【課題】リフロー炉によりリフロー処理をする基板が設計どおりに温度変化するか否かを容易に確認する。
【解決手段】搬送路に沿って、プリヒートゾーン、加熱ゾーン、冷却ゾーンが配設されたリフロー炉に用いられる基板温度表示装置であって、搬送路に沿って搬送される基板に取り付けられた温度センサにより、各ゾーンを通過する基板の通過時間における基板温度をグラフ表示する表示部を有し、表示部には、基板が通過する各ゾーンにおける、基板温度の設定上限値および設定下限値の設定温度プロファイルのグラフＴが表示可能であって、温度プロファイルのグラフＴがグラフスライダーＩにより時間軸方向に所要距離平行移動可能に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射による半田付け部分の局部加熱方式の場合には、高価なレーザ装置が必要となる上に、回路基板の半田付け部にレーザ光が届くように十分な空間的余裕が必要になり、電子部品配置に大きな制約が出てくることになる。
【解決手段】
表面に回路配線層が形成された絶縁基板に表面から裏面にかけて貫通孔を形成し、この貫通孔の前記表面側の開口部を覆うように、電子部品の外部端子接続用のランド部を形成するとともに、貫通孔に熱伝導性充填材を充填し、前記絶縁基板の裏面における貫通孔開口部に加熱部を設けたことを特徴とする回路基板。 （もっと読む）

【課題】炉内に搬入されるはんだ対象物の熱容量を加味して、温度制御を行うはんだ付け装置及びはんだ付け方法並びにはんだ付け用プログラムを提供する。
【解決手段】相互に連通した処理のための複数のゾーン内に被加熱物３を順次移送するコンベア２の動作情報に基づいて、被加熱物の位置を算出する位置算出部４と、被加熱物の熱容量を算出する熱容量算出部５と、位置計測部からの位置情報を受けて、はんだ対象物が搬入される対象ゾーン内の温度を制御する温度管理部６と、を有している。温度管理部６は、対象ゾーンの熱容量を熱容量算出部５で算出される熱容量に基づいて調整することで対象ゾーンのフィードフォワード制御を行う。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制すること。
【解決手段】回路基板と半導体素子との間に半田を介在させた半田付け対象物周囲の雰囲気ガスの圧力を制御しながら前記半田を溶融温度以上の温度まで加熱して溶融し、その後に前記半田を前記溶融温度未満の温度まで下げて凝固させることにより、半田付けを行う。そして、半田付けは、少なくとも半田の凝固時において雰囲気ガスの圧力が上昇している状態で行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基材としてＰＥＴ等の合成樹脂を用いたＦＰＣにおいて、半田にレーザを照射することにより溶融させるリフロー半田付けを行う場合においても、基材に損傷を与えることなく部品を実装することのできるリフロー半田付け方法及びリフロー半田付け装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＰＥＴ等の合成樹脂を基材１Ａとして用いたフレキシブルプリント配線板１において、ＦＰＣ１上の半田２を加熱装置１２によって予熱した後に半田２に対してレーザを照射することによって、レーザ照射時間が短くなり、ＰＥＴ等の合成樹脂を用いた基材１Ａに損傷を与えることなくリフロー半田付けを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ノズル内に位置しているファンを、簡単に露出させるようにし、もってファンに関連した点検を、行い易い状態とすることを目的とする。
【解決手段】 加熱気を供給するヘッド本体１と、プリント基板４１上のデバイス４０を囲繞するノズル２２を有し、ノズル２２内の加熱気を攪拌するファン２３を設けた実装化装置用ヘッドにおいて、ヘッド本体１にノズル２２を開閉回動可能に蝶番結合し、開放回動によりファン２３を簡単に露出させ、ファン２３関連した点検、修理を行い易くする。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を回路基板上に容易に実装することができ、且つ回路基板からの半導体部品の取り外しも容易な半導体部品の実装構造及び実装方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ型半導体部品１の底面に複数のはんだバンプ１２を突設させ、回路基板３に、はんだバンプ１２を挿入可能な開口径を有するとともに、はんだバンプ１２と同じ間隔で形成され、当該回路基板３の厚さ方向に貫通する複数のスルーホール３１を備え、はんだバンプ１２をスルーホール３１に挿入させ、次いで、回路基板３の底面側から加熱することによりはんだバンプ１２を溶解させて、ＢＧＡ型半導体部品１を回路基板３に溶着する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の高温鉛―錫はんだの代替え材料として、鉛フリー高温はんだ材料を提供すること。
【解決手段】本発明は、ビスマス−銅−ゲルマニウムからなるはんだ合金に銅粒子を添加することで、モジュール部品内の電子部品や半導体素子等とモジュール基板をリフロー実装し、その後、モジュール部品をマザーボードに更にリフロー実装する場合において、リフロー実装時の熱で再溶融することがない接合材料であり、０．２〜０．８重量％の銅と０．０２〜０．２重量％のゲルマニウムと６９〜８４．７８重量％のビスマスからなるはんだボールと、１５〜３０重量％の銅粒子からなる接合材料。 （もっと読む）

【課題】 装置全体を小型化することができるとともに、熱エネルギーの消費量を少なく抑えることができる基板搬送装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品４がハンダを介して搭載された基板６を加熱領域８を通して搬送するための搬送手段１０と、加熱領域８において基板６側よりハンダを加熱溶融するための加熱手段１６と、を備える。加熱手段１６は、加熱位置と非加熱位置との間を移動自在に構成されており、基板６が搬送手段１０により加熱領域８に搬送されると、加熱手段１６が非加熱位置から加熱位置に移動され、加熱手段１６からの熱が基板６側よりハンダに伝達される。 （もっと読む）

【課題】基板に紙系の基材を用いても発振器の発振周波数の変動が少ない高周波装置を提供する。
【解決手段】紙基材の基板２２上にはチップコンデンサ２３と空芯コイル２４とが搭載され、チップコンデンサ２３は鉛フリー半田２５で接続され、空芯コイル２４は鉛フリー半田２７で接続される。基板２２上の空芯コイル２４によって発信器７が形成され、この発信器７は空芯コイル２４によって発振周波数が調整される。そして、鉛フリー半田２５を溶かすための１回目のリフロー工程５３における基板２２のピーク温度と、鉛フリー半田２７を溶かすための２回目のリフロー工程５７における基板２２のピーク温度との和の温度を４７５℃以下とする。これにより、チューナ１の吸湿による発信器７の周波数変動が小さくできる。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉが含まれたはんだ接合構造において、実装部品と基板との接続信頼性を向上させることを実現する。
【解決手段】本発明のはんだ接合構造は、基板と実装部品とを接合するはんだ接合部を備え、上記はんだ接合部が、スズ（Ｓｎ）及びビスマス（Ｂｉ）を含むはんだ合金からなるはんだ接合構造において、上記はんだ接合部では、スズ（Ｓｎ）中にビスマス（Ｂｉ）が分散しており、常温でのはんだ接合部の任意の断面において、分散析出したビスマス（Ｂｉ）全体に対する、直径２μｍのビスマス（Ｂｉ）の面積率が７０％以上になっているので、実装部品と基板との接続信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだのように溶融温度が比較的高いはんだをリフローはんだ付けする場合であっても、基板上の温度分布のバラツキを低減することができ、さらに、基板や実装部品への熱的な負荷を低減する。
【解決手段】リフロー装置１０は、実装部品６０が配置された基板２０を搬送する搬送手段２２と、基板２０に予備加熱を施した後、リフローはんだ付けを行う加熱部１４と、リフローはんだ付けが施された基板２０を冷却する冷却部１６とを有する。搬送手段２２には、基板２０が載置される載置面３４ａに樹脂シート３６が敷設されたワーク載置部３４が備えられる。また、加熱部１４には、ワーク載置部３４の下部を加熱する加熱プレート部３８が備えられ、冷却部１６には、ワーク載置部３４の下部を冷却する冷却プレート部５０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】炉の加熱室（予熱室やリフロー室など）の雰囲気ガスの中に含まれるフラックスガスを効率よく低減できるリフロー半田付け方法及び装置を提供する。また、フラックスガス除去後の雰囲気ガスの温度と、加熱室内の雰囲気温度との差をできるだけ小さくできるリフロー半田付け方法及び装置を提供する。
【解決手段】リフロー半田付け装置は、電子部品を搭載したプリント基板をコンベヤにより搬送しながら炉１の加熱室（予熱室２、リフロー室３）内で加熱して半田付けする。リフロー室３の雰囲気ガスの一部を導き、空冷ラジエータ１３で冷却した後、電気集塵装置１４で雰囲気ガスの中に含まれているフラックスガスを捕集し、その後、その雰囲気ガスをリフロー室３に戻す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光モジュール製造方法及び製造装置に関し、光モジュールが小型化されても所望の性能及び高い信頼性を有する光モジュールを製造可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板面に複数の端子パッド及び複数の着地パッドを有する基板に対し、端子パッドに半田材料を塗布し、複数の端子と平坦な上面を有する光学素子パッケージを、着地パッドを用いて上面が該基板面と略平行となるように、且つ、光学素子パッケージの底面と基板面との間に間隙が形成されるように基板上に搭載する搭載ステップと、光学素子パッケージの搭載と同時に、着地パッドを予備加熱し、半田材料を溶融させた後に硬化させて端子パッドと光学素子パッケージの対応する端子を電気的に接続するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半田および樹脂のボイドの抑制・除去に関し、より詳細には真空中で半田または樹脂による接合物を輻射加熱し、不活性ガスを急速に充填することによりボイドを抑制または除去するボイド除去装置、ボイド除去方法およびボイド除去工程を含む電子機器の製造方法に関する。
【解決手順】 本発明のボイド除去装置は、半田を所望の位置に配置した接合前の接合物と、真空チャンバー内を真空にする真空手段と、真空チャンバー内の保持台上の接合物を輻射加熱する加熱手段と、真空手段により真空チャンバー内を所定の真空度にし、真空度のもとで前記加熱手段により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱し、真空手段と加熱手段とを停止すると共に真空チャンバー内を急速に大気開放するよう制御する制御手段とからなるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 局所的な光照射によって半田を加熱して半田付けする方法においてもソルダレジストが焼損することがなく、しかも実装密度を高めることができる表面実装モジュールおよびその製造方法、並びに撮像装置を提供する。
【解決手段】 表面に複数の電子部品が実装されるとともに、表面に設けられた半田接続用パッド２２を有する撮像基板４を具備し、撮像基板４の表面において、半田接続用パッド２２は内側に貫通孔７を有して、貫通孔７の縁部から外側に同じ幅で設けられて外側の形状が縁部形状と相似形状をなす周縁部２３と、周縁部２３よりも外側へ突出した突出部２４とを組み合わせた形状からなり、半田接続用パッド２２の外側をソルダレジストで覆うとともに、突出部２４の外周を縁取るように半田接続用パッド２２よりも局所的な光照射による温度上昇が小さい材質からなる保護パターン２６で覆った表面実装モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いフリップチップ接続を実現する。
【解決手段】 フリップチップ接続される前の被処理物１６は、空間１１０を隔てて互いに対向する中間基板１００および半導体チップ１０２と、これらの間に介在する４つのスペーサ１１２と、を備えている。そして、この被処理物１６は、まず、酸化膜除去工程において、水素ラジカルＨ^＊に晒される。これによって、各電極１０４，１０６およびはんだバンプ１０８の表面に形成されている酸化膜が、還元され、除去される。そして、続く位置合わせ工程において、スペーサ１１２が溶融され、中間基板１００と半導体チップ１０２との位置合わせが行われる。さらに、接合工程において、はんだバンプ１０８が溶融され、はんだ付けされる。これらの工程は、低酸素雰囲気とされたチャンバ内で連続して行われるので、酸化の心配がなく、信頼性の高いフリップチップ接続を実現できる。 （もっと読む）

【課題】加熱コストを低減することにより、リフロー半田付け装置の消費エネルギーの低減を図り、ランニングコストを低減するとともに、リフロー半田付け装置の立上げ時間を短くすることで、未使用時のリフロー半田付け装置の電源投入をなくし、エネルギーの浪費を少なくすることができ、リフロー半田付けの品質向上を図るリフロー半田付け装置を提供する事を目的とするものである。
【解決手段】クリーム半田を介して電子部品を装着した配線基板４を搬送する搬送部１と、前記配線基板を加熱する加熱部２と、前記加熱部２に不活性ガス１９を供給する不活性ガス供給部３とからなるリフロー半田付け装置において、加熱部２にガス燃焼方式を用いたチューブヒータ５を用いる構成とする。 （もっと読む）

【課題】集積回路パッケージ用サブストレート基板に、実装ライン毎に異なる種類の予備半田を設置し、かつ、それによる製造コストの増加を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】外層に、予備半田の種類によらず共通の、バンプ接合パッド４をアレイ状に並べたパターンと、半導体集積回路チップの実装領域の認識マーク用パッド５と、前記認識マーク用パッド５の近傍に形成した副認識マーク用パッド６を有し、前記バンプ接合パッド４に設置した予備半田を有し、かつ、第１の種類の予備半田を設置する場合に前記副認識マーク用パッド６に前記予備半田を設置し、第２の種類の前記予備半田を設置する場合に前記副認識マーク用パッド６に前記予備半田を設置しない集積回路パッケージ用サブストレート基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率が良く，良好なはんだ上がり特性が得られる回路基板および回路基板の実装方法を提供すること。
【解決手段】回路基板１００は，複数のリード２１を有する電子部品２０と，電子部品２０を搭載するプリント基板１０とを備えている。プリント基板１０は，回路パターン１１と，回路パターン１１の層間に位置する層間絶縁層１２と，プリント基板１０を貫通するスルーホール１３と，プリント基板１０を貫通するとともにスルーホール１３を取り囲む金属リング１５とを有している。回路基板１００は，はんだ付けを行う前の予熱処理の際に，誘導加熱コイル４１に高周波バイアスを印加し，金属リング１５を電磁誘導発熱させる。これにより，金属リング１５を熱源としてスルーホール１３が加熱される。 （もっと読む）