【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー（Ｗ）と処理時間（秒）の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】ミスト成分が十分に除去された液体原料の蒸気を生成することが可能なバブリング装置を提供する。
【解決手段】バブリング装置１０は、液体原料１７を収容する容器１１と、液体原料１７が供給される液体原料供給口１２と、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給口１３と、容器１１内のガスを排出するガス排出口１４と、キャリアガスを用いて液体原料１７をバブリングさせる下部フィルタ１５と、バブリングによって得られた液体原料１７の蒸気を含むキャリアガスから液体原料１７のミスト成分を除去する上部フィルタ１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に微粒子がめり込むのを防止できる基板脱着方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板を内蔵し、該静電電極板に印加される直流電圧に起因して生じる静電気力によってウエハを吸着する静電チャックと、吸着されたウエハＷ及び静電チャックの間の伝熱間隙にヘリウムガスを供給する伝熱ガス供給孔とを備える基板処理装置において、静電電極板に印加される直流電圧を徐変させながら上昇させる際、直流電圧の上昇に応じて伝熱間隙へ供給されるヘリウムガスの圧力を段階的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理室を有しかつラダープログラムで工程が制御される真空処理装置で、工程管理、各種機器の進捗確認について可視性を向上させ、工程管理と進捗確認を容易に行える真空処理装置とその制御方法等を提供する。
【解決手段】この真空処理装置１１１は、制御用コンピュータ１１０と処理室１１４を備え、処理室の動作が制御コンピュータに用意されたラダープログラム５１に従って制御され、処理室はＰＬＣ５４を備え、制御データは制御用コンピュータから通信手段を経由してＰＬＣに与えられ、ラダープログラムは予め制御用コンピュータ上でテーブル化され、テーブル化された制御データはＰＬＣの記憶領域に書き込まれ、ＰＬＣは、記憶領域に書き込まれた制御データを分解し、処理室が必要とする入力および状態に係るデータを取り込み、取り込んだデータに基づいて処理動作に関係する進行条件の判定を実行し、処理室での処理動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来技術ではデュアルダマシン構造Ｖｉａ工程のＬｏｗ−Ｋ膜エッチング後の孔底部のエッチングにおいて、ストッパ膜のエッチングが進行しない課題があった。
【解決手段】本発明はプラズマエッチングするデュアルダマシンプロセスにおいて、デュアルダマシンプロセスのＶｉａ加工方法は、Ｖｉａパターニングされた上層レジスト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングする第１ステップと、上層レジスト膜及び反射防止膜をマスクとして下層レジスト膜をエッチングする第２ステップと、下層レジスト膜をマスクとして前記Ｌｏｗ−Ｋ膜をエッチングする第３ステップと、ストッパ膜のエッチング前にプラズマ処理を行う第４ステップと、ストッパ膜をエッチングする第５ステップとを有することである。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に活性化する。
【解決手段】表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。処理ユニット８１は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１２０と、処理容器１２０内にラジカルを供給するラジカル供給口１３１と、ラジカル供給口１３１の下方に設けられ、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置して熱処理する熱処理板１４０と、処理容器１２０内をラジカル供給口１３１側のラジカル供給領域Ｒ１と熱処理板１４０側の処理領域Ｒ２に区画するように設けられ、ラジカルをラジカル供給領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に導入させるラジカル導入板１５０と、備えている。 （もっと読む）

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【目的】
専用の装置を必要とすることなく工程数を低減した半導体素子製造方法を提供する。
【構成】
ウエハ状の基板に少なくとも１つの半導体素子を製造する半導体素子製造方法であり、前記基板のウエハ表面上に少なくとも１層の膜をこれに対応する成膜材料を用いて成膜する成膜ステップと、当該成膜がなされたウエハ表面に不活性ガスを供給しつつ、当該成膜がなされたウエハの周囲に前記成膜材料に適合するエッチングガスを供給することによって、前記ウエハ表面以外のウエハ部分の膜除去を行う膜除去ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。
【解決手段】塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマチャンバの部品のための留め具アセンブリ。留め具アセンブリは、ツール係合ソケットを有するボルトと、ボルトの貫通穴に収まるバネ付勢ピンと、を備える。利用される際、バネ付勢ピンは、ソケットの空間を実質的に埋めることにより、ピンおよびボルトの対向面の間の空間に寄生プラズマが形成されることを防止する。六角レンチなどのツールがソケットに挿入されると、バネ付勢ピンが引っ込んで、ツールは、ボルトのねじ山を下側部品のネジ切り穴と係合させることによって上側部品を下側部品に取り付けるためにボルトを回転させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をＨＦガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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【解決手段】回転式シャッタを有するＵＶランプアセンブリ。各回転式シャッタは、反射性の陥凹面を伴う凹面壁を有する。回転式シャッタは、開位置と閉位置との間で一体的に回転させることができる。回転式シャッタは、開位置では、ＵＶランプのＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻まない一方で、閉位置では、ＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻む。 （もっと読む）

【課題】異物あるいは金属汚染の発生を抑制し、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】所定の圧力に減圧排気される処理室と、該処理室内に配置され、試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、前記吸着装置と該吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマ用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記吸着装置２の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分を保護するリング状の保護カバー１１８を備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたＶ字型の切欠き４００に間隔を空けて嵌合するＶ字型の張り出し４０１をリングの内周側に備えた。 （もっと読む）

【解決手段】 基板処理装置と、基板保管手段と、基板搬送手段と、基板処理装置、基板保管手段及び基板搬送手段に機能的に関連付けられている製造実行システムとを備えた半導体製造設備内の基板を取り扱う装置において、
−搬送手段により搬送され、保管手段内に保管される少なくとも１つの基板保管及び搬送箱と、
−基板保管及び搬送箱の内部雰囲気を形成するガスのための少なくとも１つのガス分析装置であって、保管及び搬送箱内に存在して分子汚染を作り出し得る臨界ガスの量を表す分析信号を生成するガス分析装置と、
−搬送手段及び保管手段を制御する実行装置であって、ガス分析装置から発せられた分析信号に応じて、分子汚染除去の必要性を検出するための命令を備えた実行装置とを備えている装置。 （もっと読む）

【目的】Ｃｕ配線寿命の劣化と絶縁膜の絶縁性劣化を共に低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、チャンバ内面にシリコン（Ｓｉ）膜を表面層とする多層膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記多層膜が内面に形成されたチャンバ内に、表面に銅（Ｃｕ）配線と絶縁膜とが形成された基板を配置して、希ガスプラズマ処理を行なう工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 （もっと読む）