【課題】被処理基板に対して安定なプラズマ処理を実施することにより処理室内からの微細粒径の異物の発塵を低減し、半導体素子の生産効率を向上する。
【解決手段】処理ガスを導入するガス導入装置を備えた真空処理室と、該真空処理室内に配置され、導入された処理ガスにマイクロ波エネルギを供給してプラズマを生成するマイクロ波電源と、前記真空処理室内に配置された試料台を備え、前記試料台に高周波電圧を供給して、前記プラズマ中のイオンを吸引して前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記マイクロ波のエネルギとしてプラズマが着火可能なエネルギである８ないし２００Ｗの低電力を供給して前記真空処理室内にプラズマを生成する第１のステップと、前記プラズマの生成確認後に、前記マイクロ波の電力としてプラズマを安定に生成してプラズマ処理可能な通常値を供給してプラズマを生成する第２のステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合に、プラズマ発生時点または基板９を搬入する搬入開始時点など、異常放電の検出時点から所定時間だけ遡った遡及時点および異常放電の検出時点の双方を含んで設定される抽出対象時間帯に対応する動画データを履歴データとして記憶させる。これにより、プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合には異常放電の検出時点を含む時間帯に対応する動画データを記憶させ、異常放電を検出しない場合には正常な放電状態を示す動画または静止画のデータを、プラズマ処理が行われたことを示す正常履歴画像データとして記憶させる。これにより、異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング加工を行ったウェハにおけるデガスの影響による異物の発生を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、各ウェハ１５０を略水平にして複数のウェハ１５０を上下に並べて収容するとともに、側方に設けられたドア１０４を含む収納容器１００に、ドライエッチング加工が行われた複数のウェハを順次収容する工程と、ドア１０４が開いた状態で、収納容器１００に収容すべきすべてのウェハ１５０が当該収容容器に収容されてから３０秒以上、収納容器１００内のウェハ１５０に対して水平方向からパージガスを吹き付ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを作製すると、半導体デバイスの動作への影響を抑制できる、ＳｉＣ基板、エピタキシャルウエハおよびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０は、主面を有し、かつＳｉＣからなる下地基板を準備する工程と、主面を第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程と、第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程後に、主面を第２のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程とを備えたＳｉＣ基板であって、主面１１を有し、主面１１の残渣が０．２個以上２００個未満である。 （もっと読む）

【課題】同一の処理室で、自然酸化膜が除去された後にシリコン基板の界面の酸素を確実に除去する。
【解決手段】ＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、シリコン基板５の酸化表面にＮＨｘＦｙを作用させることで（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を生成し、シリコン基板５を所定温度に制御することにより（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６を昇華させてシリコン基板５の表面の酸化膜を除去し、続けてＮＨ_３及びＮ_２及びＮＦ_３を導入し、温度が維持された状態でシリコン基板の表面にＦラジカルを作用させてシリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線構造を有する半導体装置に形成される配線表面の酸化物部を選択的に除去する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置を製造するに際し、配線表面を、Ｘｅのプラズマで逆スパッタリングする。本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。また、配線の上に形成されたＣＦなどの絶縁膜へのダメージを抑制でき、絶縁膜の誘電率変動も抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】レジスト除去工程において、ポッピングを抑制し、且つスループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法であって、ドーパントが混入されたレジストの塗布された基板を処理室に搬入する工程と、基板を加熱する工程と、前記処理室に、少なくとも酸素成分と水素成分とを含み、水素成分の濃度が６０％以上７０％以下である反応ガスを供給する工程と、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態として基板を処理する工程とを有する。前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２２０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。また、前記基板を加熱する工程では、基板の温度を２５０℃以上３００℃以下とすることが望ましい。 （もっと読む）

太陽電池基板の層を洗浄するための方法および装置が開示される。基板が反応性ガスに露出されるもので、この反応性ガスは、窒素およびフッ素を含む中性ラジカルを含むことができるか、あるいは無水ＨＦおよび水、アルコール、または水とアルコールとの混合物を含むことができる。さらに、反応性ガスは、キャリアガスを含みうる。反応性ガスは、太陽電池基板表面をエッチングして、酸素および他の不純物を除去する。中性ラジカルに露出されると、基板は、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含有する薄膜を成長させ、この薄膜はその後熱処理によって除去される。
（もっと読む）

【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】異物を除去するためのレーザ光照射装置及び受光装置を利用して基板の位置合わせを行い、基板に対して適正な後処理を施すことができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】異物除去装置に設けられた異物を除去するためのレーザ光照射部３４からステージ３３に載置されて回転するウエハＷの端部にずれ測定用のレーザ光を照射し、照射したレーザ光のうちウエハＷの端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光をパワーメータ３５で受光してレーザ光の出力を検出し、回転するウエハＷの回転角を検出し、検出したレーザ光の出力データと回転角データとに基づいてウエハＷのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてウエハＷのずれを補正し、その後、ウエハＷの端部にレーザ光照射部３４から洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射してウエハＷに付着した異物を分解、除去する。 （もっと読む）

改良された耐プラズマ性を有する充填ポリマー組成物が開示される。組成物はポリマーマトリックス中に分散された粒子フィラーを含む。粒子フィラーは、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＹＦ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ又はＳｉ_３Ｎ_４、及び希土類酸化物であることが可能である。一実施形態では、組成物は、静電チャック用接着剤、シャワーヘッド用接着剤、ライナー用接着剤、シール材、Ｏリング、又はプラスチック部品として利用される。
（もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内にて、被処理体Ｗの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、ＨＦガスとＮＨ_３ ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として１５０〜２００℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、２つの処理装置を用いることなく１つの処理装置で効率的に除去する。 （もっと読む）