【課題】
Ｐｂを含んだはんだに替わり高温環境下で高信頼接合を維持できる接合材料として、接合部が高温環境に耐え、高信頼な接合を維持できる接合構造を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、第１の部材５と第２の部材１の接合構造において、はんだ３とガラス４とによって、第１の部材５と第２の部材１を接合し、ガラス４がはんだ３を封止していることによって、導電性を確保するとともに、高温時にはんだ溶融による流出を抑制して、耐久性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】異なる種類の基板を加熱するリフロー装置での効率的な生産を可能にする加熱条件決定方法を提供する。
【解決手段】異なる種類の基板を生産する実装ラインに用いるリフロー装置の加熱条件を決定する方法であって、異なる種類の基板の熱特性値の最大値及び最小値を含む仮想基板を第１搬送速度で搬送した場合の仮想基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、異なる種類の基板のすべての温度プロファイル条件を満たすリフロー装置の第１温度設定を探索する第１探索ステップ（Ｓ１１）と、第１温度設定の下、異なる種類の基板を第１搬送速度で搬送することを内容に含む加熱条件を決定する加熱条件決定ステップ（Ｓ１７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】配置スペースおよび設備投資の増加を抑えて、異なる種類の実装基板を製造することができるリフロー装置を提供する。
【解決手段】接合材料を介して部品が配置された基板１２，１４を搬送しながら加熱するリフロー装置１０であって、基板１２，１４を加熱する加熱空間３２，４４を有する加熱炉１８と、間隔可変な一対の第１搬送レール７２を有し、加熱空間３２，４４を通過させるように基板１２，１４を搬送する第１搬送装置２４と、加熱空間３２，４４に第１搬送装置２４と並べて配置され、間隔可変な一対の第２搬送レール８８を有し、加熱空間３２，４４を通過させるように基板１２，１４を搬送する第２搬送装置２６と、第１搬送装置２４と第２搬送装置２６との間に設けられ、加熱空間３２，４４を仕切るとともに、第１搬送レール７２の間隔に応じて加熱空間３２，４４における仕切り位置を変えることができる隔壁２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を並行して搬送する複数搬送式のリフロー装置における加熱条件を決定することが可能なリフロー装置の加熱条件決定方法を提供する。
【解決手段】
異なる種類の基板を共通の温度設定の下、同時に搬送して加熱できるリフロー装置における加熱条件を決定する方法であって、前記基板のうち、最大の加熱特性値を含む第１基板を第１搬送速度で搬送した場合の第１基板の温度プロファイルをシミュレートすることによって、第１基板の温度プロファイル条件を満たす第１温度設定を探索するステップ（Ｓ１８）と、第１温度設定の下で第１基板以外の第２基板を搬送した場合の温度プロファイルをシミュレートすることによって、第２基板の温度プロファイル条件を満たす第２搬送速度を探索するステップ（Ｓ２０）と、上記の探索結果に基づいて、温度設定と第１搬送速度と第２搬送速度とを含む加熱条件を決定する加熱条件決定ステップ（Ｓ１７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】電極の種類が異なる複数の電子部品を一括して基板に実装する。
【解決手段】複数の電子部品のうちの第１電子部品および第２電子部品のそれぞれの電極を加熱する加熱部と、第１電子部品および第２電子部品のそれぞれの電極から放熱させる放熱部と、加熱部または放熱部と第１電子部品の電極との間に設けられた第１熱伝導部材と、加熱部または放熱部と第２電子部品の電極との間に設けられた第２熱伝導部材とを備え、第１熱伝導部材と第２熱伝導部材とは、単位時間当たりの伝導熱量が異なる。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの使用にも耐えうるとともに、リフロー炉内の状態を定量化可能であるリフロー炉測定用基板を提供すること。
【解決手段】リフロー炉内を搬送される際に炉内の状態を測定するリフロー炉測定用基板において、板状部材によって構成される基材１３０と、基材上に配置された熱容量が既知の１または複数のプレート１４０〜１６０と、プレートに当接され、当該プレートの温度を検出する検出手段（熱電対１４１〜１６１）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板の接続信頼性を向上する。
【解決手段】Ｎｏｎ−ＳＭＤ構造で形成される実装基板（配線基板）２０のランド（第２端子）２２の表面２２ａに表面２２ａの中央から側面２２ｂに向かって溝部２２ｃを形成する。実装工程において、表面２２ａの中央付近にフラックス（フラックス成分）２４ａを溜めることができるので、半田ボール４とフラックス２４ａの接触量が増大し、半田ボール４と溶融した半田材（半田成分）２４ｂを確実に接合させることができる。 （もっと読む）

【課題】はんだ接合される製品をリフロ加熱によってはんだ接合する際に、最適なリフロ条件を容易に決定する。
【解決手段】実装する部品を載せた基板を所定の加熱条件に基づいてリフロ加熱することによって、部品を基板にはんだ接合するはんだ接合される製品の製造方法であって、基板の各位置において所定寸法の範囲内に実装される部品が占める部品体積をそれぞれ算出し、算出された部品体積に応じて加熱条件を決定し、決定された加熱条件に基づいてリフロ加熱を行う方法。 （もっと読む）

【課題】処理対象物を直接的に冷却することができ、別途の冷却板を設置する必要がない加熱溶融処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の加熱溶融処理装置は、半田を含む処理対象物１００についてカルボン酸蒸気を含む雰囲気中で加熱溶融処理する加熱溶融処理装置１であって、加熱溶融処理した処理対象物１００を載せて搬送するためのハンド部４を冷却板として兼用する。 （もっと読む）

【課題】フラックスを用いずに、ボイドの発生を効果的に防止しながらはんだバンプの酸化膜を除去し、電子部品を確実に接合できるリフロー装置を提供する。
【解決手段】基板４０上に形成されたはんだバンプを加熱溶融して基板４０と電子部品とを接合するリフロー炉２０と、このリフロー炉２０に還元剤を供給する還元剤供給部３０とを備えるリフロー装置１０であって、還元剤供給部３０は、蟻酸を加熱分解させる加熱室３２と、この加熱室３２とリフロー炉２０とを接続する供給部３４と、この供給部３４内を流通する気体の少なくとも一部を冷却する冷却器３６と、この冷却器３６の下方に配置され、凝縮された水を回収する水回収部３８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏両面に部品を実装する場合であっても、共通の光学系部材を使用して装置の大型化を抑えることが可能な実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ステージ１１０と、ステージに設けられ、基板１６０を保持する基板保持部材１３０と、基板保持部材側の面に入射端面１２１と出射端面１２２が露出するようにステージに形成された導波路１２０と、入射端面に向けて出射する集光レンズ１４０と、を備え、集光レンズからの出射光を用いて基板上に部品１７３を固定する。 （もっと読む）

【課題】電子機器の多層基板やスルーホール基板（ランド）に設置された金属ピンのスルーホール半田付けにおいて、金属ピンの熱容量が大きく、充分な予熱が行なえない場合でも、品質の良いスルーホール半田付けを実現する。
【解決手段】被半田部分として、特にスルーホールの内面と金属ピンの予備加熱を適切に行うため、貫通孔を持った筒状半田鏝を使用し、半田鏝を被半田付け部分に接触させる、及び／又は貫通孔に不活性気体を流して、加熱気体を被半田付け部分に供給し予備加熱することにより、適切なスルーホール半田付けが達成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】高価な元素を含まず、延性が高く且つ融点が低いＰｂフリーはんだ、そのはんだを用いた半導体装置及びはんだ付け方法を提供する。
【解決手段】Ｂｉ含有量が４５ｗｔ％乃至６５ｗｔ％、Ｓｂ含有量が０．３乃至０．８ｗｔ％、残部がＳｎ及び不可避的不純物からなるはんだを使用する。例えば１８０℃の温度ではんだを溶融して電子部品と基板とを接合した後、５０〜１００℃の温度まで冷却して０．５分間程度保持する。その後、室温まで冷却する。 （もっと読む）

【課題】ヒータチップの加熱温度を適切に制御することによりハンダ付け処理時間を短縮し、装置の稼働率を高くする。
【解決手段】基台に対して昇降可能な昇降ヘッド１４に保持したヒータチップ３０を、ワーク５２に押圧しながらリフローハンダ付けするリフローハンダ付け方法において、ヒータチップ３０をハンダ接合温度θ３より高い融解温度θ２にしてハンダを融解させた後、ヒータチップ３０をハンダ接合温度θ３に下げ、所定時間後にハンダを凝固させる。またヒータチップ３０をハンダ接合温度θ３に下げ、ヒータチップ３０を仕上がり位置にして所定時間後にハンダを凝固させる。 （もっと読む）

【課題】はんだボールのリフロー工程を効率的に行うことができ、はんだボールのリフロー工程を行う際に処理速度を向上させることができるリフロー装置及びリフロー方法を提供する。
【解決手段】被処理体に提供されたはんだボールをリフローする装置において、電源と、前記電源から電流が印加されて前記被処理体を加熱するコイルと、前記コイルの前方又は後方に提供され、前記被処理体を支持する支持部材と、前記被処理体が、前記コイルによって囲まれて提供される内部空間を貫通して通過するように前記被処理体又は前記コイルを相対移動させる移動部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】ボイドおよび半田ボールの発生を抑制しつつ濡れ性に優れた半田付け方法および半田付け装置を提供する。
【解決手段】回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物周囲の雰囲気温度および雰囲気圧力を制御しながら半田を溶融して回路基板と半導体素子とを半田付けする。このとき、雰囲気を本加熱時の雰囲気圧力よりも低い圧力とした状態で雰囲気を高速昇温して半田が融点に到達し溶融した直後に高速昇圧とした状態で半田付けを行う。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチのバンプを有するハイエンド電子部品を実装可能な電子部品の実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】ヘッドツール３の吸着ノズル１１により吸着保持された電子部品１の各半田バンプ１ｂと回路基板４の各半田部２の当接を検出した後、各半田バンプ１ｂ及び各半田部２を加熱により溶融させ、ヘッドツール３の吸着ノズル１１による電子部品１への吸着保持の解除のタイミングを、半田の溶融中に解除するのではなく、半田が溶融後冷却されて固化した後に解除を行う。 （もっと読む）

【課題】上下２段の搬送部に搭載されたプリント配線基板を並行してリフロー処理するリフロー装置を提供することを目的とする。
【解決手段】実装部品を搭載したプリント配線基板を搬送する、第１搬送部および前記第１搬送部の上部に配置された第２搬送部と、前記第１搬送部および第２搬送部に沿って、その上部、下部に複数、対に配置された加熱部と、前記加熱部毎の区画に分離する複数のシャッタと、前記第１搬送部上および前記第２搬送部上の前記プリント配線基板を異なる前記区画に配置して搬送制御を行う搬送制御部と、前記搬送制御部により前記第１搬送部および前記第２搬送部が前記プリント配線基板を隣接区画に搬送する際に前記シャッタを開き、隣接区画に搬送後閉じるシャッタ制御部と、前記上部の加熱部および前記下部の加熱部の温度制御を前記プリント配線基板との距離に応じて個別に行う温度制御部と、を有することを特徴とするリフロー装置。 （もっと読む）

【課題】還元性ガスを用いたはんだ接合において接合後のはんだ層に発生する気泡を抑制することができる半導体部品の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体部品２の製造方法において、導電部材１１ａ〜１１ｃと半導体装置１３とをはんだ材１２を介して組み立てた半導体部品２を、ギ酸蒸気を含む不活性ガス雰囲気下でギ酸還元が進行する温度であってはんだ材１２が溶けない非溶融温度で加熱する工程と、非溶融温度で半導体部品２を加熱した状態で、前述の不活性ガス雰囲気を減圧する工程と、その不活性ガス雰囲気を減圧した状態で、非溶融温度で加熱した半導体部品２をはんだ材１２が溶融する溶融温度で加熱する工程と、はんだ材１２を溶融させた状態で、不活性ガス雰囲気に不活性ガスを流入させて不活性ガス雰囲気を大気圧に戻し、半導体部品２を冷却してはんだ材１２を固化させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】破損や汚染を招かないフレキシブルプリント基板の表面実装技術を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁性治具はバックルカバー板３と磁性トレイ１を備える。磁性トレイ１は磁性を有する基板であり、バックルカバー板３は基板に吸引される薄いスチールシートである。バックルカバー板３にはソルダペーストプリントおよび表面実装に用いられる溝孔が設けられている。定位ベース４上に固定された磁性トレイ１の上には、フレキシブルプリント基板２が配置された後、バックルカバー板３が配置される。磁性トレイ１とバックルカバー板３に挟まれたフレキシブルプリント基板２は、バックルカバー板３の外形と同日の外形を有しバックルカバー板３の厚さと同じ深さの階段層が設けられたスチールメッシュのセットされたプリンタに搬送され、ソルダペーストプリント、シート実装およびリフローはんだの工程に供される。 （もっと読む）