【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める装置と方法を提供する。
【解決手段】処理ガスをウエハ１に供給してウエハ１の上に膜をＣＶＤ法によって形成する成膜装置は、複数のウエハ１を互いに上下方向に離間して保持するボート２と、ウエハ１およびボート２を収容する処理室１２と、ウエハ１を加熱するホットウオール形構造のヒータ１４と、処理室１２内に処理ガスを供給するガス供給管２１と、処理室１２内の雰囲気を排気する排気管１６と、ウエハ１の処理中にウエハを回転させるためにボート２を回転させる回転軸１９とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電極パッド表面に触れること無く、電極パッド表面の酸化被膜を除去することができる、半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去方法および半導体の電極パッド表面の酸化被膜除去装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、半導体と、上記半導体と所定の間隔に平板電極を配置し、さらに、上記半導体と上記平板電極の間に上記半導体に設けられた電極と相対する位置に穴が設けられたメッシュ電極を配置し、チャンバ内を所定のガス雰囲気状態とし、上記平板電極と上記メッシュ電極に電圧を加えて上記平板電極と上記メッシュ電極の間にプラズマを発生させ、上記メッシュ電極に設けられた穴を通じて上記プラズマを上記電極へと誘導し、誘導されたプラズマによって上記電極の表面の酸化被膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止し、かつ処理ムラを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。誘電部材６０には複数の噴出導孔６１を形成する。接地電極４０には上記複数の噴出導孔６１の合計開口面積より大きな開口面積を有する噴出口４１を形成する。複数の噴出導孔６１を共に１つの噴出口４１に連ねる。噴出口４１は、好ましくは噴出導孔６１の並び方向に延びる長穴状にする。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。
【解決手段】基板３００の表面に露出したシリコン表面にシリコン系の堆積膜を選択成長させる基板処理方法において、基板を処理室２０１内に搬入する工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第１の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともシラン含有ガス、又は、シラン含有ガス及びゲルマン含有ガスを供給して前記基板３００に堆積膜を成長させる工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第２の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともエッチングガスを供給して表面に露出したシリコン表面以外の部分をエッチングする工程と、を有する基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】カバーの破壊等を生じさせることなく、載置された被処理基板の汚染を少なくすることができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内において被処理基板Ｗを載置する基板載置台５を備えている。基板載置台５は、ＡｌＮからなる載置台本体５１と、載置台本体５１内に設けられた基板加熱用の発熱体５６と、載置台本体５１の表面を覆う石英製の第１のカバー５４と、被処理基板Ｗを昇降させる複数の昇降ピン５２と、載置台本体５１内で昇降ピン５２が挿通される複数の挿通孔５３と、第１のカバー５４の挿通孔５３に対応する位置に形成された複数の開口部５４ａと、開口部５４ａに露出する部分および挿通孔５３内面の一部または全部を覆うように、第１のカバー５４とは別体として設けられた石英製の第２のカバー５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部を形成する基板処理方法において、マスク層の厚さを増大させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＮ膜５１、ＢＡＲＣ膜５２及びフォトレジスト膜５３が順に積層され、フォトレジスト膜５３はＢＡＲＣ膜５２の一部を露出させる開口部５４を有するウエハＷを処理する基板処理方法であって、デポ性ガスであるＣＨ_３ＦガスとＳＦ_６ガスの混合ガスから生成されたプラズマによって開口部５４を有するフォトレジスト膜５３の上部表面にデポを堆積して厚さを増大させるマスク層厚さ増大ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】いかなる濃度イオン注入がなされているレジストであってもアッシングできるようにする。
【解決手段】チャンバー７によって、レジストが塗布されているウェハに紫外光を照射する。チャンバー５によって、ウェハをオゾンガスに接触させてアッシングする。チャンバー６によって、レジストの成分に対応する半導体ガスを接触させる。チャンバー７によって、紫外光を照射したウェハに対してオゾンガスを接触させる。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置を構成する部材に蓚酸系陽極酸化処理を施すことにより、前記部材からの微粒子の発塵を抑制する。
【解決手段】ウエハを真空処理する複数の真空処理室７と、該各真空処理室にウエハを搬入出する真空搬送手段８を備えた真空搬送容器６と、前記各真空処理室にウエハを搬入出するための大気雰囲気あるいは真空雰囲気に切り替え可能なロードロック室９と、ウエハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段１０と、該カセット載置手段上の任意のカセット内からウエハを抜き取れるように構成された大気搬送手段４とを備え、前記任意のカセット内のウエハを前記大気搬送手段及び前記切り替え可能なロードロック室並びに前記真空搬送手段を介して各真空処理室に搬入し、前記各真空処理室で真空処理された処理済ウエハを搬出する真空処理装置において、前記真空搬送容器６を構成する部材の内表面には蓚酸を用いた陽極酸化処理を施した。 （もっと読む）

【課題】処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための一対の電極３，４とが設けられた平板状の絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。上記一対の電極３、４は層状に形成されて上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向で対向して両方とも絶縁基材１に埋設される。上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向において下流側の電極３の周端部を上流側の電極４の周端部よりも外側に突出させる。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の適切な終点を検知することが可能な、プラズマ処理を行う方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。プラズマアッシングの開始によりチャンバ内の圧力が上昇して、チャンバ内の圧力を調整するためにＣＶバルブの開度が調整される。工程Ｓ１０９では、エッチング装置では、ＣＶバルブの開度を示す信号の変化を検知するために、この信号の微分演算又は差分演算を行う。微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。プラズマ処理の終点では、反応物の生成が減少するので、ＣＶバルブの開度を示す信号に変化が生じてアッシングが終点に近づくとチャンバ内の圧力が減少し、微分値は大きく変化する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のための複合シャワーヘッド電極アセンブリ
【解決手段】プラズマ処理装置のためのシャワーヘッド電極は、電極板及びバッキング板の向かい合う面の間に界面ゲルを含む。界面ゲルは、熱膨張係数の不一致に起因して温度サイクル中に発生する側方変位の際に熱伝導性を維持する。界面ゲルは、例えば、酸化アルミニウムミクロスフェアを充填されたシリコーンベースの複合材料を含む。界面ゲルは、不規則な形状の特徴に適合するとともに、合わせ面間の接触表面積を最大にすることができる。界面ゲルは、消耗上部電極に事前に塗布等により付着することができる。 （もっと読む）

本発明は、ガリウムで汚染された層（１２０），（２２０）の電子ビーム誘起エッチング方法に関する。本方法は、エッチングガスとして、少なくとも１種類の第１ハロゲン化合物を、電子ビームが層（１２０），（２２０）に衝突する位置に供給する方法ステップ、および、ガリウムを同位置において除去する前駆体ガスとして、少なくとも１種類の第２ハロゲン化合物を供給する方法ステップ、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】エッチング後のフォトレジストの剥離において、残渣による基板の汚染を防止し、残渣除去のための工程やコストを削減することが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチング方法は、フォトレジスト層をマスクとして用いた基板のエッチングにおいて、基板上に、中間層を設ける工程Ａと、中間層上に、フォトレジスト層をパターン形成する工程Ｂと、フォトレジスト層を介して中間層をパターニングする工程Ｃと、フォトレジスト層及び中間層をマスクとして、基板に対してエッチングを行う工程Ｄと、フォトレジスト層上に、剥離層を設ける工程Ｅと、剥離層を剥がすことで、同時にフォトレジスト層及び中間層を基板から剥離する工程Ｆと、を順に有し、少なくとも工程Ｆの時点において、剥離層とフォトレジスト層との界面αにおける粘着力が、基板と中間層との界面βにおける粘着力よりも高くなるように、中間層及び剥離層を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板５を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板５の表面から金属不純物を除去する第１の清浄化工程と、前記酸化物基板５の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板５の表面から有機系不純物を除去する第２の清浄化工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）