【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】粒子密度の微分方程式に基づくシミュレーションを行って算出した粒子密度に基づいて、可視領域の各波長の発光強度を計算し、対象とする製造プロセスにおける発光種及び発光波長の情報を参照して、計算した可視領域の各波長の発光強度と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルとを比較して、電子エネルギー分布関数を求め、この電子エネルギー分布関数と、発光種に関する反応断面積とを用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】紫外線の膜へのダメージ量の正確な予測が行えるようにするシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】可視領域の発光スペクトルに関連付けした、紫外領域の各波長の発光強度の予測式を、多変量解析によって算出し、算出した予測式と、実際に検出された可視領域の発光スペクトルと、を用いて、紫外領域の発光スペクトルを予測し、予測した紫外領域の発光スペクトルから、半導体装置の製造における、紫外線によるダメージ量を予測するシミュレーション方法を実行する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と発熱反応を起こすガスをエッチングガスとして用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置を提供する。前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成される。前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第１開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第２開口部とを備え、前記第１開口部と前記第２開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている。 （もっと読む）

【課題】低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第１のガスと、ＣｘＨｙ（ｘ，ｙは正の整数）で示される第２のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを被処理基板に作用させて有機膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣を残さず、かつ、レジストの下層（例えば半導体層）へのダメージを従来よりも抑えることが可能なレジスト除去方法を実現する。
【解決手段】本発明は、素子に付いたレジスト３の一部を除去対象として除去するレジスト除去方法の発明である。本発明では、例えば、除去対象の一部が除去加工されるとともに除去対象の残りの一部６が露光されるように除去対象に向けてレジストが吸収する波長のレーザー光４を照射するとともに、露光された部分６を現像により除去することで、半導体素子に塗布したレジスト３の一部を除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ又はその他の基板における転位を減少させる、水素ベースのフォトレジスト剥離処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】水素ベースのフォトレジスト剥離を、１）オーバーストリッピングの継続時間を最小限にし、短い工程を採用することにより、水素収支を最小にする、２）例えば２％〜１６％の水素濃度の希釈水素を供給する、３）プロセス条件や化学反応を制御することにより、材料の損失を最小限に抑える、４）レジスト剥離を低温で行う、５）注入条件及び濃度を制御する、６）剥離後のベントプロセスを１つ又は複数行う。 （もっと読む）

【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上のイオンエネルギーを所望の範囲の値に調節して、高精度な加工または長期間安定して処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Ｖppと直流の成分Ｖdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Ｖpp／２＋｜Ｖdc｜の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】Low-k膜を有する試料のプラズマアッシング処理において、高速にアッシング処理を行いつつ、Low-k膜に対する膜ダメージを抑制または低減する処理方法を提供する。
【解決手段】Low-k膜１５を有する試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記試料をプラズマエッチングする工程と、炭化水素系ガスであるメタン(CH₄)ガス１９と希ガスであるアルゴン(Ar)ガスとからなる混合ガスを用いて、プラズマエッチング工程でプラズマエッチングされたレジストマスク１３、炭素ハードマスク１４、反応生成物１６が付着したLow-k膜１５を有する試料を、メタン(CH₄)ガス１９からの炭素（C+)ラジカル１８と水素(H+)ラジカル１９により、プラズマアッシングする工程を有するプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】難エッチング材料を、高速、高精度及び低ダメージでエッチングする。
【解決手段】実施形態に係わるエッチング装置は、上面側に披処理基板１９が搭載されるステージ１１と、ステージ１１の上面側を覆うチャンバー１２と、ステージ１１の下面側に付加され、開口部を有する下部電極１３ａと、チャンバー１２内にエッチングガスを供給するガス供給部１４と、下部電極１３ａに高周波を印加することにより、チャンバー１２内のエッチングガスをプラズマ化する高周波電源部１７と、下部電極１３ａの開口部を介して被処理基板１９にマイクロ波を印加することにより、披処理基板１９の温度を最適範囲内に設定するマイクロ波発生部１５と、ガス供給部１４、高周波電源部１７及びマイクロ波発生部１５を制御する制御部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の表面にダメージを与えることなく、異物を除去する技術が望まれている。
【解決手段】 半導体ウエハのチップ領域に、複数の反射電極を形成する。反射電極の表面を覆うように、半導体ウエハの上に絶縁膜を形成する。反射電極が絶縁膜で覆われた状態で、チップ領域とは異なるナンバリング領域に、凹凸による識別標識を形成する。識別標識を形成した後、反射電極の上面が露出するまで絶縁膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマアッシング法は、炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物からなる低ｋ誘電体材料を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、基本的に無酸素及び無窒素のガス混合物からプラズマを形成し、バッフルプレートアッセンブリを介して前記基板上に前記プラズマを流し、フォトレジスト材料、エッチング後の残留物、及び揮発性の副生成物を前記基板から除去し、前記プラズマが形成されない操作の周期中に、前記バッフルプレート上に冷却ガスを流す、ことからなる。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；前記反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；前記移動ステージに載置される半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 イオン入射等の所定処理により発生する被加工体のダメージをより短時間で算出可能にする。
【解決手段】 シミュレータ１０は、入力部１１と、ダメージ演算部１２とを備える構成とする。ダメージ演算部１２は、被加工体の所定の評価点で、所定のガスから被加工体に入射される第１物質の量と、第１物質の入射により被加工体から放出される第２物質の量との関係をフラックス法で計算することにより得られる被加工体のダメージを取得する。 （もっと読む）

【課題】シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。
【解決手段】開閉移動するシャッター５を備えるイオンビームエッチング装置を用い、シャッター５が閉位置５ａから開位置５ｂに移動するとき、イオン源から放出されるイオンビームの量を一定にするとともに、中和器から放出される電子の量をシャッターの移動前と比べて一旦減量した後に増量することで基板電位の変動を抑制するイオンエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。
【解決手段】多数の実施形態の一つにおいて、方法は、少なくとも一つのエッチングプロセスのそれぞれにバイアス電圧を割り当てるステップと、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を生成するステップとを含む。方法は、更に、少なくとも一つのエッチングプロセスの一つの開始前に、割り当てバイアス電圧を静電チャックに印加するステップを含む。割り当てバイアス電圧レベルは、ウェーハアーク放電を低減する。 （もっと読む）