、ビアホール３ａ，３ｂ内が導体層２ａに接続するめっきから成るビア導体４ａ，４ｂで充填されて成る配線基板であって、導体層２ａはビアホール３ａ，３ｂ同士の間に貫通孔８を有しているとともに、導体層２ａに接続するビア導体４ａと４ｂとが貫通孔８を介して一体化している。 （もっと読む）