【課題】転写用マスクの黒欠陥の発生を抑制することのできるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜の表面に、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である第１の処理液を用いて表面処理を行う第１処理工程と、前記第１処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第２の処理液を用いて表面処理を行う第２処理工程と、前記第２処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第３の処理液を用いて表面処理を行う第３処理工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を高め、かつチャネル長のばらつきを抑制することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１には、基準面から５度以内のオフ角を有する主表面ＭＳが設けられている。基準面は、六方晶系の場合は｛０００−１｝面であり、立方晶系の場合は｛１１１｝面である。炭化珪素層は基板の主表面ＭＳ上にエピタキシャルに形成されている。炭化珪素層には、互いに対向する第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂを有する溝６が設けられている。第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂの各々はチャネル領域を含む。また第１および第２の側壁２０ａ、２０ｂの各々は、六方晶系の場合は実質的に{０−３３−８}面および｛０１−１−４｝面のいずれか一方を含み、立方晶系の場合は実質的に｛１００｝面を含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シャッターを開状態から閉状態とするのにかかる時間をほぼ一定に保つことができるシャッターおよび当該シャッターを用いた周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】開閉自在なシャッター装置１は、ベース２とシャッター部３とを連結する形状記憶合金４１と、形状記憶合金４１に電圧を印加する電圧印加手段４２と、形状記憶合金４１を冷却する冷却手段４３と、形状記憶合金４１の温度を検知する温度検知手段４４と、電圧印加手段４２および冷却手段４３の駆動を制御する制御手段４５と、ベース２に対してシャッター部３を付勢する付勢手段４６とを有している。また、制御手段４５は、開状態における形状記憶合金４１の温度が所定温度となるように、温度検知手段４４の検知結果に基づいて電圧印加手段４２および前記冷却手段４３の少なくとも一方の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】ホール底部の線幅及び深さのウェハ面内均一性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、処理容器と、基板を保持する保持部１０５と、前記保持部と対向する電極板１２０と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間で、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の処理ガス供給部１４３と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給して、前記空間の処理ガスをプラズマ化する高周波電源１１６と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段１３０と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が支配的である位置と、供給された処理ガスの流れの影響が支配的である位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部１９０とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ又はその他の基板における転位を減少させる、水素ベースのフォトレジスト剥離処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】水素ベースのフォトレジスト剥離を、１）オーバーストリッピングの継続時間を最小限にし、短い工程を採用することにより、水素収支を最小にする、２）例えば２％〜１６％の水素濃度の希釈水素を供給する、３）プロセス条件や化学反応を制御することにより、材料の損失を最小限に抑える、４）レジスト剥離を低温で行う、５）注入条件及び濃度を制御する、６）剥離後のベントプロセスを１つ又は複数行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜を、真空容器８０１内に導入されたＣとＯの元素を含むＣＯ含有ガスにソース電力を印加することでＣＯ含有ガスをプラズマ化し、生成したＣＯ含有プラズマを用い加工する際に、該ＣＯ含有プラズマにて被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力８０６を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後ＣＯ含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成を必要としない、スパッタエッチングの均一性を調整する手段を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極5a,5bの外周部に異極同士が対向するように永久磁石8a,8bを設置し、各電極の外周の前方近傍から中心寄りの電極表面に至る部分にマグネトロン磁場（半円筒形磁場）が、一対の電極の外周部間に電極表面に垂直方向の対向磁場が形成できるようにし、各電極にプラズマ電力を供給し、導入口2よりアルゴンなどを供給して、一方の電極5b上に載置した被処理基板13に対しプラズマエッチングを行う。各電極の背面に磁場調整手段12a,12bを設けてプラズマ空間の磁場を調整してエッチングの均一性を調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を構成する電極の交換時期を判定することができる交換時期判定装置、交換時期判定方法及びプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】電極に高周波電力を供給し、処理容器に導入したガスから発生させたプラズマにより、該処理容器内の基板上における薄膜をプラズマ処理するプラズマ処理装置を構成する前記電極の交換時期を判定する交換時期判定装置において、前記薄膜をプラズマ処理した処理条件に係る値を積算する積算手段と、プラズマ処理の処理条件に係る値に関して電極の交換時期と対応する積算値が記録された記録手段と、前記積算手段が積算した積算値及び前記記録手段に記録された積算値に基づいて、前記電極の交換時期を判定する判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Ｗを載置させる載置台１１は、所定の温度に温度調節される載置台本体１２と、載置台本体１２の上部に配置された、基板Ｗを吸着するための静電チャック１３を備え、静電チャック１３の上面に、中央に配置される第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と、周縁部に配置される第２の熱伝達用ガス拡散領域４８とが形成され、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７に熱伝達用ガスを供給する第１の熱伝達用ガス供給部５１と、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８に熱伝達用ガスを供給する第２の熱伝達用ガス供給部５２とを備え、第１の熱伝達用ガス拡散領域４７と第２の熱伝達用ガス拡散領域４８において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第２の熱伝達用ガス拡散領域４８は、静電チャック１３の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスをシャワーヘッドノズル２３により半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスをプラズマチャンバの側壁を通して噴射器２０により半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上のインジウムを含む酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分の表面層１５におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置が、表面層１５の下部に存在する酸化物半導体領域におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、ソレノイドコイル３及び石英管１５が石英ブロック４に接合され、石英ブロック４は、ソレノイドコイル３及び石英管１５内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 被処理基体の中央部分の処理速度を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、マイクロ波発生器、アンテナ、同軸導波管、保持部、誘電体窓、及び誘電体棒を備えている。ガス供給部は、処理容器内に処理ガスを供給する。マイクロ波発生器は、マイクロ波を発生する。アンテナは、プラズマ励起用のマイクロ波を処理容器内に導入する。同軸導波管は、マイクロ波発生器とアンテナとの間に設けられている。保持部は、被処理基体を保持するものであり、同軸導波管の中心軸線が延びる方向においてアンテナと対向配置されている。誘電体窓は、アンテナと保持部との間に設けられており、アンテナからのマイクロ波を処理容器内に透過する。誘電体棒は、保持部と誘電体窓との間の領域において同軸導波管の中心軸線に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】誘導アンテナにより生成されるプラズマの状態が変わることを抑えつつ、誘電窓に付着したエッチング生成物の除去効率を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓを収容するとともに、誘電窓１２で封止された真空槽Ｃと、誘電窓１２の上方に配置され、真空槽Ｃ内にプラズマを生成する誘導アンテナ２１と、誘導アンテナ２１に接続され、誘導アンテナ２１に流れる電流を抑制する電流抑制コイル２４を備えている。また、プラズマエッチング装置１０は、アンテナ用整合器２３を介して容量電極２６、誘導アンテナ２１、及び電流抑制コイル２４に高周波電力を供給するアンテナ用高周波電源２２を備えている。誘導アンテナ２１及び電流抑制コイル２４からなる直列回路と容量電極２６とからなる並列回路が、アンテナ用整合器２３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）式：Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃ（式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２及びＹＦ_ｎ（但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１〜５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の増加を抑制でき、さらにオフ時のゲートリーク電流およびドレインリーク電流を低減できるノーマリオフ型の窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上層の窒化物半導体層１５を下層の窒化物半導体層１４の格子定数より大きい材料とし、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間の上層の窒化物半導体層表面１５を、窒素ガスのプラズマ処理を施す。プラズマ処理を行うことにより、プラズマ処理なしの窒化物半導体層の積層構造により形成される２次元電子ガス層のキャリア濃度より、高いキャリア濃度の２次元電子ガス層１６が形成され、特性の優れたノーマリオフ型の窒化物半導体装置となる。 （もっと読む）