【課題】良好な樹脂硬化性、すなわちプリプレグ積層時に、高温かつ長時間の処理を必要とせず、且つワニスやプリプレグの硬化性や保存安定性が良好であり、耐薬品性、耐熱性、接着性に優れる樹脂組成物、及びこれを用いたプリプレグ、積層板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】１分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物（ａ）と、１分子中に少なくとも２個の１級アミノ基を有するアミン化合物（ｂ）を有機溶媒中で反応させて製造される不飽和マレイミド基を有する樹脂組成物（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）及び、イソシアネートマスクイミダゾールやエポキシマスクイミダゾールなどの変性イミダゾール化合物（Ｃ）を含有する熱硬化性樹脂組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】回路の損傷なしに、特定面にだけ凹凸を有する回路パターンを樹脂絶縁層内に転写して埋め込めるための回路転写用キャリア部材、これを用いたコアレスプリント基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】キャリア層の一面に、バリア層と、外側上端にだけ凹凸が形成されている回路パターンとを有するように構成された回路転写用キャリア部材を利用して回路パターンを樹脂絶縁層に転写して埋め込めることで、高密度、高信頼度のコアレスプリント基板を製作する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造及び組立て作業性で、高温化を抑制したトランスを得る。
【解決手段】この発明に係るトランスは、ガラスエポキシ樹脂にコイルパターン１０を内蔵したコイル基板３と、このコイル基板３に対面して設けられているとともにガラスエポキシ樹脂に放熱パターン１１を内蔵した放熱基板６と、この放熱基板６を支持したベース８とを備え、コイルパターン１０に流れる電流により発生した熱は、放熱パターン１１を通じてベース８に流れるようになっている。 （もっと読む）

【課題】樹脂絶縁層にクラックが発生しにくくて信頼性に優れた多層配線基板。
【解決手段】多層配線基板は、基板本体、内層配線パターン２８、下層側樹脂絶縁層１６、上層側樹脂絶縁層３０を備える。内層配線パターン２８は基板本体の面方向に沿って延びている。下層側樹脂絶縁層１６は、内層配線パターン２８の底面４４側に接する。上層側樹脂絶縁層３０は、下層側樹脂絶縁層１６に隣接しかつ内層配線パターン２８の上面４３側に接する。内層配線パターン２８は、下層側樹脂絶縁層１６及び上層側樹脂絶縁層３０の両方に対して埋まっている。内層配線パターン２８の積層方向切断面における最大幅部位５４が、パターン上端５１とパターン下端５２との間の位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】接続バンプが狭小化された半導体チップであっても信頼性よく実装できる配線基板を提供する。
【解決手段】ガラス又はシリコンからなり、下面に開口した第１ホールＨ１と上面に開口した第２ホールＨ２とが連通してなるスルーホールＴＨを備えた基板層１０と、第１ホールＨ１に形成された配線層２０と、第２ホールＨ２に形成されて配線層２０に接続された接続パッドＰと、基板層１０の下面に形成された絶縁層３０及び他の配線層２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】反りを低減しつつも、微細配線を形成することができる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、複数の配線層１１，２１，３１，４２，５１，６１と複数の絶縁層２０，３０，４０，５０，６０とが積層された構造を有している。積層される複数の絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層４０は、下層の配線層３１の配線パターン３１ｂを覆うように形成された補強材入りの絶縁層４０Ａと、その絶縁層４０Ａ上に積層され、絶縁層４０Ａよりも金属膜との密着性が高く、絶縁層４０Ａよりも薄い密着層４１Ａとを有している。また、積層される複数の配線層のうち少なくとも１つの配線層４２は、絶縁層４０Ａ及び密着層４１Ａを貫通して下層の配線層３１に接続されたビア配線４２ａと、密着層４１Ａ上に形成された配線パターン４２ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】硬化物の耐湿性及び電気特性が良好であるエピスルフィド樹脂材料、並びに該エピスルフィド樹脂材料を用いた多層基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るエピスルフィド樹脂材料は、エピスルフィド樹脂と、硬化剤と、無機充填剤とを含む。上記硬化剤は、活性エステル化合物又はシアネートエステル化合物である。本発明に係る多層基板１１は、回路基板１２と、回路基板１２の回路が形成された表面１２ａ上に配置された硬化物層１３〜１６とを備える。硬化物層１３〜１６は、上記エピスルフィド樹脂材料を硬化させることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】 複数のメタライズ層に形成されている導電トラックで構成されているコイルによって発生する、垂直巻線軸に沿う磁界の一様性を高めることができるプリント基板を提供する。
【解決手段】 このプリント基板においては、垂直方向に連続している第１のメタライズ層と第２のメタライズ層とに形成されている導電トラック（９０、９２、１０２、１０４、１１４、１１６、１３０、１３２、１４０、１４２、１５０、１５２）の、メタライズ層に平行な１つの平面上への重ね合わせによって、互いに直交しており、かつメタライズ層に平行である軸ＸおよびＹを対称軸とする２軸対称性を有するパターンが形成され、重ね合わされる第１のメタライズ層および第２のメタライズ層の各々の単一または複数の導電トラックは、それだけでは、軸Ｘおよび／またはＹを対称軸とする軸対称性を有していない。 （もっと読む）

【課題】コア基板の収容部内に内蔵部品を収容する際、複雑な加工を行うことなく内蔵部品の正確な位置決めが可能な部品内蔵配線基板を提供する。
【解決手段】部品内蔵配線基板１０は、コア基板１１と、コア基板１１を貫通する収容部２１と、収容部２１に収容された内蔵部品５０と、コア基板１１の上下に積層形成した配線積層部１２、１３とを備えている。収容部２１は、平面視で方向が異なる第１及び第２の内壁面を含むコア基板１１の内壁面２０によって画定され、内蔵部品５０は、第１及び第２の内壁面のそれぞれと部分的に接した状態で収容部２１に収容され、内壁面２０と内蔵部品５０との間隙部において内蔵部品５０が第１及び第２の内壁面と接していない領域に樹脂充填材Ｆが充填されている （もっと読む）

【課題】接続信頼性が高く、狭ピッチの接続端子を形成可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、無機材料からなる基板本体１１に形成された配線パターン１２と、前記配線パターンと電気的に接続され、半導体チップが搭載される外部接続端子１５と、を備えた無機基板１０と、絶縁層３１、３３、３５と配線層３２、３４、３６が積層された有機基板３０と、熱膨張係数が前記無機基板よりも大きく前記有機基板よりも小さい材料からなる応力緩和層２１と、前記応力緩和層を貫通する貫通配線２２と、を備えた接合層２０と、を有し、前記無機基板は、前記有機基板上に前記接合層を介して積層され、前記無機基板の配線パターンと前記有機基板の配線層とは、前記貫通配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁層の密着性に優れたプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板上に配置される金属配線と、金属配線上に配置される絶縁層とを備えるプリント配線基板であって、金属配線と絶縁層との界面に式（１）で表される官能基を４つ以上有するチオール化合物の層が介在する、プリント配線基板。


（式（１）中、＊は結合位置を表す。） （もっと読む）

【課題】半導体パッケージを実装基板から取り外すリペアが容易であって、半導体パッケージと実装基板との接続部の耐衝撃性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子４が接続された半導体パッケージ１と、実装基板２とがはんだバンプ３を介して電気的及び機械的に接続されてなり、半導体パッケージ１は、半導体素子４が接続されるとともに実装基板２と接続される半導体パッケージ用配線板５を有し、半導体パッケージ用配線板５に形成された電極パッド２２のコア層１１側には第１応力緩和層２１が配置されており、実装基板２に形成された電極パッド３３の層間絶縁層３１側には第２応力緩和層３４が配置されており、第１応力緩和層２１の２５℃の弾性率が２．５ＧＰａ以下であり、第２応力緩和層３４の２５℃の弾性率が３ＧＰａ以下かつ第２応力緩和層３４の平面方向の２５℃の熱膨張係数が８×１０^-6／℃以下である。 （もっと読む）

【課題】電子部品の封止に汎用性の高い絶縁材料を用いるも、所期の小径とされた微細な貫通電極を有し、更なる微細化を可能とする信頼性の高い電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子部品内蔵基板２０は、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂ（大径の無機フィラー９ａを含有する。）と、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂ内に設けられた電子部品２Ａ，２Ｂと、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂを貫通する貫通電極８とを備え、貫通電極８は、第１の絶縁層４Ａ，４Ｂに形成された第１の貫通孔５に第２の絶縁層６（無機フィラー９ａよりも小径の無機フィラー９ｂを含有する。）が埋め込まれ、第２の絶縁層６に第１の貫通孔５よりも小径の第２の貫通孔７が形成され、第２の貫通孔に導電材料８ａ，８ｂが配されて構成される。 （もっと読む）

【課題】ハンダ等の再溶融がなくなり、工程を簡略化可能な部品内蔵基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層基板１１の一方の面１１ａに第１電子部品Ｔ１を載置する第１電極１３と、第１積層基板に凹部１４を設け、第１積層基板内部の配線回路が凹部内に露呈され、第２電子部品Ｔ２の一端Ｔ２ａと接続する第２電極１６とを備える第１配線基板１７と、第２積層基板２１の一方の面に凹部２４を設け、第２積層基板内部の配線回路が凹部内に露呈され、第２電子部品Ｔ２の他端Ｔ２ｂと接続する第３電極２６とを備える第２配線基板２７と、を備えており、第１配線基板と第２配線基板との一方の面はそれぞれの凹部が互いに対向する内面に向いて開口するように配されており、各々の電子部品と各々の電極とは、導電性ペーストＰからなる層間導通部により接続される。 （もっと読む）

【課題】複数の異種のデバイスを集積して受動部品を内蔵することが可能で、小型薄型化が可能である半導体モジュールを、歩留まり良く製造することを可能にする、高い信頼性を有する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数層の配線層を絶縁層中に形成して成る多層配線層と、この多層配線層の少なくとも一方の主面に設けられた半導体チップと、この半導体チップを覆う封止材とを有し、多層配線層の両主面及び多層配線層の側面に、同一の材料による封止材が設けられている半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】コア基板およびビルドアップ層を備え、これらをその厚み方向に沿って断面ほぼ真円形で貫通する光導波路を備えた光導波路付き配線基板、および該配線基板を確実に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材からなり、表面３および裏面４を有するコア基板２と、該コア基板２の表面３および裏面に形成され、複数の絶縁層ｒ１〜ｒ６，ｓ１，ｓ２およびこれらの間に位置する配線層１４〜２１を含むビルドアップ層ｕ１，ｕ２と、上記コア基板２およびビルドアップ層ｕ１，ｕ２を厚み方向に沿って貫通し、クラッド１１およびコア１２からなる光導波路Ｌと、を備え、該光導波路Ｌは、上記コア基板２内に形成され、該コア基板２よりも被削性に優れた穴埋め材９を貫通している、光導波路付き配線基板１。 （もっと読む）

【課題】 基板の補強材にガラスクロスを用いた場合、マイグレーションの発生に伴う電気的特性の悪化を招き、また、キャビティ形成時にガラスクロスの切断加工が必要で製造コストのアップを招く。
【解決手段】 複合多層基板２０は、金属製材料からなる平板状のコア部材２１と、コア部材２１の表面と裏面を覆う表面側樹脂層２２および裏面側樹脂層２３と、表面側樹脂層２２および裏面側樹脂層２３のいずれか一方又は双方に形成された電極（第１及び第２の電極）と、コア部材２１の表裏を貫通して形成された無底穴２４または有底穴と、無底穴２４または有底穴に実装する電子部品２５とを備え、電子部品２５に対する電気的接続を第１の電極を介して行うようにし、コア部材に対する電気的接続を第２の電極を介して行うようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
１枚の集合配線基板から同時に製造できる電子部品の数量減少を防ぎ、もって作業効率低下やコスト増といった問題を解決することができるとともに、平坦な配線基板に半導体素子が搭載され、他の回路基板に良好に実装することが可能な電子装置を安定して供給することが可能な集合配線基板を提供すること。
【解決手段】
半導体素子１５が搭載される搭載部８を上面中央部に有する複数の配線基板１０と、前記搭載部８を囲繞する大きさの複数の貫通口２４を有するフレーム２０とを備え、前記配線基板１０の上面周端部と前記フレーム２０の前記貫通口２４周辺部とを、前記搭載部８を前記貫通口２４から露出させるように接合して成ることを特徴とする集合配線基板３０。 （もっと読む）

【課題】露光装置を用いたフォトリソグラフィ法によって配線パターンを形成してなる配線基板を製造する際に、露光装置におけるマスクパターンの静電破壊を防止するとともに、マスクパターンの除塵を効果的に行って製品不良の割合を低減し、低コストで配線基板を製造する。
【解決手段】露光ステージ上に感光性レジストが配置された基板を設置するとともに、露光ステージと対向するようにして、絶縁性の透明基材上に所定のパターンが描画されてなるマスクパターンを配置し、マスクパターンを介して感光性レジストに対して露光処理を行い、感光性レジストにパターンの潜像を形成する。次いで、マスクパターンに対して除塵ローラを接触及び回転させてマスクパターンの清浄を行い、マスクパターン及び除塵ローラが接触している状態において、マスクパターン及び除塵ローラに対してイオン化装置よりイオンを照射し、マスクパターン及び除塵ローラの除電を行う。 （もっと読む）

【課題】デスミア処理を行っても被めっき層が残存し、その表面の平滑性が維持されると共に、被めっき層上に形成される金属層の密着性が優れる多層基板を製造することができる、多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導電層付き基板の導電層側の表面に、熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基を有する被めっき層を形成する工程（Ａ）と、被めっき層を貫通し、導電層に達するようにビアホールを形成する工程（Ｂ）とデスミア処理液を用いたデスミア処理を行う工程（Ｃ）と、加熱、酸の供給または輻射線の照射を行い、官能基を疎水性から親水性に変換する工程（Ｄ）と、被めっき層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程（Ｅ）と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっき処理を行う工程（Ｆ）と、を有する多層基板の製造方法。 （もっと読む）