【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

真空中に配置される際，脱ガス処理をする基板（１）を処理する方法は，真空中上記基板を配置し，ある温度Ｔ１まで上記基板を加熱し，脱ガス速度が上記基板の汚損の拡散により決定され，かくして定常状態が確立されるまで，上記基板（１）から発せられるガス状コンタミネーションを除去し，脱ガス処理を実行する。その後，基板の汚損物の拡散速度が，温度Ｔ１におけるそれよりも低いある温度Ｔ２に温度は低下させられる。上記基板（１）は，金属を含むフィルム（１６）で覆われるまで，上記温度Ｔ２において更に処理される。
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【解決手段】入口ロードロックチャンバのなかに、ウエハが提供される。入口ロードロックチャンバのなかに、真空が形成される。ウエハは、加工ツールへ搬送される。加工されたウエハを提供するために、ウエハは、プロセスチャンバにおいて加工され、該加工は、ウエハ上にハロゲン残留物を形成する。ウエハの加工後、プロセスチャンバにおいて脱気工程が提供される。加工されたウエハは、脱気チャンバのなかへ移される。加工されたウエハは、脱気チャンバにおいて、ＵＶ光と、オゾン、酸素、又はＨ₂Ｏの少なくとも１つを含むガス流とによって処理される。ガス流は、停止される。ＵＶ光は、停止される。加工されたウエハは、脱気チャンバから取り出される。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された自然酸化膜の除去効率の低下を抑制可能な基板処理方法、及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを用いてアンモニアフッ化物を生成し、このアンモニアフッ化物をシリコン基板の表面に供給して該シリコン基板の表面に形成された酸化膜を除去する。この酸化膜の除去方法は、シリコン基板を収容する真空チャンバ２０に接続されたマイクロ波アプリケータ１０の放電管１０ａに窒素ガスを導入し、この窒素ガスにマイクロ波を照射して該窒素ガスを励起させる工程と、真空チャンバ２０内にて励起された窒素ガスに三フッ化窒素ガスと、アンモニアガス及び水素ガスの少なくとも一方とを混合して前記アンモニアフッ化物を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】加工物の表面のすべてに隣接して均一な密度を有するプラズマを提供し、一連の加工物を順次処理するために、均一密度のプラズマを一貫して再現することができるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システム（１０）の処理チャンバ（１２）内に、加工物を収容する基板サポート（６４）が設けられている。処理ガスからプラズマを生成するために、プラズマ励起源に動作可能に接続されるパワー電極が基板サポートの一側に配置され、反対側には接地電極が配置され、加工物に対して垂直な電場が生成される。チャンバ内における処理ガスの均一な分配と加工物の対称的な配置は、加工物（５６）に隣接してイオンの均一な密度のプラズマを提供する。処理システム制御（３０４）は、システムの動作を自動化し、処理ガスのフロー、チャンバの排気、およびプラズマ励起パワーの印加を制御して、処理サイクルの長さを最小限に抑え、プラズマ処理の均一性を最適化する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理室で塩素系のガスを用いてドライエッチングなどの基板処理を行い、続いて同一の処理室内で炭化水素を含む混合ガスのプラズマ、例えばＣ２Ｈ４とＡｒの混合ガスのプラズマにより基板上の残留塩素を除去（Ｓ４）した後、処理済の基板をロードロック室に搬送して大気開放し、取り出す。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト及びエッチング残渣の除去方法
【解決手段】方法は、プラズマアッシングに対し先行する誘電層のプラズマエッチングの間形成されたフォトレジスト残り及びエッチング残渣を取り除くことを提供する。アッシング方法は、酸素含有ガスを含み、基板からフォトレジスト残りとエッチング残渣のかなりの量を除去するため低バイアスもしくはゼロバイアスを基板に印加する第１のクリーニングステップと、加えてチャンバ表面からの不利益なフルオロカーボン残渣をエッチングし除去する２ステッププラズマを使用する。増加されたバイアスは、フォトレジストの残りと、エッチング残渣を基板から除去するために第２のクリーニングステップにおいて基板に印加される。２ステッププロセスは、従来の１ステップアッシングプロセスに共通に観察されるメモリー効果を減らす。終点検出の方法は、アッシングプロセスをモニタするのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット領域内の基材表面の少なくとも一部において金属酸化物を除去し及び／又は半田接合を形成するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数の半田バンプを有する層を含む基材において金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置であって、１つ又は複数の通電電極を用意し、前記層及び半田バンプの少なくとも一部を前記通電電極にさらすことによって金属酸化物を還元し及び半田接合を形成する方法及び装置が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】半導体処理チャンバにおいて基板を処理するために複数の処理流体を供給する装置を開示する。装置は、複数の処理流体供給弁と、交差弁と調整供給弁との間に画成された流体供給ネットワークとを含む。装置は、更に、調整供給弁を介して流体供給ネットワークに接続されている調整流体供給部を含む。更に、装置と共に、複数の処理流体供給弁を介して流体供給ネットワークに接続された複数の処理流体が含まれる。更に、装置には、基板支持部を有する処理チャンバが含まれる。処理チャンバは、更に、縁端流体供給部と中心流体供給部とを含み、縁端流体供給部は、縁端有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続され、中心供給部は、中心有効化弁を介して流体供給ネットワークに接続される。交差弁、縁端有効化弁、及び中心有効化弁により、調整流体又は処理流体の一方を、縁端流体供給部又は中心流体供給部の一方へ流動させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減するとともに、高精度にマスクの位置を決めるマスク位置合わせ機構及びこのようなマスク位置合わせ機構を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】マスク位置合わせ機構は、基板搬送の際に上下動可能、且つ４つのテーパピンが形成された基板ホルダ７と、それぞれのテーパピンを挿入可能な溝３７が形成されたマスク３１を有して構成されており、テーパピンは、基板を挟んで対峙して配設された長いテーパピン３５ａと短いテーパピン３５ｂの一対ずつからなり、長いテーパピンと短いテーパピンにそれぞれ形成されているテーパ面は異なる高さに位置している。 （もっと読む）

本発明は、表面が酸化ケイ素の層で覆われているシリコン基板の表面の洗浄方法を提供する。この方法は、上記表面をフッ素化ガスから発生させた高周波プラズマに60秒〜900秒からなる時間暴露させ、上記プラズマによって発生させた出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、上記フッ素化ガスの圧力が1.333Pa〜26.664Pa (10ミリトール〜200ミリトール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップa)；および、上記表面を水素高周波プラズマに5秒〜120秒からなる時間暴露させ、出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、水素圧が1.333Pa〜133.322Pa (10ミリトール〜1トール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップb)を含む。 （もっと読む）

【課題】基板から残留物を除去する装置および方法を提供する。
【解決手段】基板から残留物を除去する方法を開示する。この方法においては、まず、誘電体層と、パターンが形成され該誘電体層を覆うマスク層とを有する基板がプラズマ処理システムに配置される。ここで、マスク層にはパターンが形成されており、このパターンを誘電体層に転写するのに使用されるエッチング処理の結果として、このパターンに対応した幾何形状が誘電体層に形成される。この幾何形状は、エッチング処理に起因する第１の粗さを有する側壁を含んでいる。二酸化炭素および一酸化炭素を含む処理ガスがプラズマ処理システムへ導入され、処理ガスからプラズマが生成される。基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第１の粗さよりも小さい第２の粗さが生成される。 （もっと読む）

【課題】電極の位置決めが正確且つ容易にでき、且つ放電空間の形状の変形を抑制したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向配置した複数の被覆電極３によって形成される空間を放電空間４とし、被覆電極３の外面に放熱器６を配設したプラズマ処理装置Ａにおいて、被覆電極３及び放熱器６に連通する位置決め用孔Ｂを穿孔した。この位置決め用孔Ｂにボルト７１を挿通することで、被覆電極３の位置決めが正確且つ容易に実現される。また、ボルト７１の頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３を配設した。これにより、頭部７１ａと放熱器６との間に、コイルばね７３の弾性力による遊びを持たせることができ、被覆電極３が変形する余地を持たせることができる。従って、コイルばね７３を用いずに被覆電極３などを固定したときと比較して、被覆電極３の変形の不均一さが抑えられ、放電空間４の形状の変形を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】分解しようとするガスが分解されずに排出される可能性を極力抑制しつつ、ガス分解器の能力を限界付近まで使用することでその寿命を長くすることができるガス分解システムを提供すること。
【解決手段】ガス分解システム４０は、オゾンガスが供給されるチャンバ１１内からオゾンガスを排気する排気配管３１に設けられ、オゾンガスを分解するオゾンキラー４１と、オゾンキラー４１の途中から分岐する分岐配管４２と、分岐配管４２に設けられたオゾンガスの濃度を検出するオゾンセンサ４３と、オゾンセンサ４３が検出したオゾンガスの濃度をモニタするモニタ部５１ａとを具備し、モニタ部５１ａによりモニタされたオゾンガスの濃度からオゾンキラー４１が寿命に達したか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】被処理体に形成された自然酸化膜を除去することができる被処理体の処理方法、処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 熱処理装置１の制御部１００は、自然酸化膜が形成された半導体ウエハＷを収容した反応管２内を４００℃に加熱する。反応管２内が４００℃に加熱されると、制御部１００は、処理ガス導入管１７から、塩素を含む処理ガスを供給することにより処理ガスに含まれる塩素を活性化させる。この活性化された塩素が半導体ウエハＷに供給されることにより、半導体ウエハＷに形成された自然酸化膜が除去される。 （もっと読む）

【課題】基板上へのパーティクルの付着を効果的に防止することが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ等の被処理体の端部に付着した物質を迅速且つ確実に除去することができ、しかもチャンバ内の各部品のプラズマによる損傷を防止することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理方法は、上部電極５に第１の高周波電力を印加してプラズマを発生させると共に第１の高周波電力より周波数の低い第２の高周波電力をウエハＷの下部電極４に印加するプラズマ処理装置１を用いて、下部電極４上に載置されたウエハＷの端部に付着した堆積物Ｄを酸素ガスのプラズマによって除去する際に、酸素ガスの圧力を４００〜８００ｍＴｏｒｒに設定し、下部電極４からウエハＷを離した状態で上部電極５によって酸素ガスをプラズマ化することを特徴とする （もっと読む）