【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。
【解決手段】 本発明のレジスト除去装置は、レジスト除去装置のチャンバー内にマスク支持台と、そのマスク支持台の内側に配置されて基板を載置する基板支持台と、マスク支持台の基板を覆う位置に配置されて基板の周辺部を露出させる開口部を有する蓋状のアッシングマスクとを備える。 （もっと読む）

【課題】表面の清浄度及び平坦性に優れた酸化亜鉛基板を得るための酸化亜鉛基板の表面処理方法、及び該方法で処理された酸化亜鉛基板を使用する酸化亜鉛結晶の製造方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ１３内で加熱された酸化亜鉛基板３の表面に、ガリウム蒸発源１１からのガリウム分子線ビームを照射して、前記酸化亜鉛基板３の表面をエッチングすることを特徴とする酸化亜鉛基板３の表面処理方法；かかる方法で酸化亜鉛基板３の表面を処理し、次いでその表面において、亜鉛源６、プラズマ励起酸素源５６により、酸化亜鉛結晶を成長させることを特徴とする酸化亜鉛結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板交換方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置において、第１の基板処理室で処理する基板の交換を行う際、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出する第１の搬出工程Ｓ１を行った後、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１の基板処理室へ搬入する第１の搬入工程Ｓ４を行う前に、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出する第２の搬出工程Ｓ２と、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１のロードロック室へ搬入する第２の搬入工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンの表面上にシリコン酸化膜が形成された基板をエッチングする方法において、コンタクト抵抗を低くできるエッチング方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板Ｗ上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層１０５を生成して、シリコン酸化膜１０４をエッチングする。Ｆ_２ガス、ＸｅＦ_２ガス及びＣｌＦ_３ガスの群から選ばれる少なくとも一つを含むシリコンエッチングガスを基板Ｗ上に供給し、シリコンエッチングガスによって基板Ｗ上のシリコンをエッチングする。シリコン酸化膜１０４のエッチング及びシリコンのエッチングの後、基板Ｗ上の凝縮層１０５を加熱して除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、チャンバ内壁からの反応生成物の剥離によるパーティクルの抑制とチャンバ内雰囲気の安定化を、簡易な制御と構成で実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アウターチャンバ１１とインナーチャンバ１２からなるチャンバ４を備える。インナーチャンバ１２は薄肉円筒状の放熱部１２ａと、この放熱部１２ａの上端側に一体に形成された温調部１２ｂを備える。温調部１２ｂにはシーズヒータ３１が取り付けられている。アウターチャンバ１１の排気口１１ｃと対向して、インナーチャンバ１２の放熱部１２ａに排気貫通孔１２ｃが設けられている。インナーチャンバ１２の温調部１２ｂには排気貫通孔１２ｃの上方に相当する部位に熱電対３５が取り付けられている。この熱電対３５の検出する温度に基づいて、シーズヒータ３１の発熱量が制御される。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 パーティクルの発生を、より良く抑制することが可能な基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを用い、被処理体に対する処理エリアを制限しながら被処理体に対して処理を行う基板処理方法であって、加熱機構を有した載置台上に、被処理体を載置する工程（ｔ１）と、加熱機構を用いて、載置台に載置された被処理体を目標加熱温度まで加熱する工程（ｔ２）と、目標加熱温度に達した被処理体に、被処理体に対する処理エリアを制限するクランプリングを接触させる工程（ｔ３、Ａ）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理装置を用いて基板に対してシリコンの成膜処理例えばシリコンのエピタキシャル成長を行う場合にパーティクル汚染を低減することのできる技術を提供すること。
【解決手段】予めシラン系のガスにより反応管１内及びウエハボート２１にシリコン膜３をプリコートし、次いで、ウエハＷを反応管１内に搬入した後、混合ガス（ＨＦ＋ＮＨ_３）によりウエハＷの表面の自然酸化膜を除去し、その後シラン系のガスによりウエハＷに対してエピタキシャル成長処理を行う。混合ガスを供給する第３のインジェクタ１４の開口端１４ａの高さ位置は、反応管１内にプリコートされたシリコン膜よりも上方位置となるように設定されている。これにより、混合ガスによって反応管１がエッチングされ、パーティクルが発生することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】円筒状の基材の外周面を容易に且つ精度良く処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、真空容器５内に立設された円柱状のカソード電極７とこの外周面と内周面とが対向するように配置された円筒状の防着部材１４とを有している。電極７の外周部には処理対象物である円筒状の基材１１が配置される。基材１１の内径寸法は電極７の外径寸法と略同じに設定されており、基材１１の内周面と電極７の外周面とはほぼ密着する。真空容器５内にエッチングガスを導入し、電極７に高周波電力を供給すると電極７と防着部材１４との間にプラズマが形成される。これにより、マスクパターンに覆われていない基材１１の表面が垂直にエッチングされて基材１１自身の表面全体に凹凸パターンが均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化や処理負荷の増大等を招くことなく、被処理基板の表面に対する分子汚染を有効に抑制する。
【解決手段】被処理基板２１がセットされるテーブル部２０と、前記被処理基板２１の一面側を覆う板状部材３１を有するとともに当該被処理基板２１と接触せず当該被処理基板２１との間隔が当該被処理基板２１の二次元代表寸法の１／１０００以下の大きさとなる位置に前記板状部材３１を配するカバー部３０と、前記テーブル部２０および前記カバー部３０を内蔵する減圧チャンバ室１０と、を備えて基板処理装置を構成する。そして、前記被処理基板２１と前記板状部材３１との間隙と当該間隙を除く当該減圧チャンバ室１０の内部空間との間で差動排気を成立させつつ当該減圧チャンバ室１０内を減圧し、前記減圧チャンバ室１０内が所定圧まで減圧された後に、前記被処理基板２１と前記板状部材３１とを離間させるようにする。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

高周波電圧によって駆動される第１の電極と、定電圧であるグラウンド電圧を有する第２の電極との間に形成される体積Ｖの電気的に陽性なプラズマ内に浮遊しているサンプル内の、ナノ粉末の粒子の平均表面半径ｒ_Ｄ及び／又は密度ｎ_Ｄを求める方法であって、Ｖ_ＲＦは、プラズマ内に粉末が存在する場合の、第１の電極を駆動する高周波電圧ＲＦの測定時間ｔにおける振幅であり、Ｖ_{ＲＦ（０）}は、プラズマ内に粉末が存在しない場合の、第１の電極を駆動する上記高周波電圧の振幅であり、Ｖ_ＤＣは、プラズマ内に粉末が存在する場合の、時間ｔにおける第１の電極の自己バイアス電圧であり、Ｖ_{ＤＣ（０）}はプラズマ内に粉末が存在しない場合の第１の電極の自己バイアス電圧であり、ΔＡ_Ｂは、粉末が存在しない状況に対する、粉末が存在する場合の時間ｔにおける第２の電極の表面積の変動であり、ｎ及びＫの値は、実験データから、ｒ_ＤがΔＡ_Ｂ及びＶ_ＲＦの関数である曲線をトレースすることによって、較正によって求められ、その実験データは、Ｖ_ＲＦ、Ｖ_{ＲＦ（０）}、Ｖ_ＤＣ及びＶ_{ＤＣ（０）}を測定することによって、かつその曲線に回帰法を適用することによって、既知の粒径を有する粉末から得られる。
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【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Ｗを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器６と、前記処理容器内を減圧する減圧手段３と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段２と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段４と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段３０と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第１の温度制御手段５１と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置１。 （もっと読む）

【課題】異物の発生を抑制して信頼性を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部の処理室内に配置された試料台上に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記処理室と連通して水平方向に接続されこの処理室内のガスが通る排気用の空間と、この空間に連通し前記排気されるガスが排出される排気口と、この排気口と連通して配置され前記ガスを排気するためのポンプと、前記排気用の空間の内部で前記処理室との接続部と前記排気口との間に配置されこれらの間を結ぶ方向に沿って延びる板部材であって、前記試料台の上面からの見込み角外に配置された板部材とを備えた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板へのパーティクルの付着や被処理基板へのダメージを防止することができる被処理基板の除電方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１内に配置されてウエハＷを載置する載置台１２とを備え、該載置台１２は、載置されたウエハＷの裏面に接触して当該ウエハＷを静電吸着する静電チャック２１と、該静電チャック２１からウエハＷの裏面に向けて伝熱ガスを噴出する外周部伝熱ガス供給系２５を有し、裏面に負の電荷が蓄積され且つ表面に正の電荷が蓄積されているウエハＷを除電する際、まず、プラズマＰ中の電子によってウエハＷの表面の正の電荷を中和し、その後、外周部伝熱ガス供給系２５からウエハＷに向けてイオン化ガスを供給し、イオン化ガス中の陽イオンによってウエハＷの裏面の負の電荷を中和する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、酸化膜を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱することにより、脆化領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、支持基板に貼り合わされた単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加して第１のエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも表面の一部を溶融した後、凝固させ、単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加することなく第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する装置であって、複数の電極３１を電極３１の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極３１の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材３５を配置する。各電極端支持部材３５にて、各電極３１の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 （もっと読む）