【課題】溶射皮膜の修理頻度を低減することができる載置台およびそのような載置台を用いたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す処理チャンバ内で基板を載置する載置台３であって、基材５と、基材の上に形成され、その上に基板が載置される載置部６′と、載置部６′の周囲に設けられた、分割式のシールド部材７′とを具備し、載置部６′は、シールド部材７′の分割部分に対応する部位を構成するセラミックス部材４３′と、それ以外の部分を構成する、表面にセラミックス溶射皮膜を有する溶射部とからなり、セラミックス部材４３′が交換可能である。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の透過窓の洗浄頻度を低減させる。
【解決手段】ＩＣＰエッチング装置１は、基板２のホルダ５が設けられた処理室３を有し、処理室３の上部には円筒形の透過窓１１が取り付けられている。透過窓１１の内周にはコーティング層２３が形成されており、透過窓１１の外側にはＩＣＰコイル２５が配置されている。基板２のエッチング時には、ＩＣＰコイル２５から電磁波が処理室３内のエッチングガスを励起させてプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンなどは、基板２に到達して基板２上の薄膜をエッチングすると共に、コーティング層２３をエッチングする。コーティング層２３がエッチングされることで、基板２上の薄膜から放出される物質が透過窓１１の内面に付着し難くなる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器２内で保持手段２２に保持された被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜７４の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜７０を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高いイットリアを含む材料でコーティング膜を形成した場合でも、イットリア粒子の脱粒やクラックなどによるコーティング膜の劣化を抑えることができる保護膜を提供する。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、ガス供給部材４１は、第１の径を有し、ガス流方向に延伸するガス流路４２１と、ガス流路４２１の一方の端部に接続され、ガス供給部材４１のガス流の下流側の面４１Ａに設けられる吐出口４２２と、を有するガス供給路４２を備える。吐出口４２２を構成する面の少なくとも一部の面は曲面によって構成される。また、吐出口４２２を構成する面上と、ガス供給部材４１の下流側の面４１Ａ上とにイットリア含有膜５０を備える。 （もっと読む）

【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムが約５５〜８０モル％、酸化ジルコニウムが約５〜２５モル％、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、又はこれらの組み合わせが約５〜２５モル％を含む固溶体を含む表面を有するセラミック含有物品である。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）

【課題】保護ポリマーコーティングを、プラズマ処理チャンバのシリコンまたはシリコンカーバイド電極上に形成する方法が提供される。
【解決手段】ポリマーコーティングは、プラズマ成分およびガス反応物への露出に対して、下にある電極表面への保護となる。この方法は、チャンバ１０２をクリーニングするプロセス中、またはチャンバ１０２内で半導体基板１０をエッチングするプロセス中に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。更に、基板支持体１６８のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜（不図示）も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用の基板をプラズマ処理する際に異常放電やパーティクルの問題が生じ難いプラズマ生成用電極を提供すること。
【解決手段】プラズマ生成用電極２０は、チャンバ２内に配置されたフラットパネルディスプレイ用の基板Ｇとの対向面Ｆを有し、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基材２０ａの表面に陽極酸化処理されて陽極酸化皮膜２０ｂを有する本体と、本体の対向面Ｆに開口した複数のガス吐出孔２２と、対向面Ｆにおいて、少なくともガス吐出孔２２の開口部２２ｃに形成されたセラミックス溶射皮膜２３とを有し、対向面Ｆにおいてセラミックス溶射皮膜２３の間の部分は、本体の面が露出している。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガスに対して高い耐食性を有すると共に、高い硬度を有し、耐擦傷性に優れた部材を提供すること。
【解決手段】基材表面の全部又は一部が、相対密度が50％以上98％未満である、ＣＶＤ法によって調製された、膜割れが生じない窒化アルミニウム（AlN）膜によって被覆された部材。前記窒化アルミニウム（AlN）膜が、ナノインデンテーション法によりダイヤモンドバーコビッチ圧子を用いて測定した室温におけるナノインデンテーション硬さが、10GPa以上30GPa未満であることが特徴である。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム被覆膜が基材表面に強固に密着してなる耐熱・耐腐食性部材を提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウムを主成分とした被覆膜によって、基材の少なくとも一部が覆われた部材。前記被覆膜が、その最表面に0.5原子％以上40原子％以下のフッ素を含有する窒化アルミニウム膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に生じる石英系のダストの発生を従来に比して抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１内に処理対象保持手段とプラズマ生成手段とを備える。処理対象保持手段は、ウェハ１００が載置される支持テーブル２１と、支持テーブル２１の外周に設けられるリング状のインシュレータリング２２と、インシュレータリング２２の側面部２２４および上面部２２３を覆うイットリアを含有する保護膜５０と、を備える。保護膜５０は、インシュレータリング２２の側面部２２４上に比して上面部２２３上の方が厚く形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の実施形態では、ずれを防止し、取り替え作業を容易に実施できる保護層を有した載置台を提供する。
【解決手段】
載置台１０は、ウェーハＷを載置する載置面４を有する電極本体２と、前記載置面４に設けられ、紫外光を照射されることによって前記載置面４に対する粘着力が可変となる着脱自在な保護層３とを有することを特徴とする。また、載置台１０をプラズマ処理装置１００に適用し、プラズマ発生時の紫外光を用いて、保護層３の粘着力を可変とする。 （もっと読む）

【課題】堆積プロセスの効率が低下しない、真空コーティング装置の動作方法を提供する。
【解決手段】フェーズＩでは、コーティングチャンバ１１がフッ素を含むガスによって洗浄された後、残留物１３がチャンバ壁に付着している。フェーズＩＩでは、ＰＥＣＶＤ法を用いて基板なしで堆積ステップが行われ、コーティングチャンバ１１の内壁全体に拡散防止層１５が形成される。拡散防止層１５は、フェーズＩで残った残留物１３の全てを覆い、当該の残留物１３がチャンバ内へ拡散することを阻止する。フェーズＩＩＩでは、拡散防止層１５によって完全に覆われたコーティングチャンバ１１に、ソーラーセルを製造するための基板１７が配置され、従来のコーティングステップが開始される。Ｓｉを含む層を１回または複数回析出した後、再び、フッ素を含むガスによる洗浄ステップが行われ、その際に拡散防止層１５が除去され、初期の状態（フェーズＩ）が達成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性の高い酸化イットリウムを含む材料で保護膜を形成した場合でも、酸化イットリウム粒子の脱粒やクラックなどによる劣化を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置１０はチャンバ１１内に処理対象保持手段と、チャンバ１１内に導入されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える。チャンバ１１の内壁とチャンバ１１内の構成部材のプラズマ処理室６１の表面には、酸化イットリウム被膜からなる保護膜５０が形成される。また、保護膜５０は、酸化イットリウム粒子を有し、膜厚が１０μｍ以上２００μｍ以下であり、膜密度が９０％以上であり、単位面積２０μｍ×２０μｍ中に存在する粒界が確認できる酸化イットリウム粒子が面積率で０〜８０％であり、粒界が確認できない酸化イットリウム粒子が面積率２０〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの均一性を高める。
【解決手段】平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】トレイに収容された状態で搬送が行われる複数のサファイア基板に対してプラズマ処理を行う方法において、高い選択比を得て、プラズマ処理条件の最適化を図る。
【解決手段】トレイが有する複数の基板収容部にサファイア基板が収容された状態にて、それぞれのサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスを用いてプラズマ処理を行い、それぞれのサファイア基板の表面に凹凸構造を形成するプラズマ処理工程において、トレイ表面に有機材料を配置した状態にて、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う。これにより、プラズマ処理中にサファイア基板から発生するＯやＣｌと有機材料から発生する有機成分とを反応させて、プロセス雰囲気中の有機成分の比率を高くして、高い選択比を得ることができる。 （もっと読む）