【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗを真空槽２１内に配置し、真空槽２１内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Ｗに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Ｗをエッチングし、基板Ｗに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差を大きくしたエッチング方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に微結晶シリコン膜を形成し、前記微結晶シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜に１０００Ｐａより高圧力のＨ_２とＡｒの混合ガス雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより前記微結晶シリコン膜を露出させてエッチングを行う。該エッチングは、アモルファスシリコン膜と微結晶シリコン膜とのエッチングレートの差が大きい。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ密度の高いプラズマを生成し、高い基板処理のスループットを持つ基板処理装置を提供する。
【解決手段】コイル４３２を外周に設け、筒状で構成される反応容器４３１と、前記反応容器４３１の端部に設けられた蓋部４５３ａと、前記蓋部４５３ａに設けられたガス導入口４３３と、前記ガス導入口４３３と前記コイル４３２の上端の間に設けた第一の板４６０と、前記第一の板と前記コイルの上端の間に設けた第二の板４６０ａと、前記反応容器の内、前記蓋部４５３ａと異なる方向に設けられた基板処理室４４５と、前記基板処理室４４５に接続されたガス排気部４８０と、を有する基板処理装置４１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 イオン入射等の所定処理により発生する被加工体のダメージをより短時間で算出可能にする。
【解決手段】 シミュレータ１０は、入力部１１と、ダメージ演算部１２とを備える構成とする。ダメージ演算部１２は、被加工体の所定の評価点で、所定のガスから被加工体に入射される第１物質の量と、第１物質の入射により被加工体から放出される第２物質の量との関係をフラックス法で計算することにより得られる被加工体のダメージを取得する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスを用いずに銅部材のエッチングレートを高くすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０において、円滑化された表面５０を有するＣｕ層４０を得た後、水素ガスにメタンガスを添加した処理ガスを処理室１５の内部空間へ導入し、該処理ガスからプラズマを生じさせて、酸化層４２のエッチングの際に生じた酸素ラジカル５２、並びにメタンから生じた炭素ラジカル５３を処理室１５の内部空間に存在させ、酸素ラジカル５２や炭素ラジカル５３から有機酸を生成し、該有機酸をＣｕ層４０の銅原子と反応させて銅原子を含む有機酸の錯体を生成し、さらに、該生成された錯体を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】中密度プラズマ領域のプラズマを用い、高い制御性を得るとともに大口径ウエハにおける処理の均一性を得る。
【解決手段】真空排気手段により排気される真空処理室と、該真空処理室にガスを供給するためのガス供給手段と、プラズマを生成するためのマイクロ波電力供給手段と、ウエハを載置するための基板ステージと、前記基板ステージを介してウエハに高周波バイアス電力を印加するための高周波バイアス電源と、前記真空処理室内に磁場を発生させるためのソレノイドコイルと、ヨークと、中央部あるいは外周部を、他の部分に対して、誘電体中のマイクロ波の波長の略１／４ 突出させて形成した誘電体製マイクロ波透過窓とを備えたプラズマ処理装置において、前記誘電体製マイクロ波透過窓は、平板部と、該平板部上に載置された突出部と、該突出部を平板部に位置決めする位置決め用凹凸部を備えた。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有物をエッチングする装置において、分離回収装置や除害装置を不要とし、設備コストを低減する。
【解決手段】分解部２０において、フッ素含有成分を含む原料ガスに高周波又は熱エネルギーを印加して、フッ素含有成分を分解する。分解中又は分解後の原料ガスと水素含有成分とを接触させてフッ化水素を含むエッチングガスを生成する。このエッチングガスを処理槽１０内の被処理物９に吹き付け、シリコン含有物９ａをエッチングする。更に、処理槽１０内のガスを排気手段５によって吸引して排出する。シリコン含有物９ａのエッチングレートが所定以上になるよう、かつ排出ガス中のフッ素含有成分の流量が放出許容値以下になるよう、分解部２０への原料ガスの供給流量、及び供給電力又は供給周波数を設定する。 （もっと読む）

【課題】二フッ化キセノン、キセノン、アルゴン、ヘリウム又はネオン等の所望のガスを、化学プロセス反応器の排出物から回収するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本装置は、２種以上の別個のガス組成物を導入するための１以上のラインを備えた化学プロセス反応器１０と、別個のガス組成物を導入するための少なくとも一つの流入口１１と、化学プロセス反応器からの排出ライン１８と、排出ラインにある逆止弁２０と、排出ラインから所望のガスを取り出すことができる回収ライン２４と、回収ラインにある自動弁２６と、プロセスコントローラー１０４、及び回収ラインにあるコンプレッサー２８を具備し、プロセスコントローラーはガス組成物の導入と、回収ラインにある自動弁の操作と、それによって所望のガスが排出ラインに存在するときの少なくとも一部の間に自動弁を開くように制御する装置、により課題を克服する。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハを低圧状態で処理する場合であっても，ウェハに対するパーティクルの付着や損傷の発生を防止しながら，ウェハの温度を効率的に調節できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。また，かかる基板処理装置及び基板処理方法に用いられる記録媒体を提供する。
【解決手段】基板Ｗを処理室３２に搬入し，載置台４０の上面に設けられた当接部材４２に基板Ｗの下面を当接させ，基板Ｗと載置台４０との間に隙間Ｇを形成した状態で，載置台４０に基板Ｗを載置させる。そして，処理室３２を所定の圧力にした状態で，載置台４０の温度を調節することにより，当接部材４２に支持された基板Ｗの温度を調節する。その後，処理室３２を所定の圧力より低い圧力の処理雰囲気にして，基板Ｗに所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷ上の半導体デバイスに形成されたハフニウム酸化膜にエッチング処理を施す際、ウエハＷをプラズマ処理装置１０のチャンバ１１内に搬入し、該チャンバ１１内の処理空間ＳにＣ_４Ｆ_８ガス、一酸化炭素ガス、アルゴンガス及びキセノンガスを所定の流量比で供給し、処理空間Ｓに高周波電力を印加して供給された処理ガスからプラズマを発生させ、キセノンによってＣ_４Ｆ_８からのフッ素の解離をより促進して高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Ｓｉ基板に付着した（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等の残留生成物を除去する際に反応室（真空槽）内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマによりＨラジカル生成用ガスを分解してＨラジカルを生成させ、このＨラジカルとＮＦ_３ガスを反応させてＮ、Ｆ及びＨからなるラジカルを生成するＮＦＨラジカル生成工程と、真空槽内で、Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜に前記Ｎ、Ｆ及びＨからなるラジカルを照射することにより前記ＳｉＯ_２膜を除去するエッチング工程と、真空槽内で、前記エッチング工程で前記Ｓｉ基板上に生成した残留生成物を加熱して蒸発させることにより、前記残留生成物を前記Ｓｉ基板上から除去する第１残留生成物除去工程と、前記第１残留生成物除去工程で真空槽内に付着した前記残留生成物にマイクロ波を照射することにより、真空槽内に付着した前記残留生成物を昇華させて除去する第２残留生成物除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとして被処理体のＳｉＣ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングする場合に、エッチングレートおよび有機Ｓｉ系低誘電率膜に対するエッチング選択比を高くしてエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、処理室内壁や処理室内のパーツのＹ₂Ｏ₃表面の変質層に起因した異物の抑制または低減するプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は処理室内壁面を構成する材料、または処理室内パーツの材料がイットリアからなるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記処理室内に試料を配置し、前記試料をエッチングする工程と、前記エッチング工程により前記処理室内に堆積した堆積物を、フッ素または塩素を含むガスを用いたプラズマにより除去する堆積物除去工程と、前記堆積物除去工程後の前記処理室内を、希ガスのプラズマに曝す工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン疎密差の影響を受けないハードマスク形成法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、第１から第３の膜１１１，１１２，１１３およびレジスト層１１４を形成した後、疎部Ｒ１と密部Ｒ２が存在するパターンを前記レジスト層に形成して前記第３の膜をエッチングする。次に、前記第３の膜及び前記レジスト層をマスクとして、密部Ｒ２内では前記第２の膜が残存するが、疎部Ｒ１内では前記第１の膜が露出するまで、前記第２の膜を除去する。その後Ｃ_XＦ_YＨ_Zガスを使用して、第５の膜１１５を、疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜上に第１の膜厚Ｔ１で形成し、密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜上には膜厚Ｔ１よりも薄い第２の膜厚Ｔ２で形成する。膜厚Ｔ１の前記第５の膜で疎部Ｒ１内に露出した前記第１の膜を保護しながら密部Ｒ２内に残存する前記第２の膜を除去し、最後に、前記第３から第５の膜を除去して前記第２の膜をハードマスクとする。 （もっと読む）

【課題】タングステン層の膜残りの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板１、コンタクトホール３を備えた絶縁膜２、絶縁膜２の表面およびコンタクトホール３の表面を被覆する被覆層４、並びに、コンタクトホール３を埋込むタングステン（Ｗ）層５を有するウエハに対し、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で高速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却せずに、Ｗ層５を被覆層４が露出しない範囲で、低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、被覆層４が露出するまで、Ｗ層５を低速でドライエッチングする工程と、ウエハを冷却しつつ、コンタクトホール３内のＷ層５を絶縁層２の高さまで低速でドライエッチングする工程と、を有する半導体素子の製造方法。 （もっと読む）