【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】大気圧プラズマにて被処理物を処理するに際してプラズマ点灯後のプラズマの点灯状態やプラズマの照射状態を確認できて信頼性の高いプラズマ処理を確保することができる大気圧プラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の所定の反応空間１１に第１のガス１５を供給するとともに反応空間１１近傍のアンテナ１３又は電極に高周波電圧を印加して一次プラズマ１６を発生させ、発生した一次プラズマ１６又は前記一次プラズマ１６を第２のガス１８に衝突させて発生させた二次プラズマ２１を被処理表面６に向けて照射し、被処理表面６をプラズマ処理する大気圧プラズマ処理方法において、一次プラズマ１６の点灯後の反射波の大きさを検出し、反射波の大きさを第１の所定値と比較して一次プラズマ１６が点灯しているか否かを確認するようにした。 （もっと読む）

【課題】エネルギー的に効率よく紫外光を有効的に利用し且つ清潔にオゾンを分解する。
【解決手段】オゾン分解装置１４は、筐体４１内において、オゾンガスを流通させる配管４２，４７を備えたガス流路と、このガス流路内のオゾンガスのガス流に対して紫外光を透過させる光透過管（光透過部材）４４と、前記ガス流を迂回させるガス流迂回板（ガス流迂回部材）４６とを備える。光透過管４４は円筒状を成すと共に筐体４１内に同軸に格納される。ガス流迂回板４６は光透過管４４内に複数配置される。筐体４１の内面は鏡面処理するとよい。オゾン分解装置１４はオゾンガスを用いて基板の酸化処理を行うプロセスシステムに適用できる。 （もっと読む）

【課題】基板を下部電極上に置かずにプラズマを生成することによって、プラズマ処理室内の生成物の除去を行うことによる不具合を除去し、基板をプラズマ処理する処理工程の後に前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、所定時間放置する保持工程を設けることにより、基板の帯電除去および基板に静電的に付着しているパーティクルの他の基板への裏面転写を抑制する。
【解決手段】基板をプラズマ処理室に搬入する搬入工程Ｓｔ１と、前記基板をプラズマ処理する処理工程Ｓｔ２と、前記基板を前記プラズマ処理室から予備室に搬送する搬送工程Ｓｔ３と、前記基板を前記予備室内の基板保持部に保持し、これを所定時間放置する保持工程Ｓｔ４と、前記基板を前記予備室から搬出する搬出工程Ｓｔ５を備える。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス洗浄用組成物であって、ａ）当該組成物の約８０重量％〜約９９重量％の少なくとも１つの有機スルホンと；ｂ）当該組成物の約０．５重量％〜約１９重量％の水と；ｃ）当該組成物の約０．５重量％〜約１０重量％のテトラフルオロホウ酸塩イオンを提供する少なくとも１つの成分とからなり、ｄ）任意で、少なくとも１つの多価アルコールを含む、組成物は、Ｓｉ系反射防止コーティングと低ｋ誘電体の両方を有するマイクロエレクトロニクス基板またはデバイスからエッチング／アッシング残渣を洗浄する際に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上における異物の発生を簡便且つ確実に抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。 （もっと読む）

微粒子発生は、腐食性の高いプラズマ環境における半導体デバイス処理において問題であった。この問題は、プラズマが還元プラズマの場合に深刻なものとなる。実験データは、酸化イットリウム、Ｙ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２固溶体、ＹＡＧ及びＹＦ_３等のプラズマ溶射被覆されたイットリウム含有セラミックの形成によって、約２２μｍ〜約０．１μｍの平均有効粒径を有する粉末原料からこのようなセラミックを溶射被覆すると、滑らかで緻密な表面を備えた低多孔率のコーティングが得られることを示した。これらの溶射被覆された材料によって、腐食性の還元プラズマ環境における微粒子の発生が減少する。
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【課題】 シリコンを含むエッチンガスを用いた反応性プラズマエッチングにおいても、良好なショットキー特性あるいはオーミック特性を得ることができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】シール部材のメンテナンスサイクルの長期化を図り、シール部材からのパーティクル発生を減少させる。
【解決手段】チャンバー１０内でプラズマ処理が行われるＨＤＰ−ＣＶＤ装置１において、チャンバー１０を貫通しガスが導入されるガス導入穴４０と、ガス導入穴４０に挿入されガスがチャンバー１０内の所定位置に導かれるガスノズル２２と、ガスノズル２２に装着されチャンバー１０のガス導入穴４０とガスノズル２２の外周部とがシールされるＯリング４５と、を備え、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比１０以上のコンタクトホール形成に際して、デポ物の除去効率を高める半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトホールのホールエッチング後、フルオロカーボン系ガスと酸素を酸素過多で含む処理ガスでバイアス無印加の条件でライトエッチングし、ホール３側壁に付着するＣ−Ｆ結合を有する反応生成物５をプラズマ処理で除去し、その後ＷＥＴ処理によりホール底に残存するデポ物４を除去してから、ホール内に導電材料を埋め込みコンタクトプラグ７を形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板の表面を処理するための方法に関し、この方法は、半導体基板の表面を酸化させ、それにより、自然酸化物を人工酸化物に変換するステップと、この人工酸化物を除去し、特に、酸化物のない基板表面を得るステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系基板の処理方法を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするように構成している。また、カルボキシル基又は炭酸基の存在を略０にするために、結晶成長開始前にＺｎＯ系基板表面を酸素ラジカル、酸素プラズマ、オゾンのいずれかに接触させるようにしている。したがって、ＺｎＯ系基板表面の清浄化を高め、基板上に品質の良いＺｎＯ系薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】基板周縁部処理装置の状態の検査を正確に行うことができる基板周縁部処理装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、ウエハＷの周縁部に付着したポリマーを除去するベベルポリマー除去装置３２を備え、このベベルポリマー除去装置３２の状態を検査する際、レジスト膜ＲのブランケットウエハＷｂを準備して、該レジスト膜Ｒの膜厚を測定し、ベベルポリマー除去装置３２において、レジスト膜Ｒの端から所定の距離だけ内側に位置するレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストを除去し、その後、該レジスト膜測定部Ｒ１の膜厚を測定し、レジスト膜Ｒの膜厚の測定値及びレジスト膜測定部Ｒ１の膜厚の測定値を用いて算出されたレジスト膜測定部Ｒ１におけるレジストの除去量に基づいてベベルポリマー除去装置３２の性能を評価する。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第１の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第１のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第２の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第３の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の２段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その２段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電プラズマを用いてウエハーの周縁部を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】導波管の開口に放電管７が装着される。放電管の導波管から外側に露出する部分にスリット８が形成される。導波管に、放電管を取り囲むブロック９が取り付けられる。ブロックは、プラズマ生成室１０、第１の通路１１および第２の通路１２を有する。第１の通路の開口に放電管が収容され、第２の通路の開口はウエハー挿入口１２ａをなす。ブロックは、ガス供給管路１３およびガス排出管路１４を有する。ブロックの前方にターンテーブル１７が配置される。ターンテーブルの上に置かれたウエハー１６を被覆する被覆プレート２８と、被覆プレートを上下に移動させるアクチュエータ２３が備えられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フローティングゲートを多層の導電膜が積層された構造で形成して隣接するメモリセル間の干渉現象を減少させることが出来るフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 半導体基板上にトンネル絶縁膜及び非晶質の第１の導電膜を形成する段階と、非晶質の第１の導電膜を結晶質の第１の導電膜に変形させるための熱処理工程を行う段階と、結晶質の第１の導電膜上に第２の導電膜を形成する段階と、第２の導電膜をパターニングする第１のエッチング工程を行う段階と、結晶質の第１の導電膜上の酸化膜を除去するための第２のエッチング工程を行う段階と、非晶質の第１の導電膜をパターニングする第３のエッチング工程を行う段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】 異常な反応を起こる可能性を低減し、半導体集積回路装置の特性並びに歩留りの維持、向上を図ることが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理基板（Ｗ）を、弗素を含む処理ガスを含む雰囲気下でガス処理し、被処理基板（Ｗ）の表面に弗素を含む反応生成物（３１２）を形成する第１の工程と、ガス処理後の被処理基板（Ｗ）を加熱処理し、弗素と反応する反応ガスを含む雰囲気下でガス処理する第２の工程と、を具備する。 （もっと読む）

本明細書に記載される実施形態は、基板上の自然酸化表面を取り除くと同時に、下層の基板表面をパッシベートするための方法を提供する。一実施形態において、プロセスチャンバ内に、酸化物層を有する基板の位置決めを行い、基板の第１の温度を約８０℃未満に調整し、プロセスチャンバ内において、約１０以上のＮＨ_３／ＮＦ_３モル比を有するアンモニア及び三フッ化窒素を含むガス混合物からクリーニングプラズマを生成し、基板上にクリーニングプラズマを凝縮することを含む方法が提供される。ヘキサフルオロ酸アンモニウムを含む薄膜が、プラズマクリーニングプロセスの間に、自然酸化物から部分的に形成される。本方法は、さらに、プロセスチャンバ内において、約１００℃以上の第２の温度まで基板を加熱しつつ、基板から薄膜を取り除き、その上にパッシベーション表面を形成することを含む。
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