【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、堆積性のガスを用いたプラズマ処理において、被処理体の処理枚数の増加による異物を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、処理室内に導入された堆積性ガスからプラズマを生成し、当該処理室内に設けられた試料台上に載置される被処理体を、高周波電力を印加した状態で前記プラズマに曝すことにより前記被処理体のエッチングを行うプラズマ処理方法において、前記被処理体を前記プラズマに曝す第一の期間と、前記被処理体を前記プラズマに曝し当該第一の期間よりも前記被処理体に対するエッチングレートの低い第二の期間とを繰り返すことにより、前記処理室内壁面への堆積膜がアモルファスになるエッチング条件で前記被処理体をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
試料への汚染を抑制して処理の効率を向上させたプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置された処理室内部に備えられその上方に処理対象の基板状の試料が載せられる試料台を有し、前記処理室内に生成したプラズマを用いて複数枚の前記試料を連続して処理するプラズマ処理装置であって、前記試料の処理の間の時間に前記試料台の温度を前記試料の処理中の温度より高い所定の値に調節するプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板背面に形成された各種異物を取り除くためのプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、非反応性ガスが噴射される第１電極３０と、第１電極３０との離隔を調整可能であり、基板５０を支持する基板支持台２０と、基板支持台２０と離隔配置され、電源７０が印加されて反応性ガスが噴射されて、基板支持台２０によって支持された基板５０との間にプラズマを生成させる第２電極４０と、により構成される。基板支持台２０は、少なくとも一つのアーム２１を備え、基板の安定した搭載を保障する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を確実に除去して半導体装置の欠陥発生を低減する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜の上に、絶縁膜と、反射防止膜と、レジスト膜とを順番に形成する。レジスト膜を用いて反射防止膜と絶縁膜をエッチングし、絶縁膜からハードマスクを作成する。この後、ラジカル照射によってレジスト膜と反射防止膜を除去する。ラジカル照射は、基板温度を１００℃、１５０℃、２５０℃と順番に上昇させながら行う。基板温度が低い初期段階では、反射防止膜の膜材料の飛散防止と、反射防止膜の表面に残留する他の物質の除去が行われる。この後、基板温度を高くすることで、反射防止膜が確実に除去される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの表面に膜を成長させる技術であって、半導体装置を効率よく製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、チャンバ内に配置された半導体ウエハの表面に膜を成長させる動作と、チャンバ内に配置された半導体ウエハと前記膜とをエッチング可能なエッチングガスをチャンバ内に導入する動作とを実行可能な半導体製造装置のチャンバ内に半導体ウエハを搬入する搬入工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第１エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第１成膜工程と、チャンバから半導体ウエハを搬出するとともに、チャンバに別の半導体ウエハを搬入する入れ換え工程と、チャンバ内に前記エッチングガスを導入する第２エッチング工程と、チャンバ内の半導体ウエハの表面に膜を成長させる第２成膜工程を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザを用いて被処理物に対するより効果的な処理が可能となるレーザ処理装置及び方法を提供することである。
【解決手段】液体の存在のもとで被処理物１００の表面にレーザビームを照射して当該被処理物を処理するレーザ処理装置であって、気体供給機構３４と、液体に前記気体供給機構からの気体を加えて気体含有液を生成する気体含有液生成機構３６、３８、３９と、処理槽１１内において、少なくとも被処理物１００の処理すべき部位を前記気体含有液生成機構からの気体含有液が満たされた状態を形成する処理状態形成機構１５ｃとを有し、前記気体含有液が満たされた状態の被処理物１００の表面の処理すべき部位に前記レーザビームを照射する構成となる。 （もっと読む）

【課題】試料が処理室内に搬入され、プラズマ処理され、処理室内から搬出されるまでの中で処理室内での圧力変動により生じる異物巻上げ等による異物を低減する。
【解決手段】試料を処理する複数のプラズマ処理室と、それぞれの処理室内に連結され試料を搬送するための搬送室を有し、両室内もしくは処理室内のみに搬送室に供給する搬送用ガスと同じガスを供給する供給システムを具備するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、処理室内への搬送用ガス導入後処理室内に試料を搬入する工程（イ）、その後処理室内の搬送用ガス導入維持状態で処理室内の搬送用ガスを利用してプラズマ発生させる工程（ウ）、このプラズマ維持状態で搬送用ガスを排気することなく処理室内に連続してプロセスガスを供給して搬送用ガスからプロセスガスへ切り替える工程（エ）、試料にプラズマ処理を行う工程（オ）、を有する。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上に形成された誘電体膜１０２の一部を誘電体膜１０２の表面から所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程により誘電体膜１０２がエッチングされた第１のエッチング領域１１において誘電体膜１０２をエッチングしてＧａＡｓ基板１０１の表面を露出し、かつ、第１のエッチング領域１１を包含する第２のエッチング領域１２において第１のエッチング領域１１以外の領域に配置された誘電体膜１０２を所定の膜厚までエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Ｔが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Ｐが付着したウエハＷを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハＷの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターＣをウエハＷの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターＣの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群Ｔ及び複合化合物Ｐを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターＣの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハＷへの再付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】被処理物が有機物にて汚染されている場合でも、シリコン含有物を効率良くエッチングする。
【解決手段】原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間２３に導入してエッチングガスを生成する（生成工程）。エッチングガスを、温度を１０℃〜５０℃とした被処理物９０に接触させる（エッチング反応工程）。原料ガスは、フッ素含有成分と、水（Ｈ_２Ｏ）と、窒素（Ｎ_２）と、酸素（Ｏ_２）と、キャリアガスを含む。原料ガス中の窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量（Ａ）とフッ素含有成分の体積流量（Ｂ）との比は、（Ａ）：（Ｂ）＝９７：３〜６０：４０である。原料ガス中の窒素と酸素の合計体積流量は、窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量の２分の１以下である。窒素と酸素の体積流量比は、Ｎ_２：Ｏ_２＝１：４〜４：１である。 （もっと読む）

【課題】洗浄またはエッチングにより面を洗浄、活性化することを含む低温または室温で結合する方法を提供する。
【解決手段】方法は、シリコン、シリコン酸化物およびＳｉＯのような材料の室温化学結合をなすように可逆的反応を防ぐために界面高分子化の副産物を除去することを含む。結合すべき面は、滝度合の平滑性および平坦性に研磨される（２）。ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。表面粗さおよび平坦性は、落ちず、かつＶＳＥプロセスにより増加される。エッチング面は、水酸化アンモニウム、フッ化アンモニウムのような溶液でリンスされ、前記面上の望ましい結合化学種の形成を助長する（４）。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 （もっと読む）

【課題】リング部材の温度を制御することにより、基板裏面への堆積物の付着量を抑えること。
【解決手段】容量結合型のプラズマエッチング装置において、載置台３の基板載置領域３２を囲むように、当該載置台３上にプラズマの状態を調整するためのフォーカスリング５を設ける。また、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、フォーカスリング５に沿ってリング状の絶縁部材６を設けると共に、この絶縁部材６に対してウエハＷの径方向に隣接する位置であって、前記載置台３の上面と前記フォーカスリング５の下面との間に、これら上面及び下面に密着するように伝熱部材７を設ける。プラズマ処理の際、フォーカスリング５の熱は伝熱部材７を介して載置台３に伝熱するので、フォーカスリング５が冷却され、ウエハＷ裏面への堆積物の付着量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに搭載されたＬＥＤ素子を傷付けることなく、プラズマ洗浄するプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】収納装置２内の３つの収納ブロック１０の各収納溝１３内に複数枚のリードフレーム３が収納されて開閉扉が閉じた状態で、プラズマ洗浄装置１において真空状態にされたチャンバー１Ａ内にプラズマ反応性ガスを供給すると共に、一対の電極のうちの一方に高周波電源により高周波を印加して前記反応性ガスをプラズマ化して前記リードフレーム３を洗浄する。このとき、収納装置２の各収納溝１３内に収納された状態の各リードフレーム３は各マグネット１４の磁力により下方に引かれて垂直状態に自立するので、傾いて各リードフレーム３は上端部が互いに近くなったり、逆に遠くなったりしないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン絶縁層とシリコン基板とを貫通する孔の加工の精度を配線が含まれる領域にて高めることのできるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】ダミー配線１３ｄ，１５ｄの埋め込まれた凹部を有して該凹部の内面にはバリアメタル層１３ｂ，１５ｂが形成されたシリコン絶縁層１３ａ，１５ａを有するシリコン基板１１に対して、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａとシリコン基板１１とを貫通する孔をダミー配線１３ｄ，１５ｄが含まれる領域に形成する。ダミー配線１３ｄ，１５ｄ、バリアメタル層１３ｂ，１５ｂ、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａをエッチングした後にシリコン基板１１をエッチングする。加えて、シリコン基板１１のエッチングを終了する前に、シリコン絶縁層１３ａ，１５ａ及びシリコン基板１１の少なくとも１つを希ガスでスパッタする。 （もっと読む）