【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Ｔｂから上限Ｔｄまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】真空槽に導入されるプラズマと基板との間でプラズマに接する部材がプラズマ中の活性種を失活させることを抑えることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが導入される導入口１２ａを有する真空槽１０と、導入口１２ａと処理の対象物との間でプラズマに接する中間部材と、を備えるプラズマ処理装置について、中間部材を、導入口１２ａの周囲に吊り下げられた金属製の支柱３０と、支柱３０に連結されて導入口１２ａと互いに向かい合う金属製の対向板３１と、から構成する。そして、支柱３０及び対向板３１を、シリコン酸化膜３５により被覆する。 （もっと読む）

【課題】被加工材とレジストのエッチングの選択比を高くすることのできるエッチング方法、、このエッチング方法により加工されたサファイア基板、及び、このサファイア基板を備える発光素子を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法であって、被加工材上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンが形成された前記レジスト膜を所定の変質用条件にてプラズマに曝し、前記レジスト膜を変質させてエッチング選択比を高くするレジスト変質工程と、被加工材を変質用条件と異なるエッチング用条件にてプラズマに曝し、エッチング選択比が高くなった前記レジスト膜をマスクとして被加工材のエッチングを行う被加工材のエッチング工程と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】試料に対して均一なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】試料をプラズマ処理する真空処理室と、前記真空処理室の上面を形成する誘電体窓と、前記真空処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記真空処理室内に配置され前記試料を載置する試料台と、前記誘電体窓の上方に設けられた誘導コイル４ｄと、誘導コイル４ｄに高周波電力を供給する高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、誘導コイル４ｄの下方に配置された平板の導体１２を備え、誘導コイル４ｄは、交差した給電部を有し、導体１２は、前記給電部の下方に配置され、誘導コイル４ｄの給電部の誘導磁場分布を調整して試料上でのプラズマ分布を補正する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台１１２と、試料台１１２の側面の消耗を低減するための試料台保護部材（２０６、２０３、２００）とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材（図面上では２０３）を冷却するための冷却用ガス流路２０５を有する。また、イオンを試料台保護部材２００へ引き込む導体リング２０１や、試料台保護部材２０３と試料１２８との距離を調整する機構（２０４、２５０〜２５２、２６０、１３２）を有する。 （もっと読む）

【課題】特殊な装置を用いることなく、好適なエッチングレートを維持しつつ、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】ＳＦ_６からなるガスに、酸素を添加するとともに、ＳＦ_６に対する流量比を０．２２以上０．６７以下に調整してＳｉｘＦｙで表されるフッ化ケイ素ガスを添加したエッチングガスをプラズマ化して、シリコン層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】矩形基板の外側領域におけるプラズマ分布制御を行うことができる誘導結合プラズマ用アンテナユニットを提供すること。
【解決手段】アンテナユニット５０において、アンテナ１３は、誘導電界を形成する部分が全体として矩形基板Ｇに対応する矩形状平面を構成し、かつ、複数のアンテナ線を渦巻状に巻回してなる第１のアンテナ部１３ａと第２のアンテナ部１３ｂとを有し、第１のアンテナ部１３ａの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの角部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの角部を結合するように設けられ、第２のアンテナ部１３ｂの複数のアンテナ線は、矩形状平面の４つの辺の中央部を形成するとともに、矩形状平面とは異なる位置において、４つの辺の中央部を結合するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、誘電体部材１６、マイクロ波を導入する手段２０ｂ、インジェクタ２２、及び、電界遮蔽部２４ｃを備えている。処理容器は、その内部に処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。誘電体部材は、ステージに対面するように設けられている。マイクロ波を導入する手段は、誘電体部材を介して処理空間内にマイクロ波を導入する。インジェクタは、誘電体製であり、一以上の貫通孔を有する。インジェクタは、例えば、バルク誘電体材料から構成される。このインジェクタは、一以上の貫通孔を有し、誘電体部材の内部に配置される。インジェクタは、誘電体部材に形成された貫通孔と共に処理空間に処理ガスを供給するための経路を画成する。電界遮蔽部は、インジェクタの周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰプラズマ処理装置における誘導磁場分布を調整し試料上でのプラズマ分布を補正して、試料に対して均一なプラズマ処理を行う。
【解決手段】ＩＣＰプラズマ処理装置において、誘導コイル４と誘電体窓１ａの間に、誘導コイルに沿って少なくとも誘導コイルの周方向の一部に併設された導体１２を設け、誘導コイルから導体の表面までの最短距離をＬｒとし、誘導コイルから誘電体窓直下のプラズマまでの最短距離をＬｐとし、誘導コイルからの誘導磁場強度を弱めたい箇所で、Ｌｐ≧Ｌｒの関係を満たす位置に導体を設置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生室を構成するシリコンを含む構成部材に起因するパーティクルが被処理基板に付着することを防止することのできるプラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む構成部材を有し、処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室３０と、隔壁部材４０を介してプラズマ生成室に連通するプラズマ処理室２０と、プラズマ生成室の誘電体窓１３の外側に配設された平面状の高周波アンテナ１４０とを具備したプラズマ処理装置のクリーニング方法であって、プラズマ生成室内で水素ガスを含む処理ガスをプラズマ励起し発生した水素ラジカルを隔壁部材を介してプラズマ処理室に導入し被処理基板に作用させてプラズマ処理を施し、被処理基板を搬出した後、プラズマ生成室内に四フッ化炭素ガスを導入してプラズマ生成室内に堆積したシリコン系の堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】電磁波を入射する入射窓の冷却ムラを抑制し、かつ、冷却に使用する空気流量を減らすことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アンテナ１５からの電磁波をチャンバ内部に入射する入射窓（天井板）を有するプラズマ処理装置において、アンテナ１５の上方に、入射窓（天井板）を冷却する空気を供給する噴出孔３１ａ〜３１ｆを複数設けると共に、噴出孔３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、３１ｅを、アンテナ１５の周囲で密に配置した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成空間から処理空間に進入するプラズマの光エネルギーを低下させ、生産性を向上することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、被処理物を載置する載置部１０３を有する処理容器１０１と、前記被処理物Ｗを処理するためにプロセスガスを活性化してプラズマを生成するプラズマ生成部６と、前記プラズマを生成した空間と前記被処理物を処理する空間７の間に設けられた遮光部８とを備え、前記遮光部は、内壁部に遮光面を持つ開口部を有し、前記プラズマの光が前記遮光面に遮られることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘導結合型のプラズマ処理においてチャンバ内に形成されるドーナツ状プラズマ内のプラズマ密度分布を効率よく任意に制御すること。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。高周波給電部６６の高周波伝送路上に設けられる第１ノードＮ_Aと第２ノードＮ_Bとの間で、中間コイル６０および外側コイル６２には可変の中間コンデンサ８６および外側コンデンサ８８がそれぞれ電気的に直列接続され、内側コイル５８にはリアクタンス素子が一切接続されない。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で均一なプラズマを発生させることができるプラズマ発生装置およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部２と、一端がマイクロ波発生部２と接続された第１の導波管３と、第１の導波管３のマイクロ波発生部２と接続された側とは反対の側に接続された第２の導波管４と、を備えている。第２の導波管４は、円環状のスロット５が設けられたＨ面と、Ｈ面に対して垂直な方向に伸びるＥ面と、を有している。Ｈ面に対して垂直な方向における第１の導波管３の断面寸法Ｌｈ１と、第２の導波管４の断面寸法Ｌｈ２と、は、同じとされ、Ｅ面に対して垂直な方向における第２の導波管４の断面寸法は、第１の導波管３の断面寸法よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】試料の径方向について処理の特性や加工形状の均一さを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置された試料台と、前記処理室の上方に配置され前記プラズマを形成する電界が透過する誘電体製の円形の板部材と、この板部材の上方に配置され内部に前記電界が導入される円筒形の空洞部と、この空洞の上部の中心に連結され上下に延在した内部を前記電界が伝播する円筒形の管路と、この管路の端部に配置され前記電界を発生する発生器とを備え、前記空洞部が前記板部材を底面とする径の大きな円筒形の空洞を有した第１の円筒空洞部とこの第１の円筒空洞部の上方でこれに接続されて配置され径の小さな円筒形の空洞を有した第２の円筒空洞部と、前記第１及び第２の円筒空洞部との間でこれらを接続する段差部とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）